কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে আইজিবিটি ট্রানজিস্টর FGA40N65SMD এবং FGA40T65SHD ফিল্ড কাটফ আইজিবিটি 650 ভি, 40 এ

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd মূল সরবরাহ IGBT ট্রানজিস্টর FGA40N65SMD এবং FGA40T65SHD ক্ষেত্র কাটা বন্ধ IGBT 650 V, 40 A

ডিভাইস মডেলঃ FGA40N65SMD, FGA40T65SHD

বিভাগঃ আইজিবিটি ট্রানজিস্টর

নির্মাতাঃ onsemi

প্যাকেজঃ টিউব

অংশের অবস্থাঃ বিক্রির জন্য

আইজিবিটি প্রকারঃ ফিল্ড কাট অফ

ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ভাঙ্গন (সর্বোচ্চ): 650 ভোল্ট

বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80 এ

বর্তমান - সংগ্রাহক পালস (আইসিএম): 120 এ

Vce ((on) বিভিন্ন Vge এ, Ic (max): 2.5V @ 15V, 40A

শক্তি - সর্বোচ্চঃ 349 W

স্যুইচিং এনার্জিঃ 820μJ (চালু), 260μJ (বন্ধ)

ইনপুট টাইপঃ স্ট্যান্ডার্ড

গেট চার্জঃ ১১৯ এনসি

Td (চালু/বন্ধ) 25°C এঃ মান 12ns/92ns

পরীক্ষার শর্তঃ 400V, 40A, 6 ওহম, 15V

বিপরীত পুনরুদ্ধার সময় (trr): 42 ns

অপারেটিং তাপমাত্রাঃ -55°C ~ 175°C (TJ)

মাউন্ট টাইপঃ গর্ত মাধ্যমে

প্যাকেজ/হাউজিং: TO-3P-3, SC-65-3

সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজঃ TO-3PN

সংক্ষিপ্ত বিবরণ

অন সেমিকন্ডাক্টরের নতুন ফিল্ড কাটফ জেনার 2 আইজিবিটিগুলিতে এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি নতুন ফিল্ড কাটফ আইজিবিটি প্রযুক্তি রয়েছে যেখানে কম পরিবাহিতা এবং স্যুইচিং ক্ষতিগুলি সমালোচনামূলক, যেমন সৌর ইনভার্টার, ইউপিএস,সোল্ডার, ইন্ডাক্টিভ হিটিং, টেলিকম, ইএসএস এবং পিএফসি।

বৈশিষ্ট্য

সর্বাধিক সংযোগ তাপমাত্রা TJ = 175 °C

সহজ সমান্তরাল অপারেশন জন্য ইতিবাচক তাপমাত্রা সহগ

উচ্চ বর্তমান ক্ষমতা

নিম্ন স্যাচুরেশন ভোল্টেজঃ VCE ((sat) = 1.9 V (সাধারণ) @ IC = 40 A

দ্রুত স্যুইচিংঃ EOFF = 6.5uJ/A

সংকীর্ণ পরামিতি বিতরণ

RoHS মেনে চলুন

অ্যাপ্লিকেশন

বিদ্যুৎ উৎপাদন ও বিতরণ

নিরবচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ

অন্যান্য শিল্প