কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে মিংজিয়াডা ইলেকট্রনিক্স সরবরাহ ইনফিনিয়ন IRF6894MTRPBF: 25V N-চ্যানেল HEXFET MOSFET, 1.3mΩ অতি-নিম্ন অন-প্রতিরোধ

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. দীর্ঘমেয়াদী, স্থিতিশীল সরবরাহ করে IRF6894MTRPBF উচ্চ-কার্যকারিতা N-চ্যানেল HEXFET পাওয়ার MOSFET।

IRF6894MTRPBF পণ্যের সংক্ষিপ্ত বিবরণ
IRF6894MTRPBF হল Infineon Technologies দ্বারা প্রবর্তিত একটি উচ্চ-কার্যকারিতা N-চ্যানেল MOSFET। এই পাওয়ার ডিভাইস, মডেল IRF6894MTRPBF, অসামান্য বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা প্রদানের জন্য উন্নত HEXFET প্রযুক্তি ব্যবহার করে।

Mingjiada Electronics-এর পোর্টফোলিও-এর একটি মূল পণ্য হিসাবে, IRF6894MTRPBF তার অতি-নিম্ন অন-রেসিস্ট্যান্স ১.৩mΩ-এর জন্য ব্যাপক বাজার স্বীকৃতি অর্জন করেছে। ২৫V-এর ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ রেটিং সহ, এটি মাঝারি থেকে নিম্ন ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি আদর্শ পছন্দ। IRF6894MTRPBF DirectFET MX প্যাকেজ ব্যবহার করে। এই অনন্য প্যাকেজ ডিজাইন শুধুমাত্র তাপ কর্মক্ষমতা বাড়ায় না বরং PCB ফুটপ্রিন্টও কমায়।

এর মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্যগুলি হল IRF6894MTRPBF অন্তর্ভুক্ত:
• ড্রেন-সোর্স ভোল্টেজ (Vdss): ২৫V
• অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট (Id): ৩২A (Ta), ১৬০A (Tc)
• অন-রেসিস্ট্যান্স (Rds(on)): ১.৩mΩ @ ৩৩A, ১০V
• গেট ড্রাইভ ভোল্টেজ: ৪.৫V থেকে ১০V
• অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা: -৪০°C থেকে ১৫০°C (TJ)
• প্যাকেজ প্রকার: DirectFET™ MX সারফেস মাউন্ট

বিস্তারিত প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য
নির্মাতা: Infineon Technologies
পার্ট নম্বর: IRF6894MTRPBF
ডিভাইস প্রকার: N-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET
প্রযুক্তি প্ল্যাটফর্ম: HEXFET®, DirectFET™
ব্রেকডাউন ভোল্টেজ (V_DSS): ২৫V (সর্বনিম্ন)
অন-রেসিস্ট্যান্স (R_DS(on)): ১.৩mΩ @ V_GS=১০V, I_D=২০A (সাধারণ)
অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট (I_D): ২০০A @ T_C=১০০°C, ৩২০A @ T_C=২৫°C
পালস ড্রেন কারেন্ট (I_DM): ৭৫০A @ T_pulse=১০μs, V_GS=১০V
গেট থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ (V_GS(th)): ১.৬V ~ ২.৫V (সাধারণ ২.০V)
গেট ড্রাইভ ভোল্টেজ (V_GS): প্রস্তাবিত +১০V, সর্বাধিক ±২০V
মোট গেট চার্জ (Q_g): ২৬nC @ V_GS=০V~১০V
গেট-সোর্স চার্জ (Q_gs): ১২nC
গেট-ড্রেন চার্জ (Q_gd): ৬nC
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (C_iss): ৬৮০০pF @ V_DS=১২.৫V
আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স (C_oss): ১৮০০pF @ V_DS=১২.৫V
রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিট্যান্স (C_rss): ৩৬০pF
রিভার্স রিকভারি চার্জ (Q_rr): ১২০nC (সাধারণ)
Avalanche শক্তি (E_AS): ৬০০mJ (একক পালস)
Avalanche কারেন্ট (I_AR): ২০০A
অপারেটিং তাপমাত্রা: -৫৫°C থেকে +১৭৫°C (জংশন তাপমাত্রা)
প্যাকেজ প্রকার: DirectFET™ মিডিয়াম ক্যান
প্যাকেজের মাত্রা: ৭.০মিমি × ৬.০মিমি × ০.৭মিমি
পিন সংখ্যা: ৭+১ (৭টি কার্যকরী পিন + ১টি তাপ প্যাড)
থার্মাল রেজিস্ট্যান্স (R_thJC): ০.৫°C/W (নিচে) + ১.২°C/W (উপরে)
AEC-Q101: গ্রেড ০ পাস করেছে
ESD রেটিং: HBM ক্লাস ১C (১০০০V~২০০০V)
RoHS স্ট্যাটাস: RoHS3 কমপ্লায়েন্ট, Pb-মুক্ত
হ্যালোজেন-মুক্ত: হ্যাঁ

IRF6894MTRPBF পণ্যের বৈশিষ্ট্য:
IR-এর পরবর্তী প্রজন্মের সিলিকন প্রযুক্তি ব্যবহার করে
১২V ইনপুট সিঙ্ক্রোনাস বাক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য সর্বোত্তম দক্ষতা প্রদান করে

IRF6894MTRPBF অ্যাপ্লিকেশন:
পরবর্তী প্রজন্মের সার্ভার, ডেস্কটপ কম্পিউটার এবং নোটবুক পিসি

ক্রয় তথ্য
পার্ট নম্বর: IRF6894MTRPBF
নির্মাতা: Infineon Technologies
ডিভাইস প্রকার: N-চ্যানেল HEXFET MOSFET
প্রযুক্তি প্ল্যাটফর্ম: DirectFET™ মিডিয়াম ক্যান
AEC-Q101: গ্রেড ০ পাস করেছে
RoHS স্ট্যাটাস: RoHS3 কমপ্লায়েন্ট, Pb-মুক্ত
ন্যূনতম অর্ডারের পরিমাণ: নমনীয় সমর্থন, নমুনা উপলব্ধ
উপলভ্যতা: স্টক উপলব্ধ, একই দিনের শিপিং
মূল্যের সীমা: ক্রয়ের পরিমাণের উপর ভিত্তি করে স্তরযুক্ত মূল্য

সম্পর্কিত অনুসন্ধান বা ক্রয়ের প্রয়োজনে IRF6894MTRPBF, অনুগ্রহ করে যে কোনো সময় আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন:
ফোন: +৮৬ ১৩৪১০018555
ইমেল: sales@hkmjd.com
হোমপেজ: https://www.integrated-ic.com/