কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে ইনফিনিয়ন আইকেডব্লিউ২৫এন১২০টি২ ১২০০ ভোল্ট ২৫এ আইজিবিটি ট্রানজিস্টর অ্যান্টি-প্যারালালাল ডায়োড সহ

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড ইনফাইনন সরবরাহ করেIKW25N120T2একটি অ্যান্টি-প্যারালালাল ডায়োড সহ 1200V 25A IGBT ট্রানজিস্টর।

আমি.IKW25N120T2মডেল এবং পণ্যের অবস্থান

আইকেডব্লিউ২৫এন১২০টি২ হল ইনফিনিয়নের দ্বিতীয় প্রজন্মের (টি২) ট্রেঞ্চস্টপ সিরিজের একটি ১২০০ ভি/২৫ এ একক ট্রানজিস্টর আইজিবিটি। এটি ′′ডুওপ্যাক′′ কনফিগারেশন ব্যবহার করে,যা IGBT চিপকে একটি নরম-পুনরুদ্ধারের সাথে একীভূত করে, একক পিজি-টিও -২৪৭-৩ প্লাস্টিকের প্যাকেজে দ্রুত পুনরুদ্ধার ইমিটার-নিয়ন্ত্রিত ডায়োড, অর্ডার কোড IKW25N120T2FKSA1 এবং সিল্কস্ক্রিন চিহ্ন K25T1202 সহ।

মডেলের নামকরণ স্পষ্টভাবে স্পেসিফিকেশনগুলি নির্দেশ করেঃ আইকেআইকে একটি অ্যান্টি-প্যারালালাল ডায়োড সহ একটি আইজিবিটি নির্দেশ করে (যদিও আইজিআইকে দিয়ে শুরু হওয়া একটি নামকরণ একটি ডায়োড ছাড়াই একটি একক চিপ আইজিবিটি নির্দেশ করে);️ডব্লিউ ️ মানে TO-247 প্যাকেজ; ২৫ মানে হল ২৫ এ এর নামমাত্র সংগ্রাহক বর্তমান ১০০ ডিগ্রি সেলসিয়াসে; ১২০ মানে ১২০০ ভোল্টেজের নামমাত্র ভোল্টেজ; T২ মানে হল ২য় প্রজন্মের TRENCHSTOP প্ল্যাটফর্ম,চতুর্থ প্রজন্মের ইনফিনিয়ন IGBT (IGBT4) এর ট্রেঞ্চ-গেট ফিল্ড-স্টপ স্ট্রাকচার থেকে উদ্ভূত চিপ প্রযুক্তির সাথেএর আনুষ্ঠানিকভাবে প্রস্তাবিত সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা ২ কিলোহার্টজ থেকে ২০ কিলোহার্টজ;এটি একটি low-frequency hard-switching device হিসাবে অবস্থিত যা কন্ডাকশন ক্ষতির অগ্রাধিকার দেয় এবং একই সাথে স্যুইচিং ক্ষতির বিষয়টি বিবেচনা করেএইচ৩ সিরিজের পরিপূরক, যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

II. প্রযুক্তিগত প্ল্যাটফর্ম এবং কাঠামোগত বৈশিষ্ট্যIKW25N120T2

এই ডিভাইসের কেন্দ্রস্থলে একটি কম্পোজিট কাঠামো রয়েছে যা একটি ট্রেঞ্চ গেট এবং একটি ফিল্ড স্টপ নিয়ে গঠিত। ট্রেঞ্চ গেট চ্যানেলকে সমতল থেকে উল্লম্ব রূপান্তর করে,কোষ ঘনত্ব এবং ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স বৃদ্ধি; ফিল্ড স্টপ স্তরটি ড্রিফট অঞ্চলের লেজ শেষের দিকে একটি বাফার গঠন করে, যা 1200 ভোল্টের ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বজায় রেখে চিপটি পাতলা তৈরি করতে সক্ষম করে,এইভাবে একই সময়ে স্যাচুরেশন ভোল্টেজ ড্রপ এবং বন্ধ-অফ লেজ বর্তমান কমাতেপূর্ববর্তী সমতল-গেট আইজিবিটিগুলির তুলনায়, এই প্রজন্মটি কেবলমাত্র স্যুইচিং ক্ষতির জন্য অন-স্টেট ক্ষতির বিনিময়ের পরিবর্তে স্থিতিশীল এবং গতিশীল বৈশিষ্ট্য উভয়ই উন্নতি করে।

অ্যান্টি-প্যারালালাল ডায়োড একটি ইমিটার-নিয়ন্ত্রিত, উচ্চ-কার্যকারিতা (এইচই) নকশা ব্যবহার করে, যা একটি খুব নরম পুনরুদ্ধার তরঙ্গরূপ এবং নিয়ন্ত্রিত পুনরুদ্ধার চার্জ দ্বারা চিহ্নিত।এই IGBT চালু মুহূর্তে ডায়োডের পিক বিপরীত পুনরুদ্ধার বর্তমান দমন, যার ফলে টার্ন-অন ক্ষতি এবং ইএমআই হ্রাস পায়। এটিও ডুপ্যাক প্যাকেজের ব্যবহারিক মূল্যঃআইজিবিটি এবং এর ডায়োড একই চিপ এলাকায় ফিট করার জন্য একই নির্মাতার দ্বারা ডিজাইন এবং মেলেব্যবহারকারীদের একটি স্বতন্ত্র দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োড নির্বাচন করতে হবে না, স্থান এবং খরচ সংরক্ষণ এবং অসম্পূর্ণতা ত্রুটি এড়ানো।

III. প্রধান স্ট্যাটিক পরামিতিIKW25N120T2

সংগ্রাহক ০ ইমিটার ভোল্টেজ (ভিসিই) ১২০০ ভোল্টেজ (ভিজিই = ০ ভোল্টেজ এবং আইসি = ৫০০ মাইক্রো এ) । সর্বাধিক গেট ০ ইমিটার ভোল্টেজ ±২০ ভোল্টেজ; অপারেটিং জংশন তাপমাত্রা পরিসীমা −৪০ °C থেকে +১৭৫ °C;এবং স্টোরেজ তাপমাত্রা পরিসীমা -৫৫ °C থেকে +১৫০ °C.

বর্তমান ক্ষমতা দুটি স্তরে বিভক্তঃ একটি কেস তাপমাত্রা (টিসি) 25 °C এ 50 A এর একটি DC সংগ্রাহক বর্তমান, যা TC = 110 °C এ 25 A এ কমে যায়; এটি 25 A রেটিং এর উত্স ব্যাখ্যা করে;ইম্পলসড সংগ্রাহক বর্তমান ICPuls 100 A (Tjmax দ্বারা সীমাবদ্ধ)ডায়োড পাশঃ টিসি = 25 °C এ সামনের স্রোত 40 এ এবং টিসি = 110 °C এ 25 এ; স্পন্দিত স্রোত 100 এ।

ভিজিই = ১৫ ভোল্টেজ এবং আইসি = ২৫ এ অবস্থার অধীনে ভিসিইএসএটের স্যাচুরেশন ভোল্টেজ ড্রপ সাধারণত ১.৭ ভোল্টেজ ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে (সর্বোচ্চ ২.২ ভোল্টেজ), সাধারণত ২.১ ভোল্টেজ ১৫০ ডিগ্রি সেলসিয়াসে এবং সাধারণত ২.২ ভোল্টেজ ১৭৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে হয়।এই পরিসংখ্যানগুলি 1200 V/25 A শ্রেণীর জন্য নীচের দিকে রয়েছে, যা সরাসরি T2 প্ল্যাটফর্মের বিক্রয় পয়েন্টকে প্রতিফলিত করে। আরও গুরুত্বপূর্ণ, VCEsat একটি ইতিবাচক তাপমাত্রা সহগ প্রদর্শন করে;উচ্চ তাপমাত্রায় ভোল্টেজ ড্রপ হ্রাসের পরিবর্তে বৃদ্ধি পায়যখন একাধিক ডিভাইস সমান্তরালভাবে সংযুক্ত করা হয়, তখন বর্তমানটি স্বাভাবিকভাবে ভারসাম্যপূর্ণ হয়, পৃথক ডিভাইসগুলির কারণে তাপীয় রানওয়ে প্রতিরোধ করা হয়; ফলস্বরূপ,নির্মাতা স্পষ্টভাবে “সহজ সমান্তরালীকরণ” একটি বৈশিষ্ট্য হিসাবে তালিকাভুক্ত করে.

অন্যান্য স্ট্যাটিক পরামিতিঃ গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ ভিজিইথ ৫.২ ভি / ৫.৮ ভি / ৬.৪ ভি (ন্যূনতম / সাধারণ / সর্বোচ্চ) এবং ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স জিএফএস সাধারণত ১৩.৫ এস (ভিসিই = ২০ ভি, আইসি = ২৫ এ) ।প্রান্তিক ভোল্টেজের এই বিস্তৃত বিতরণ মানে ডিভাইসটি লজিক-লেভেল ড্রাইভারের সাথে সরাসরি সামঞ্জস্যপূর্ণ নয় (যেমন 3.3 V বা 5 V); একটি +15 V চালু ভোল্টেজের সাথে একটি ডেডিকেটেড IGBT ড্রাইভার ব্যবহার করা আবশ্যক। শূন্য-গেট ভোল্টেজ ফুটো বর্তমান ICES প্রায় 0.4 mA 25 °C এবং 1,200 V, প্রায় 4 mA 150 °C এ,এবং ১৭৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে ২০ এমএ পর্যন্ত পৌঁছতে পারে; উচ্চ-তাপমাত্রার ব্লকিং ক্ষতিগুলি উচ্চ-ভোল্টেজ স্ট্যান্ডবাই বা উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে বিবেচনা করা উচিত এবং স্বাভাবিক তাপমাত্রার মান ব্যবহার করে অনুমান করা যায় না।

ডায়োডের সামনের ভোল্টেজ ড্রপ (ভিএফ) সাধারণত 25 °C এ 1.65 V এবং IF = 25 A এ 150 °C এ 1.7 V হয়, সর্বাধিক 2.2 V।

IV. গতিশীল পরামিতি এবং স্যুইচিং ক্ষতিIKW25N120T2

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স সিস 1600 পিএফ, আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স সিস 155 পিএফ এবং বিপরীত স্থানান্তর ক্যাপাসিট্যান্স Crss 90 পিএফ (ভিসিই = 25 ভি, ভিজিই = 0 ভি, 1 মেগাহার্টজ); গেট চার্জ কিউজিট 120 এনসি (ভিসিসি = 960 ভি,আইসি = ২৫ এএই ডেটা সেট ড্রাইভ শক্তি নির্ধারণ করেঃ সূত্র Qg × ΔVGE × fsw ব্যবহার করে অনুমান করা, 10 kHz এ গেট ড্রাইভ শক্তি প্রায় 0.12 μC × 23 V × 10 k, ≈ 28 mW।ড্রাইভারের উপর লোড খুব হালকাপ্রধান চ্যালেঞ্জটি মিলেনার ক্যাপাসিটেন্স থেকে dv/dt দ্বারা সৃষ্ট ভুল ট্রিগারে অবস্থিত, বরং অপর্যাপ্ত ড্রাইভ পাওয়ার।

ইন্ডাক্টিভ লোড, ভিসিসি = 600 ভোল্ট, আইসি = 25 এ, ভিজিই = 0/15 ভোল্ট এবং আরজি = 16.4 ওএম সহ পরীক্ষার অবস্থার অধীনে, 25 ডিগ্রি সেলসিয়াসে সুইচিং বৈশিষ্ট্যগুলি নিম্নরূপঃ চালু হওয়ার বিলম্ব td (চালু) 27 ns,উত্থানের সময় tr 20 ns, বন্ধ করার বিলম্ব td (বন্ধ) 265 ns, পতনের সময় tf 95 ns, চালু করার শক্তি Eon 1.55 mJ, বন্ধ করার শক্তি Eoff 1.35 mJ, এবং মোট স্যুইচিং শক্তি Ets 2.9 mJ; 175 °C এ, td (চালু) 25 ns, tr 24 ns,টিডি (অফ) ৩৪০ এনএস, tf হল 164 ns, Eon 2.25 mJ, Eoff 2.05 mJ, Ets 4.3 mJ।

এই তথ্য সেটের সবচেয়ে উল্লেখযোগ্য দিক হল তাপমাত্রা প্রভাবঃ যদিও চালু করার পরামিতিগুলি কার্যত অপরিবর্তিত থাকে, তবে বন্ধ করার পরামিতিগুলি উল্লেখযোগ্যভাবে খারাপ হয়,tf 95 ns থেকে 164 ns বৃদ্ধি এবং Eoff প্রায় 52 শতাংশ বৃদ্ধি. এটি উচ্চ তাপমাত্রায় উচ্চতর স্রোতের কারেন্টের কারণে, যা সমস্ত আইজিবিটিগুলির একটি সাধারণ বৈশিষ্ট্য। ফলস্বরূপ, তাপীয় নকশা গণনাগুলি 25 ডিগ্রি সেলসিয়াসে Eoff মানের উপর ভিত্তি করে করা উচিত নয়;125°C বা 175°C এর মান ব্যবহার করে একটি সুরক্ষা মার্জিন প্রয়োগ করতে হবে, অন্যথায় প্রকৃত তাপমাত্রা বৃদ্ধি প্রত্যাশা অতিক্রম করবে। উপরন্তু, ডেটা শীটে নির্দিষ্ট করা হয়েছে যে ইওন ইতিমধ্যে ডায়োড বিপরীত পুনরুদ্ধার ক্ষতি অন্তর্ভুক্ত করে;সিস্টেম স্তরের অনুমানের জন্য ইটি ব্যবহার করার সময়, দ্বিগুণ গণনা এড়াতে Qrr ক্ষতি আলাদাভাবে যোগ করবেন না।

১৭৫°সি এ ৪.৩ এমজে এর ইটিএস এর ভিত্তিতে, সুইচিংয়ের ক্ষতি ১০ কিলহার্জে প্রায় ৪৩ ওয়াট এবং ২০ কিলহার্জে প্রায় ৮৬ ওয়াট।এটি ব্যাখ্যা করে যে কেন প্রস্তুতকারক উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সিতে 20 kHz এর উপর উপরের সীমা নির্ধারণ করেছেন, স্যুইচিং ক্ষতি দ্রুত দক্ষতা লাভ হ্রাস করবে, যা তারপর H3 বা IGBT7 ডিভাইসের ক্ষেত্রে পড়বে।

V. বিস্তারিতIKW25N120T2অ্যান্টি-প্যারালালাল ডায়োড

ভিআর = ৬০০ ভোল্ট, আইএফ = ২৫ এ, এবং ডিএফ/ডিটি ≈ ১০৫০ এ/মাইক্রো সেকেন্ডের অবস্থার অধীনে ডায়োডের বিপরীত পুনরুদ্ধার সময় (ট্র) ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে ১৯৫ এনএস এবং ১৭৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে ২৯০ এনএস; বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ (কিউআরআর) ২।05 μC 25 °C এ এবং 3.65 μC 175 °C এ; সর্বোচ্চ বিপরীত পুনরুদ্ধার স্রোত (Irrm) 25 °C এ 20 A এবং 175 °C এ 24 A; পুনরুদ্ধার স্রোতের ক্ষয় (dirr/dt) 475 A/μs 25 °C এ এবং 330 A/μs 175 °C এ।

এই ডাটা সেটের নরম প্রকৃতি তুলনামূলকভাবে নরম dirr/dt-এ প্রতিফলিত হয়, যা উচ্চ তাপমাত্রায় আরও ধীর হয়; পুনরুদ্ধার প্রক্রিয়াটি একটি ধারালো বর্তমান ড্রপ অফের অভাব রয়েছে,এবং তাই বাস পরজীবী inductance জুড়ে বড় ভোল্টেজ স্পাইক প্ররোচিত না, যার ফলে ভাল ইএমআই পারফরম্যান্স হয়। ট্রেড অফটি 175 °C এ তুলনামূলকভাবে উচ্চ Qrr (3.65 μC); একটি 20 kHz হার্ড সুইচিং ব্রিজ আর্ম,ডায়োড পুনরুদ্ধারের ক্ষতি মোট ক্ষতির একটি উল্লেখযোগ্য অংশের জন্য দায়ী করবে. ইঞ্জিনিয়ারিং ট্রেড অফ নিম্নরূপঃ যদি অ্যাপ্লিকেশন কম শব্দ, কম ভোল্টেজ স্পাইক এবং সামগ্রিক সিস্টেম নির্ভরযোগ্যতা অগ্রাধিকার, এই নরম পুনরুদ্ধার সমন্বয় ভাল উপযুক্ত;যদি লক্ষ্য সর্বোচ্চ সম্ভাব্য উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি দক্ষতা অর্জন করা হয়, তারপরে দ্রুত পুনরুদ্ধারের সময় সহ ডায়োডগুলি যেমন এইচ 3 বা আইজিবিটি 7 এর সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ ব্যবহার করা উচিত।

VI.IKW25N120T2শর্ট সার্কিট ক্ষমতা এবং নিরাপদ অপারেটিং এলাকা

শর্ট সার্কিট প্রতিরোধের সময় (tSC) 10 μs, VGE = 15 V, VCC ≤ 600 V এবং 175 °C এর প্রাথমিক জংশন তাপমাত্রার পরীক্ষার অবস্থার অধীনে;এটি নির্দিষ্ট করা হয়েছে যে শর্ট সার্কিট চক্রের সংখ্যা 1 এর চেয়ে কম হতে হবে,000, প্রতিটি শর্ট সার্কিট ইভেন্টের মধ্যে 1 সেকেন্ডের বেশি ব্যবধানের সাথে। শর্ট সার্কিট বর্তমানের ক্ষেত্রে, ভিজিই = 15 ভি, ভিসিসি = 600 ভি এবং টিএসসি ≤ 10 μs এর অবস্থার অধীনে,সাধারণ শর্ট সার্কিট স্ট্রিম ১৫০ এ একটি প্রাথমিক জংশন তাপমাত্রা ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস এবং ১১৫ এ একটি প্রাথমিক জংশন তাপমাত্রা ১৭৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস, যা নামমাত্র বর্তমানের প্রায় ৪.৬ থেকে ৬ গুণ।

১০ মাইক্রো সেকেন্ডের উইন্ডো সুরক্ষা নকশার জন্য স্পষ্ট প্রয়োজনীয়তা নির্ধারণ করেঃ ডেস্যাচুরেশন সনাক্তকরণের জন্য ব্লাঙ্কিং সময় ১০ মাইক্রো সেকেন্ডের কম হতে হবে,এবং নরম বন্ধের ঢালটি যথেষ্ট নরম হতে হবে যাতে বন্ধের মুহুর্তে ডাই/ড্যাটটি ভ্রান্ত ইন্ডাক্ট্যান্স জুড়ে ওভারভোল্টেজকে প্ররোচিত করে এবং ভাঙ্গন ঘটায় না১০ মাইক্রন সেকেন্ডের বেশি সময় ধরে শর্ট সার্কিট অনিবার্যভাবে ব্যর্থতার দিকে পরিচালিত করবে; অতএব, এটি একটি "ঐচ্ছিক সুরক্ষা" নয় বরং একটি বাধ্যতামূলক প্রয়োজনীয়তা।এটাও লক্ষ্য করা উচিত যে 175°C এর প্রাথমিক সংযোগ তাপমাত্রায়, শর্ট সার্কিট বর্তমান হ্রাস পায় এবং উইন্ডোটি কম হয়ে যায়; অতএব, উচ্চ তাপমাত্রা, ভারী লোড অপারেটিং অবস্থার অধীনে সুরক্ষা প্রান্তিকের জন্য একটি মার্জিন অনুমোদিত হতে হবে।

VII. থার্মাল ডিজাইন এবং পাওয়ার ডিসিপিশন অনুমানIKW25N120T2

তাপীয় প্রতিরোধের Rthjc (IGBT) 0.43 K/W, ডায়োড Rthjc 0.81 K/W, এবং জংশন-টু-এম্বিওন তাপীয় প্রতিরোধের Rthja 40 K/W (একটি তাপ সিঙ্ক ছাড়া, প্রাকৃতিক convection;শুধুমাত্র রেফারেন্সের জন্য)TC = 25 °C এ, মোট শক্তি অপচয় Ptot 349 W, কেস তাপমাত্রার সাথে রৈখিকভাবে হ্রাস করা হয়।

25 A, 150 °C এবং 10 kHz এর সাধারণ অপারেটিং অবস্থার উপর ভিত্তি করে একটি মোটামুটি গণনাঃ পরিবাহিতা ক্ষতি প্রায় 25 A × 2.1 V ≈ 52.5 W এবং সুইচিং ক্ষতি প্রায় 2.9 থেকে 4 হয়।৩ এমজে × ১০ কেএইচজেড ≈ ২৯ থেকে ৪৩ ওয়াট০.৪৩ কিলোওয়াট মানের Rthjc অনুমান করা হলে, জংশন এবং কেবলমাত্র কেসের মধ্যে তাপমাত্রার পার্থক্য ৩৫ থেকে ৪১ কিলোওয়াট;যদি বাক্সের তাপমাত্রা 80 °C এ নিয়ন্ত্রিত হয়, জংশন তাপমাত্রা ইতিমধ্যে 120 থেকে 125 °C এর কাছাকাছি, 175 °C এর উপরের সীমা আগে কিছু হেডস্পেস ছেড়ে, কিন্তু এই মার্জিন 20 kHz এ দ্রুত সংকীর্ণ হবে।এটি ইঙ্গিত দেয় যে ডিভাইসটি মধ্যম ফ্রিকোয়েন্সি জড়িত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত, উচ্চ স্রোত, এবং একটি ভাল ডিজাইন তাপ sink, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি মোকাবেলা করতে একটি ছোট তাপ sink বাধ্য করার পরিবর্তে।

ডায়োডের তাপীয় প্রতিরোধের আইজিবিটি (0.81 কে / ওয়াট) এর প্রায় দ্বিগুণ; ব্রিজ সার্কিটগুলিতে যেখানে ফ্রি-হুইলিং ডিউটি চক্র উচ্চ বা পাওয়ার ফ্যাক্টর কম (যেমনউচ্চ প্রতিক্রিয়াশীল শক্তি উপাদান), ডায়োড জংশন তাপমাত্রা প্রথমে তার সীমা পৌঁছাতে পারে। একটি তাপ সিঙ্ক নির্বাচন এবং জংশন তাপমাত্রা গণনা করার সময়, ডায়োড পৃথকভাবে গণনা করা উচিত;এককভাবে আইজিবিটি এর তাপ প্রতিরোধের বক্ররেখার উপর নির্ভর করা উচিত নয়.

VIII. প্রধান নকশা বিবেচনাIKW25N120T2ড্রাইভার এবং সমান্তরাল কনফিগারেশন

গেট ড্রাইভারের জন্য, +15 V এর একটি চালু ভোল্টেজ এবং প্রায় -8 V এর একটি বন্ধ ভোল্টেজ সুপারিশ করা হয়।একটি নেতিবাচক টার্ন-অফ পক্ষপাত উল্লেখযোগ্যভাবে dv/dt-প্ররোচিত মিথ্যা ট্রিগারের প্রতিরোধের উন্নতি করে, যা 1200 ভোল্ট ডিভাইসের জন্য বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ। তথ্য শীটে সুইচিং পরামিতিগুলি RG = 16.4 Ω এর জন্য দেওয়া হয়েছে; ব্যবহারিকভাবে একটি প্রতিরোধক নির্বাচন করার সময়এই মানের চারপাশে সংশোধন করা যেতে পারে: RG বৃদ্ধি di/dt এবং স্পাইক হ্রাস করে, এবং EMI দমন করে, কিন্তু স্যুইচিং ক্ষতি বৃদ্ধি করে; RG হ্রাস বিপরীত প্রভাব আছে।টার্ন-অন সাইডে প্রতিরোধের খুব কম সেট করা উচিত নয়, অন্যথায় পিক পুনরুদ্ধার বর্তমান এবং oscillations বৃদ্ধি হবে।

TO-247 প্যাকেজের অভ্যন্তরীণ গেট প্রতিরোধের RGint হল 0, যার অর্থ হল যে পুরো গেট প্রতিরোধের বাহ্যিকভাবে সরবরাহ করা হয়, যা যথেষ্ট নকশা নমনীয়তা প্রদান করে।এটিও বোঝায় যে অভ্যন্তরীণ ডিম্পিং নেই; এমনকি সামান্য দীর্ঘ গেট সার্কিট ট্র্যাকগুলি সহজে দোলের দিকে পরিচালিত করতে পারে। অতএব, বিন্যাসটি ড্রাইভ সার্কিটটিকে ডিভাইসের যতটা সম্ভব কাছাকাছি স্থাপন করা উচিত, একটি একক পয়েন্ট গ্রাউন্ড ব্যবহার করুন,এবং পাওয়ার সার্কিট এবং গেট সার্কিট মধ্যে সংযোগ রোধঅভ্যন্তরীণ ইমিটার ইন্ডাক্ট্যান্স (LE) প্রায় 13 এনএইচ (কেস থেকে 5 মিমি পরিমাপ) । সাধারণ-ইমিটার ইন্ডাক্ট্যান্স প্রভাবের অধীনে,এই মানটি বন্ধ গতি সীমাবদ্ধ এবং ভোল্টেজ স্পাইক বৃদ্ধি হবে; এটি এমন একটি এলাকা যেখানে কেলভিন সংযোগ বা কমপ্যাক্ট বাসবারগুলি এই ধরনের প্রভাবগুলি দমন করার জন্য বিন্যাসের সময় ব্যবহার করা উচিত।

সমান্তরাল অপারেশনের ক্ষেত্রে, VCEsat এর ধনাত্মক তাপমাত্রা সহগ স্বাভাবিকভাবেই স্ট্যাটিক বর্তমান ভাগ করে নেওয়া সহজ করে তোলে, যা আনুষ্ঠানিকভাবে "সহজ সমান্তরালীকরণ" নামে পরিচিত।দুটি পয়েন্ট সমান্তরাল যখন মনোযোগ প্রয়োজন: প্রথমত, ভিজিইথের ৫.২ থেকে ৬.৪ ভোল্ট স্প্রেড চালু হওয়ার সময় সামান্য পরিবর্তনের কারণ হবে; প্রতিটি ডিভাইসের জন্য স্বতন্ত্র গেট রেজিস্টার ব্যবহার করে গতিশীল বর্তমান ভাগ করে নেওয়ার ভারসাম্য বজায় রাখতে হবে; দ্বিতীয়ত,সমান্তরালীকরণের পর, মোট Qg এবং Ciss এক্সপেনশিয়ালি বৃদ্ধি পায়, তাই ড্রাইভারের শিখর বর্তমানকে যথাযথভাবে প্রসারিত করা উচিত। একাধিক ডিভাইসের মধ্যে একটি একক গেট প্রতিরোধক ভাগ করার পরামর্শ দেওয়া হয় না।

IX. সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্পIKW25N120T2

1200 ভোল্ট, 25 এ এবং 2 থেকে 20 কিলোহার্টজ এর স্পেসিফিকেশন দেওয়া, এই ডিভাইসটি সাধারণত ব্যবহৃত হয়ঃ ইনভার্টার এবং পিএফসি পর্যায়ে অবিচ্ছিন্ন শক্তি সরবরাহ (ইউপিএস);ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার এবং সাধারণ ব্যবহারের ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টারমধ্যম থেকে কম শক্তির অর্ধ-ব্রিজ বা একক-শেষের টপোলজিগুলি আর্ক ওয়েল্ডার এবং ইনডাকশন গরম করার ক্ষেত্রে; ফোটভোলটাইক এবং শক্তি সঞ্চয়কারী সিস্টেমগুলিতে কম শক্তির গ্রিড-সংযুক্ত বা অফ-গ্রিড পর্যায়গুলি;চার্জার এবং শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহের জন্য হার্ড সুইচিং অর্ধ-ব্রিজ; এবং থ্রি-ফেজ মোটর ড্রাইভগুলিতে পাওয়ার রেঞ্জ প্রায় 1 কিলোওয়াট।

যেখানে 380 ভোল্টের একটি তিন-ফেজ সংশোধনকারী প্রায় 540 ভোল্টের একটি বাস ভোল্টেজ উত্পাদন করে, অথবা যেখানে এক-ফেজ 220 ভোল্টের সরবরাহ 400 ভোল্টের বাস পর্যন্ত বৃদ্ধি পায়, সেখানে 1,200 ভোল্ট প্রতিরোধ ভোল্টেজ, আরসিডি ক্ল্যাম্পিং বা নরম স্যুইচিংয়ের সাথে মিলিয়ে, বন্ধ হওয়া স্পাইক এবং নেটওয়ার্কের ওঠানামা পরিচালনা করতে যথেষ্ট, যা 600-V শ্রেণীর ডিভাইসগুলি অর্জন করতে পারে না।যদি বাসটি দীর্ঘ সময়ের জন্য 800V বা তার বেশি সময়ে কাজ করে, অতিরিক্ত ভোল্টেজ মার্জিন পুনরায় মূল্যায়ন করা উচিত, অথবা একটি কেলভিন ইমিটার সহ একটি চার-পিন প্যাকেজ ব্যবহার করা উচিত যা বন্ধের ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা উন্নত করে।

সংক্ষিপ্তসার:IKW25N120T2এটি একটি 1200V/25A হার্ড-সুইচিং IGBT যা একটি স্পষ্টভাবে সংজ্ঞায়িত অ্যাপ্লিকেশন এবং চমৎকার পরামিতি ধারাবাহিকতার সাথে। এর মান চরম কর্মক্ষমতা নয়, বরং স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করার ক্ষমতা,২ থেকে ২০ কিলোহার্টজ পর্যন্ত সর্বশ্রেষ্ঠ শিল্প শক্তি পরিসীমা জুড়ে নকশা এবং খরচ নিয়ন্ত্রণের সহজতা, খুব নরম মিলে যাওয়া ডায়োড, ইতিবাচক তাপমাত্রা সহগ (পিটিসি) সমান্তরালতা এবং 10 μs শর্ট সার্কিট সহ্য করার ক্ষমতা। শুধুমাত্র তার তাপমাত্রা বৈশিষ্ট্য বুঝতে,তাপীয় প্রতিরোধের বন্টন এবং জীবনচক্রের অবস্থা এই ডিভাইসটিকে তার পূর্ণ সম্ভাবনার সাথে ব্যবহার করা যেতে পারে.