কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে মিংজিয়াদা সাপ্লাই ROHM গ্যালিয়াম নাইট্রাইড পাওয়ার ডিভাইস, GaN HEMT এবং GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ আইসি সরবরাহ করে

Mingjiada সরবরাহ ROHM গ্যালিয়াম নাইট্রাইড পাওয়ার ডিভাইস, সরবরাহ GaN HEMT এবং GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ আইসি

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড।[ROHM] GaN পাওয়ার ডিভাইসের দীর্ঘমেয়াদী সরবরাহকারী, যার মধ্যে রয়েছেঃ GaN HEMTs, GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ ICs, GaN গেট ড্রাইভার এবং অন্যান্য পণ্য।মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স বিস্তৃত মূলধারার মডেলগুলির স্টক রাখে এবং ছোট-বেজ নমুনা এবং বড় পরিমাণে অর্ডার উভয়ই সমর্থন করেএকটি দক্ষ সরবরাহ ব্যবস্থা দ্বারা সমর্থিত, আমরা দ্রুত পণ্য বিতরণ নিশ্চিত করি।

I. গ্যান হেলমেট
1. ১৫০ ভোল্ট গ্যান এইচইএমটি
ROHM সফলভাবে সর্বোচ্চ গেট-সোর্স নামমাত্র ভোল্টেজকে 8V পর্যন্ত বৃদ্ধি করেছে, যা এই পণ্যগুলিকে বেস স্টেশন এবং ডেটা সেন্টার সহ বিস্তৃত শিল্প সরঞ্জামগুলির জন্য আদর্শ করে তুলেছে।
2. ৬৫০ ভোল্ট গ্যান এইচইএমটি
650V রেটযুক্ত GaN ডিভাইস হিসাবে, এটি একটি শিল্প-শীর্ষস্থানীয় ফিগার অফ মেরিট (এফওএম) অর্জন করে, এটি পাওয়ার সাপ্লাই দক্ষতা উন্নত করতে সহায়তা করে যখন সুইচিং ক্ষতি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে,এর ফলে বিভিন্ন পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমে আরও দক্ষতা বৃদ্ধি সম্ভব হবে।.
মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স দ্বারা প্রস্তাবিত মডেলঃ
GNP3120TJ-Z
GNP3070TEC-Z
GNP3050TEC-Z
GNP3040TEC-Z
জিএনপি3018TF-Z

II. GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ IC
ROHM এর GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ আইসি বিভিন্ন পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স সিস্টেমের জন্য একটি আদর্শ সমাধান প্রদান করে যা উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং দক্ষতা প্রয়োজন।এই পণ্যগুলি পরবর্তী প্রজন্মের GaN HEMT পাওয়ার ডিভাইসগুলিকে গেট ড্রাইভারগুলির সাথে GaN HEMT এর কর্মক্ষমতা সর্বাধিক করার জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে. তারা 2.5V থেকে 30V পর্যন্ত একটি বিস্তৃত ইনপুট ভোল্টেজ পরিসীমা সমর্থন করে এবং বিভিন্ন নিয়ামক আইসিগুলির সাথে একত্রে ব্যবহার করা যেতে পারে।এই বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধাগুলি তাদের ঐতিহ্যগত বিচ্ছিন্ন শক্তি সুইচ যেমন সুপার-জংশন MOSFETs প্রতিস্থাপন করতে সক্ষম করে.
মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স প্রস্তাবিত মডেলঃ
BM3G115MUV-LB
BM3G107MUV-LB
BM3G005MUV-LB

III. GaN এর জন্য গেট ড্রাইভার
তাদের উচ্চ গতির সুইচিং ক্ষমতা ধন্যবাদ, GaN ডিভাইসগুলি শক্তি সঞ্চয় এবং ক্ষুদ্রীকরণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ।
ROHM-এর GaN গেট ড্রাইভারগুলি এই ডিভাইসগুলির উচ্চ-গতির সুইচিং পারফরম্যান্সকে সর্বাধিকতর করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং সংক্ষিপ্ত প্রসারণ বিলম্ব এবং সংকীর্ণ ইমপলস প্রস্থ অর্জন করে নকশাটিকে সহজ করে।
মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স দ্বারা প্রস্তাবিত মডেলঃ
বিএম৬জিডি১১বিএফজে-এলবি ₹২৫০০ ভিআরএমএস আইসোলেশন ভোল্টেজ, ১-চ্যানেল গেট ড্রাইভার, গ্যান এইচইএমটিগুলির জন্য বর্তমান আইসোলেশন সরবরাহ করে

[ROHM] GaN পাওয়ার ডিভাইস সম্পর্কে আরও তথ্যের জন্য অথবা নমুনা মূল্য সম্পর্কে জানতে দয়া করে Mingjiada Electronics ওয়েবসাইটে যান (https://www.integrated-ic.com/) সরবরাহের বিস্তারিত তথ্যের জন্য।