কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে INFINEON IPDD60R050G7 600V এন-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET ট্রানজিস্টর

INFINEONআইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭600 ভোল্ট এন-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET ট্রানজিস্টর

পণ্যের বর্ণনাআইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭
আইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭600 ভোল্ট CoolMOSTM G7 সুপার জংশন (SJ) MOSFET এর সাথে একত্রিত হয় উপরের দিকে শীতল করার উদ্ভাবনী ধারণা,পিএফসির মতো উচ্চ বর্তমান হার্ড সুইচিং টোপোলজিগুলির জন্য একটি সিস্টেম সমাধান এবং এলএলসি টোপোলজিগুলির জন্য একটি উচ্চ-শেষ দক্ষতা সমাধান সরবরাহ করে.

স্পেসিফিকেশনআইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭
ট্রানজিস্টর মেরুকরণঃ এন-চ্যানেল
চ্যানেলের সংখ্যাঃ ১ টি চ্যানেল
Vds - ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:600 V
Id - ক্রমাগত ড্রেন স্ট্রিম:47 A
Rds On - ড্রেন-সোর্স প্রতিরোধঃ50 mOhms
Vgs - গেট-সোর্স ভোল্টেজ:- 20V, + 20V
Vgs th - গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ:3 V
Qg - গেট চার্জ:68 nC
ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:- 55 সি
সর্বাধিক অপারেটিং তাপমাত্রাঃ +১৫০ সি
Pd - পাওয়ার ডিসিপেশনঃ ২৭৮ W
চ্যানেল মোডঃউন্নয়ন
কনফিগারেশনঃ একক
পতনের সময়ঃ ৩ সেকেন্ড
পণ্যের ধরনঃMOSFETs
উত্থানের সময়ঃ ৬ সেকেন্ড
টার্ন-অফ-অফ টাইমঃ 72 ns
সাধারণত চালু করার বিলম্ব সময়ঃ ২২ সেকেন্ড
একক ওজনঃ763.560 মিলিগ্রাম

এর বৈশিষ্ট্যআইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭
শ্রেণীর সেরা FOM RDS ((on) x Eoss এবং RDS ((on) x Qg দেয়
উদ্ভাবনী উপরের দিকে শীতল ধারণা
অন্তর্নির্মিত 4th পিন কেলভিন উত্স কনফিগারেশন এবং কম পরজীবী উত্স আনয়ন
TCOB ক্ষমতা >> ২,০০০ চক্র, MSL1-সম্মত এবং মোট Pb-মুক্ত

এর উপকারিতাআইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭
সর্বোচ্চ শক্তি দক্ষতা সক্ষম
বোর্ড এবং সেমিকন্ডাক্টরের তাপীয় বিচ্ছিন্নতা তাপীয় পিসিবি সীমা অতিক্রম করতে দেয়
প্যারাসাইটিক সোর্স ইন্ডাক্ট্যান্স হ্রাস ইসিসিটি এবং ব্যবহারের সহজতা উন্নত করে
উচ্চতর শক্তি ঘনত্ব সমাধান সক্ষম
সর্বোচ্চ মানের মান অতিক্রম করা

অ্যাপ্লিকেশনআইপিডিডি৬০আর০৫০জি৭
টেলিযোগাযোগ
সার্ভার
সোলার
পিসি পাওয়ার
এসএমপিএস
১-ফেজ স্ট্রিং ইনভার্টার সমাধান
৪৮ ভোল্ট পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন
ডিআইএন রেল পাওয়ার সাপ্লাই
হাইড্রোজেন ইলেক্ট্রোলাইজ
টেলিযোগাযোগ পরিকাঠামো

প্যাকেজের রূপরেখা