কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে মিংজিয়াদা ইনফিনিয়ন IMZC120R007 সিলিকন কার্বাইড MOSFETs এর বড় সরবরাহঃ 1200V / 7mΩ, TO-247-4 প্যাকেজ, শেঞ্জেন স্টক সরবরাহ

শেনজেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড (মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স), ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির একটি পেশাদার পরিবেশক হিসাবে, দীর্ঘকাল ধরে আসল ইনফিনিয়ন কুলসিক (CoolSiC™) সিরিজের সিলিকন কার্বাইড (SiC) MOSFET সরবরাহ করে আসছে। এদের মধ্যে, IMZC120R007 (সম্পূর্ণ মডেল নম্বর: IMZC120R007M2H) ইনফিনিয়নের দ্বিতীয় প্রজন্মের কুলসিক (CoolSiC™) প্রযুক্তি প্ল্যাটফর্মের একটি ফ্ল্যাগশিপ পণ্য। মিংজিয়াদা শেনজেনে একটি স্থিতিশীল স্টক বজায় রাখে, যা ছোট ব্যাচের নমুনা এবং বড় আকারের উৎপাদনের জন্য দ্রুত সরবরাহ সমর্থন করে, গ্রাহকদের দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর সমাধান প্রদান করে।

I. পণ্যের সংক্ষিপ্ত বিবরণ

The IMZC120R007 হল ইনফিনিয়ন টেকনোলজিস দ্বারা চালু করা একটি 1200V সিলিকন কার্বাইড (SiC) পাওয়ার MOSFET, যা কুলসিক (CoolSiC™) G2 (দ্বিতীয় প্রজন্ম) সিরিজের অন্তর্গত। উন্নত ট্রেঞ্চ গেট প্রযুক্তি ব্যবহার করে এবং SiC ক্ষেত্রে ইনফিনিয়নের বিস্তৃত দক্ষতার উপর নির্ভর করে, এই ডিভাইসটি অত্যন্ত কম অন-রেজিস্ট্যান্স (RDS(on)) এবং অতি-উচ্চ সুইচিং গতি অর্জন করে, পাশাপাশি চমৎকার উচ্চ-তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতাও প্রদান করে।

এই মডেলটি একটি TO-247-4 পিন প্যাকেজ (চার-পিন কেলভিন সোর্স) ব্যবহার করে, যা ঐতিহ্যবাহী তিন-পিন প্যাকেজের তুলনায় ড্রাইভ সার্কিটে সাধারণ-সোর্স ইন্ডাকট্যান্সকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে, সুইচিং কর্মক্ষমতা উন্নত করে এবং সুইচিং লস কমায়, যা এটিকে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-দক্ষতা পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে। এর গ্লোবাল প্রকিউরমেন্ট নেটওয়ার্ক এবং শেনজেন ডিস্ট্রিবিউশন সেন্টার ব্যবহার করে, মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স বিভিন্ন শিল্প এবং স্বয়ংচালিত-গ্রেডের অ্যাপ্লিকেশনগুলির চাহিদা মেটাতে আসল IMZC120R007 ডিভাইসগুলির স্টক নিশ্চিত করে।

II. মূল বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা

অত্যন্ত কম অন-রেজিস্ট্যান্স: 7 mΩ (RDS(on)) এর সাধারণ মান, সর্বোচ্চ 9 mΩ (25°C এ), যা কন্ডাকশন লস উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করে

উচ্চ ব্লকিং ভোল্টেজ: 1200 V VDS, উচ্চ-ভোল্টেজ বাসবার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে এবং 800 V বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং ফটোভোলটাইক সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত

কম সুইচিং লস: SiC উপাদানের চমৎকার উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্যের কারণে, সুইচিং লস সমতুল্য স্পেসিফিকেশনের সিলিকন-ভিত্তিক IGBT-এর তুলনায় অনেক কম, যা উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি (কয়েকশ kHz পর্যন্ত) সক্ষম করে এবং প্যাসিভ উপাদানগুলির আকার হ্রাস করে

প্রশস্ত অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসীমা: 175°C পর্যন্ত জাংশন তাপমাত্রা, কঠোর পরিবেশে দীর্ঘমেয়াদী নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে

TO-247-4 প্যাকেজ: কেলভিন সোর্স পিন ড্রাইভ সার্কিটে সাধারণ-সোর্স ইন্ডাকট্যান্স দূর করে, দ্রুত সুইচিং ট্রানজিশন এবং কম রিংগিং সক্ষম করে, যার ফলে গেট ড্রাইভের নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হয়

ইন্টিগ্রেটেড বডি ডায়োড: কম রিভার্স রিকভারি চার্জ (Qrr) বৈশিষ্ট্যযুক্ত, বাহ্যিক ফ্রীহুইলিং ডায়োডের প্রয়োজন ছাড়াই লসলেস রিভার্স কন্ডাকশন সক্ষম করে (সিঙ্ক্রোনাস রেকটিফিকেশন টপোলজির জন্য উপযুক্ত)

উচ্চ অ্যাভাল্যাঞ্চ প্রতিরোধ: সিস্টেমের দৃঢ়তা বৃদ্ধি করে উচ্চ অ্যাভাল্যাঞ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে

স্ট্যান্ডার্ড গেট ড্রাইভ ভোল্টেজের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ: 0 V থেকে 18 V গেট ড্রাইভ সমর্থন করে (প্রস্তাবিত টার্ন-অন ভোল্টেজ 15 V), বিদ্যমান ড্রাইভারগুলির সাথে সামঞ্জস্যতা নিশ্চিত করে

AEC-Q101 স্বয়ংচালিত মান (স্বয়ংচালিত-গ্রেডের মডেলগুলির জন্য) মেনে চলে বা শিল্প-গ্রেডের নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে

III. বিস্তারিত স্পেসিফিকেশন

IMZC120R007 (IMZC120R007M2H) এর মূল প্রযুক্তিগত স্পেসিফিকেশনগুলি নিম্নরূপ:

পণ্যের ধরণ: সিলিকন কার্বাইড MOSFET

প্যাকেজ / হাউজিং: PG-TO247-4-U07

চ্যানেলের সংখ্যা: 1 চ্যানেল

Vds – ড্রেন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 1.2 kV

Id – অবিচ্ছিন্ন ড্রেন কারেন্ট: 201 A

Rds On – ড্রেন-সোর্স অন-রেজিস্ট্যান্স: 20 mOhms

Vgs – গেট-সোর্স ভোল্টেজ: -10 V, +25 V

Vgs th – গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 5.1 V

Qg – গেট চার্জ: 176 nC

ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা: -55 °C

সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: +175 °C

Pd – পাওয়ার ডিসিপেশন: 711 W

ব্র্যান্ডের নাম: CoolSiC

কনফিগারেশন: এনহ্যান্সমেন্ট

ফল টাইম: 33.6 ns

ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাকট্যান্স – ন্যূনতম: 60 S

রাইজ টাইম: 21.5 ns

সিরিজ: CoolSiC G2

ট্রানজিস্টর পোলারিটি: N-চ্যানেল

ট্রানজিস্টর ধরণ: 1 N-চ্যানেল

ধরণ: SiC MOSFET

সাধারণ টার্ন-অফ ডিলে: 76.3 ns

সাধারণ টার্ন-অন ডিলে: 32.4 ns

IV. সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

1200 V/7 mΩ এর চমৎকার পারফরম্যান্স সহ, IMZC120R007 পাওয়ার রূপান্তর সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত যেখানে দক্ষতা, পাওয়ার ঘনত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতার জন্য অত্যন্ত উচ্চ প্রয়োজনীয়তা রয়েছে, বিশেষ করে নিম্নলিখিতগুলি সহ:

বৈদ্যুতিক গাড়ির চার্জিং স্টেশন: DC ফাস্ট-চার্জিং মডিউলগুলিতে PFC এবং DC-DC পর্যায়, উচ্চ-দক্ষতা, উচ্চ-পাওয়ার-ঘনত্বের ডিজাইন সক্ষম করে

PV ইনভার্টার: স্ট্রিং ইনভার্টারগুলিতে MPPT এবং ইনভার্টার পর্যায়, সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করে এবং আকার হ্রাস করে

শক্তি সঞ্চয় ব্যবস্থা (ESS): দ্বিমুখী DC-DC কনভার্টার, দক্ষ শক্তি রূপান্তর সক্ষম করে

শিল্প পাওয়ার সাপ্লাই: উচ্চ-পাওয়ার সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই যেমন সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই, টেলিযোগাযোগ পাওয়ার সাপ্লাই এবং ইলেক্ট্রোপ্লেটিং পাওয়ার সাপ্লাই

অন-বোর্ড চার্জার (OBC) এবং DC-DC কনভার্টার (স্বয়ংচালিত-গ্রেডের নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে)

ট্র্যাকশন ইনভার্টার (সহায়ক বা প্রধান ড্রাইভ, AEC-Q101 মেনে চলার প্রয়োজন)

আনইন্টারাপ্টেবল পাওয়ার সাপ্লাই (UPS) এবং অ্যাক্টিভ পাওয়ার ফিল্টার (APF)

V. সরবরাহ এবং পরিষেবা

মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স দীর্ঘ সময় ধরে ইনফিনিয়ন IMZC120R007 সিলিকন কার্বাইড MOSFET-এর প্রচুর পরিমাণে সরবরাহ করে আসছে। আমাদের শেনজেন গুদামে এই পণ্যগুলির একটি স্থিতিশীল স্টক রয়েছে। আমরা 100% আসল, মৌলিক পণ্যগুলির নিশ্চয়তা দিই এবং নিম্নলিখিত পরিষেবাগুলি প্রদান করি:

নমনীয় সংগ্রহ: ছোট ব্যাচের নমুনা ক্রয় এবং বড় আকারের উৎপাদন অর্ডার উভয়ই সমর্থন করে

দ্রুত ডেলিভারি: শেনজেনে স্টক আছে; অর্ডার দেওয়ার 24 ঘন্টার মধ্যে পাঠানো হয়

গ্লোবাল লজিস্টিকস: হংকং এবং শেনজেনে আমাদের গুদাম নেটওয়ার্ক ব্যবহার করে, আমরা দেশীয় এবং আন্তর্জাতিক শিপিং সমর্থন করি

সর্বশেষ ইনভেন্টরি, মূল্য নির্ধারণ, বা উদ্ধৃতি অনুরোধ করতে, অনুগ্রহ করে মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স ওয়েবসাইট (www.hkmjd.com) দেখুন অথবা আমাদের বিক্রয় দলের সাথে যোগাযোগ করুন।

যোগাযোগের তথ্য:

মোবাইল: +86 13410018555

ইমেইল: sales@hkmjd.com

ঠিকানা: রুম 1239-1241, গুওলি বিল্ডিং, ঝেনঝং রোড, ফুতিয়ান জেলা, শেনজেন, গুয়াংডং প্রদেশ

ট্যাগ: IMZC120R007M2H, IMZC120R007M2, IMZC120R007M, IMZC120R007