কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে এআই ডেটা সেন্টার এবং এআই সার্ভার পাওয়ার এমওএসএফইটি সিরিজের একটি বিশদ গাইড

ভূমিকাঃ এআই কম্পিউটিং পাওয়ারের বিস্ফোরক বৃদ্ধি সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই আর্কিটেকচারে রূপান্তর চালায়

বড় আকারের ল্যাঙ্গুয়েজ মডেল, জেনারেটিভ এআই এবং জিপিইউ ক্লাস্টারের ব্যাপক প্রয়োগের সাথে সাথে এআই ডেটা সেন্টারে কম্পিউটিং পাওয়ারের চাহিদা ক্রমবর্ধমানভাবে বাড়ছে।এবং সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমগুলি ঐতিহ্যগত 12V আর্কিটেকচার থেকে 48V বাস আর্কিটেকচারে ব্যাপক আপগ্রেডের মধ্য দিয়ে যাচ্ছেএই পটভূমিতে, পাওয়ার ডিভাইসগুলির নির্বাচন সিস্টেমের দক্ষতা, শক্তি ঘনত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতা নির্ধারণের ক্ষেত্রে একটি মূল কারণ হয়ে উঠেছে।সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই ইউনিটের (পিএসইউ) কোর সুইচিং ডিভাইস হিসাবে৪৮ ভোল্ট ইন্টারমিডিয়েট বাস কনভার্টার (আইবিসি) এবং বোর্ড ভোল্টেজ রেগুলেশন মডিউল (ভিআরএম), পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলির পারফরম্যান্স সরাসরি সিস্টেমের সামগ্রিক শক্তি দক্ষতাকে প্রভাবিত করে।

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড (www.integrated-ic.com), ১৯৯৬ সালে প্রতিষ্ঠিত, এটি বৈশ্বিকভাবে স্বীকৃত অনুমোদিত স্বতন্ত্র ইলেকট্রনিক উপাদান বিতরণকারী যা প্রায় তিন দশকের শিল্প অভিজ্ঞতা রয়েছে।কোম্পানিটি হংকংয়ে শাখা প্রতিষ্ঠা করেছে।, জাপান, রাশিয়া এবং তাইওয়ান, এবং আইএসও 9001: 2014 এবং আইএসও 14001:2014. মিংজিয়াদা ইনফিনিয়ন, নাভিটাস, এসটি, ওন সেমিকন্ডাক্টর, রোহম, রেনেসাস, ওল্ফস্পিড এবং মাইক্রোচিপের মতো বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় ব্র্যান্ডের পাওয়ার এমওএসএফইটি পণ্যগুলির দীর্ঘমেয়াদী স্টক বজায় রাখে,এআই ডেটা সেন্টার এবং সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ওয়ান-স্টপ পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর সমাধান প্রদান.

এআই সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাইতে পাওয়ার MOSFET-এর মূল প্রয়োজনীয়তা

এআই সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাইগুলি সাধারণত একাধিক পাওয়ার রূপান্তর পর্যায়ে থাকে, যার মধ্যে রয়েছে পিএফসি (পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন) পর্যায়, এলএলসি রেজোনেন্ট রূপান্তরকারী পর্যায়, 48V-12V আইবিসি রূপান্তরকারী পর্যায়,এবং বোর্ড ভিআরএম. পাওয়ার MOSFETs জন্য কর্মক্ষমতা প্রয়োজনীয়তা এই পর্যায়ে বিভিন্নঃ

উচ্চ-ভোল্টেজ এসি-ডিসি পর্যায় (পিএফসি/এলএলসি): 600V/650V বা তার বেশি ব্রেকডাউন ভোল্টেজ সহ CoolMOSTM সুপার-জংশন MOSFETs বা CoolSiCTM/SiC MOSFETs প্রয়োজন।কম স্যুইচিং ক্ষতি এবং উচ্চ রূপান্তর দক্ষতা সঙ্গে.

৪৮ ভোল্ট বাস রূপান্তর (আইবিসি): অতি-নিম্ন অন-রেসিস্ট্যান্স (আরডিএস ((অন)) এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং ক্ষমতা সহ ৪০ ভি ০১০০ ভি এ নামকরণ করা মাঝারি থেকে নিম্ন-ভোল্টেজ অপটিমোস TM এমওএসএফইটি প্রয়োজন।

বোর্ড ভিআরএম পাওয়ার সাপ্লাইঃ জিপিইউ এবং টিপিইউর মতো এআই অ্যাক্সিলারেটর চিপগুলির জন্য সুনির্দিষ্ট কোর পাওয়ার সাপ্লাই সরবরাহের জন্য উচ্চ-বর্তমান, নিম্ন-ভোল্টেজ এমওএসএফইটি প্রয়োজন।

বিবিইউ (ব্যাটারি ব্যাকআপ ইউনিট): সরবরাহের ভোল্টেজগুলি ± 400V এবং এমনকি 800V এর দিকে বিকশিত হওয়ার সাথে সাথে উচ্চ-ভোল্টেজ বিবিইউতে সিআইসি এমওএসএফইটি ক্রমবর্ধমানভাবে ব্যবহৃত হচ্ছে।

II. মিংজিয়াদা'র পাওয়ার MOSFET পণ্য পরিসীমা বিস্তারিত ওভারভিউ

1. ইনফিনিওন √ পাওয়ার মোসফেটের সম্পূর্ণ পরিসীমা

মিংজিয়াদা দীর্ঘদিন ধরে ইনফিনিয়েনের এন-চ্যানেল পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলির সম্পূর্ণ পরিসীমা সরবরাহ করেছে, যা নিম্নলিখিত মূল পণ্যগুলিকে কভার করেঃ

(১) OptiMOSTM সিরিজ ∙ মাঝারি এবং নিম্ন ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চ দক্ষতার জন্য রেফারেন্স

অপটিএমওএস সিরিজ হল ইনফাইনওনের মাঝারি এবং নিম্ন ভোল্টেজ পাওয়ার MOSFETs এর ফ্ল্যাগশিপ পরিসীমা, যা 12V থেকে 250V পর্যন্ত ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে এবং উচ্চ সুইচিং দক্ষতা এবং উচ্চ শক্তি ঘনত্ব সরবরাহ করে।মিংজিয়াদা'র মূল অফারগুলো হল:

OptiMOSTM 5: 60V থেকে 250V পর্যন্ত পূর্ণ ভোল্টেজ কভারেজ, যেমন BSC052N08NS5 (80V/5.2mΩ) এবং ISC013N06NM5SC মডেল সহ,বিশেষভাবে এআই সার্ভার এবং টেলিকম পাওয়ার সাপ্লাইতে সিঙ্ক্রোনিক রেক্টিফিকেশনের জন্য ডিজাইন করা.

অপটিমোস 6: 60V থেকে 200V পর্যন্ত পূর্ণ ভোল্টেজ কভারেজ, পূর্ববর্তী প্রজন্মের তুলনায় 30% কম প্রতিরোধের সাথে এবং মানের ফ্যাক্টর উল্লেখযোগ্য উন্নতি।100 ভোল্ট সিরিজটিতে 18% কম প্রতিরোধের এবং মূল মানের ফ্যাক্টরগুলির সর্বাধিক 42% উন্নতি রয়েছে.

OptiMOSTM 7/8: উন্নত তামার ধাতবীকরণ প্রক্রিয়া এবং 300 মিমি ওয়েফার প্রযুক্তি ব্যবহার করে, RDS ((on) 40V ভেরিয়েন্টগুলির জন্য 25% এবং 80V / 100V ভেরিয়েন্টগুলির জন্য 40% হ্রাস পেয়েছে।

(২) কুলএমওএস টিএম সিরিজ উচ্চ-ভোল্টেজ সুপার-জংশন এমওএসএফইটি

কুলএমওএস টিএম সিরিজ সুপার-জংশন এমওএসএফইটি প্রযুক্তি ব্যবহার করে এবং উচ্চ দক্ষতার স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাইগুলির জন্য উপযুক্ত। মিংজিয়াদা সি 3, সি 7 এবং জি 7 সিরিজ সহ সম্পূর্ণ পণ্য পরিসীমা সরবরাহ করে,যেমন IPT60R050G7 (600V CoolMOSTM G7), যা পিএফসি, সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই এবং শিল্প এসএমপিএসে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। মামি ইলেকট্রিক তার 5.5 কিলোওয়াট এআই সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাইতে ইনফিনিওনের কুলএমওএস 8 ডিভাইস অন্তর্ভুক্ত করেছে, উচ্চ দক্ষতা অর্জন করেছে,উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা।

(3) CoolSiCTM সিরিজ সিলিকন কার্বাইড MOSFETs

কুলসিসিটিএম এমওএসএফইটিগুলি সিলিকন কার্বাইড প্রযুক্তি ব্যবহার করে, 1200V/1700V পর্যন্ত ভোল্টেজ রেটিং সমর্থন করে, 175 °C এর জংশন তাপমাত্রায় এবং অতি-নিম্ন প্রতিরোধের ক্ষতিতে কাজ করার ক্ষমতা সহ.মিংজিয়াদা এআই সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাইগুলির পিএফসি পর্যায় এবং উচ্চ-ভোল্টেজ ডিসি-ডিসি রূপান্তর পর্যায়ে উল্লেখযোগ্য সুবিধা প্রদান করে।

(৪) CoolGaNTM সিরিজ √ গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ট্রানজিস্টর

কুলগ্যানTM সিরিজটি গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (গ্যান) প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয়েছে এবং এতে শূন্য বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ এবং অতি উচ্চ সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি রয়েছে।CoolGaNTM ডিভাইসগুলি নেটওয়ার্ক থেকে চিপ পর্যন্ত পুরো চেইন জুড়ে উচ্চ দক্ষতার শক্তি সরবরাহকে সমর্থন করেএআই কম্পিউটিং অবকাঠামোর উচ্চ শক্তি ঘনত্বের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।

(5) স্ট্রংআইআরএফইটিTM সিরিজ ¢ ব্যয়-কার্যকর সাধারণ-উদ্দেশ্যযুক্ত ডিভাইস

স্ট্রংআইআরএফইটিTM সিরিজটি মধ্যম ও নিম্ন ভোল্টেজ MOSFETs এর একটি ব্যয়বহুল পরিসীমা হিসাবে অবস্থিত, যা ব্যতিক্রমী স্থায়িত্ব এবং তুষারপাত সুরক্ষা প্রদান করে।স্ট্রংআইআরএফইটি 2 সিরিজের সর্বাধিক ভিবিআরডিএসএস 100 ভোল্ট, মাত্র ১.২ এমওএমের সর্বনিম্ন আরডিএস (অন) এবং -৫৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস থেকে ১৭৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা।

2নাভিটাস √ জিনসিসি সিরিজের সিসি মসফেট

মিংজিয়াদা দীর্ঘদিন ধরে নাভিটাস √ জিনসিসি সিরিজের সিলিকন কার্বাইড এমওএসএফইটি সরবরাহ করে আসছে, যা একটি অনন্য √ ট্রেঞ্চ-সহায়িত সমতল গেট √ প্রযুক্তি ব্যবহার করে। এগুলি মূলত দুটি সিরিজে বিভক্তঃ

Gen-3 Fast (G3F) সিরিজ: বিশেষভাবে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি লক্ষ্য করে দ্রুততম সুইচিং গতি এবং সর্বোচ্চ দক্ষতা প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে,এআই ডেটা সেন্টারের সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাইগুলির মতো উচ্চ শক্তি ঘনত্বের দৃশ্যকল্প, বৈদ্যুতিক যানবাহনের বোর্ড চার্জার (ওবিসি) এবং দ্রুত ডিসি চার্জিং স্টেশন। ভোল্টেজ রেটিং 650V এবং 1200V অন্তর্ভুক্ত, প্যাকেজিং বিকল্প যেমন D2PAK-7L, TOLL এবং TO-247-4.

জেনারেল-৩ রুগেড (জি৩আর) সিরিজঃ অত্যন্ত রুক্ষতা এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার উপর দৃষ্টি নিবদ্ধ করে, এটি উচ্চতর তুষারপাত সহ্য করার ভোল্টেজ এবং শক্তিশালী শর্ট সার্কিট সক্ষমতার বৈশিষ্ট্যযুক্ত, যার ভোল্টেজ রেটিং 1,২০০ ভোল্ট এবং ১৭০০ ভোল্ট।

3. এসটিএমাইক্রো ইলেকট্রনিক্স ¢ পাওয়ার এমওএসএফইটি এবং সিআইসি এমওএসএফইটি

মিংজিয়াদা ST পাওয়ার MOSFETs এবং সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFETs এর সম্পূর্ণ পরিসীমা স্টক করে। ST এর পাওয়ার MOSFETs 100 V থেকে 1,700 V পর্যন্ত একটি ব্রেকডাউন ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে,উচ্চ ভোল্টেজ MDmesh/STMESH ট্রেনচ সিরিজ এবং নিম্ন ভোল্টেজ STripFET সিরিজ সহ. ST ′s SiC MOSFETs 650 V থেকে 2,200 V পর্যন্ত একটি বর্ধিত ভোল্টেজ পরিসীমা সরবরাহ করে, অসামান্য সুইচিং কর্মক্ষমতা এবং ইউনিট এলাকা প্রতি অত্যন্ত কম প্রতিরোধের সাথে।সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে সার্ভার এবং টেলিকম পাওয়ার সরবরাহ অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, মাইক্রো-ইনভার্টার এবং দ্রুত চার্জিং।

4অন্যান্য মূল ব্র্যান্ড

মিংজিয়াদা নিম্নলিখিত ব্র্যান্ডের পাওয়ার MOSFET পণ্য সরবরাহ করেঃ

Onsemi: EliteSiC সিলিকন কার্বাইড MOSFETs, বিশেষভাবে বৈদ্যুতিক গাড়ির ট্র্যাকশন ইনভার্টার এবং উচ্চ-ভোল্টেজ শক্তি রূপান্তর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

ROHM: এন-চ্যানেল পাওয়ার MOSFETs, অটোমোটিভ-গ্রেড MOSFETs এবং SiC MOSFETs। ROHM ′s 750V SiC MOSFET ′SCT4013DLL ′ এআই সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাইগুলির BBU এ গৃহীত হয়েছে।

রেনেসাঃ অটোমোটিভ এবং শিল্প-গ্রেড পাওয়ার MOSFETs।

Wolfspeed: SiC MOSFETs এবং SiC পাওয়ার মডিউল 650V থেকে 1700V পর্যন্ত পূর্ণ ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে।

মাইক্রোচিপঃ সমস্ত ভোল্টেজ রেটিং জুড়ে সিলিকন কার্বাইড MOSFETs; 650V সিরিজ সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাইগুলির মতো মাঝারি থেকে উচ্চ ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত।

তোশিবাঃ উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা MOSFETs।

৩। মিংজিয়াদা'র সেবা সুবিধা

ব্যাপক স্টক উপলব্ধতাঃ শেনঝেন এবং হংকংয়ের দ্বৈত গুদাম কেন্দ্রগুলির সাথে, আমরা 2 মিলিয়নেরও বেশি জনপ্রিয় মডেলের স্টক বজায় রাখি, একই দিনের অর্ডার, পরের দিন প্রেরণ সমর্থন করি।

গুণমান নিশ্চিতকরণঃ সমস্ত পণ্য ১০০% আসল এবং আইএসও ৯০০১ এবং আইএসও ১৪০০১ মানদণ্ডের সাথে প্রত্যয়িত, নির্ভরযোগ্য মান নিশ্চিত করার জন্য শেষ থেকে শেষ পরীক্ষা সহ।

নমনীয় ক্রয় ব্যবস্থা: আমরা ছোট ব্যাচের নমুনা (একটি ইউনিট থেকে শুরু করে) থেকে শুরু করে বড় আকারের উৎপাদন অর্ডার পর্যন্ত সবকিছুকে সমর্থন করি।

দ্রুত ডেলিভারিঃ স্ট্যান্ডার্ড অর্ডার 1 ¢ 3 দিনের মধ্যে বিতরণ করা হয়; জরুরী অর্ডার 4 ঘন্টার মধ্যে প্রেরণ করা হয় এবং 24 ¢ 48 ঘন্টার মধ্যে বিতরণ করা হয়।

সিদ্ধান্ত

এআই কম্পিউটিং অবকাঠামোর দ্রুত উন্নয়নের পটভূমিতে,দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য শক্তি MOSFETs সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেম উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং শক্তি দক্ষতা অর্জন জন্য অপরিহার্যইনফিনিয়ন, নাভিটাস, এসটি, ওএন সেমিকন্ডাক্টর, রোএইচএম এবং ওল্ফস্পিডের মতো বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় ব্র্যান্ডগুলি জুড়ে পাওয়ার এমওএসএফইটি পণ্যগুলির একটি বিস্তৃত পরিসীমা সহ,ব্যাপক স্টক উপলব্ধতা এবং দ্রুত ডেলিভারি ক্ষমতা সঙ্গে যুক্ত, মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স এআই ডেটা সেন্টার এবং সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ওয়ান-স্টপ পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর সংগ্রহের সমাধান সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

আমাদের সাথে যোগাযোগ

টেলিফোনঃ +৮৬ ১৩৪১০০১৮৫৫৫ (মিঃ চেন)

ইমেইল: sales@hkmjd.com

ঠিকানা: রুম ১২৩৯ ০১২৪১, নিউ এশিয়া গুওলি বিল্ডিং, ঝেনজং রোড, ফুটিয়ান জেলা, শেনজেন