কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে Infineon গেট ড্রাইভার রিসাইকেল করুন: GaN HEMTs/SiC MOSFETs/আইসোলেটেড/লেভেল-শিফট গেট ড্রাইভার

Infineon গেট ড্রাইভার রিসাইকেল করুন: GaN HEMTs/SiC MOSFETs/বিচ্ছিন্ন/লেভেল-শিফট গেট ড্রাইভার

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.চীনে ইলেকট্রনিক কম্পোনেন্ট রিসাইক্লিং পরিষেবাগুলির একটি নেতৃস্থানীয় প্রদানকারী, সমস্ত ধরণের ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির পেশাদার পুনর্ব্যবহারে বিশেষজ্ঞ৷ আমরা আমাদের ক্লায়েন্টদের দক্ষ, নিরাপদ এবং অনুগত ইনভেন্টরি ম্যানেজমেন্ট সমাধান প্রদান করি।

পুনর্ব্যবহারযোগ্য বিবরণ:

1. আমরা ইলেকট্রনিক সামগ্রী, নিষ্ক্রিয় স্টক, কারখানার স্টক, ইলেকট্রনিক পণ্য স্টক, ব্যক্তিগত স্টক এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক পণ্য পুনর্ব্যবহার করি।

2. একটি শক্তিশালী আর্থিক অবস্থান, যথেষ্ট মূলধন সংরক্ষণ এবং ব্যাপক পুনর্ব্যবহারযোগ্য অভিজ্ঞতা সহ, আমরা একটি দ্রুত অন-সাইট সংগ্রহ পরিষেবা প্রদান করতে সক্ষম।

3. আমরা স্টক ম্যানেজমেন্ট সলিউশনের বিভিন্ন পরিসর অফার করি, যার মধ্যে এক-অফ বাল্ক ক্রয় বা চালানের ব্যবস্থা রয়েছে।

4. আমরা সৎ এবং নির্ভরযোগ্য পরিষেবা, পেশাদার এবং সুবিধাজনক অপারেশন এবং ন্যায্য এবং যুক্তিসঙ্গত পুনর্ব্যবহারযোগ্য মূল্য প্রদান করি।

I. কোর প্রোডাক্ট পজিশনিং এবং স্বয়ংচালিত প্রযুক্তিগত প্রয়োজনীয়তা

Infineon-এর স্বয়ংচালিত-গ্রেড গেট ড্রাইভারগুলি AEC-Q100 স্বয়ংচালিত নির্ভরযোগ্যতার মানদণ্ডে প্রত্যয়িত, -40°C থেকে 150°C এর বিস্তৃত অপারেটিং তাপমাত্রা পরিসরের জন্য উপযুক্ত, এবং উচ্চ-ভোল্টেজ হস্তক্ষেপ প্রতিরোধ, কম লেটেন্সি এবং উচ্চ শব্দ প্রতিরোধ ক্ষমতা বৈশিষ্ট্যযুক্ত, যা নতুন গাড়ির চার্জে নতুন শক্তি প্রয়োগের জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত করে তোলে। (OBC), DC/DC রূপান্তরকারী, প্রধান মোটর কন্ট্রোলার এবং উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন ইউনিট। ইন্ডাস্ট্রিয়াল-গ্রেড চালকদের তুলনায়, স্বয়ংচালিত সংস্করণগুলি উন্নত ভোল্টেজ ক্ষণস্থায়ী দমন, সাধারণ-মোড হস্তক্ষেপ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং দীর্ঘমেয়াদী উচ্চ-তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা অফার করে, যা তাদেরকে কার্যকরভাবে গাড়ির মধ্যে ভোল্টেজ ওঠানামা, ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ এবং ফ্রিকোয়েন্ট স্টার্ট-সাইকেলের মতো জটিল অপারেটিং অবস্থার সাথে মোকাবিলা করতে সক্ষম করে।

তৃতীয়-প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির স্বতন্ত্র বৈশিষ্ট্যগুলির প্রতিক্রিয়া হিসাবে, Infineon ডেডিকেটেড ড্রাইভার অপ্টিমাইজেশন বাস্তবায়ন করেছে: SiC MOSFET ড্রাইভাররা উচ্চ-ভোল্টেজ সহ্য করার ক্ষমতা, কম সুইচিং ক্ষতি এবং নেতিবাচক-ভোল্টেজ টার্ন-অফ স্থায়িত্বকে অগ্রাধিকার দেয়; GaN HEMT ড্রাইভাররা অতি-দ্রুত সুইচিং প্রতিক্রিয়া, ন্যূনতম প্রচার বিলম্ব এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যান্টি-বাউন্স ক্ষমতার উপর ফোকাস করে; একই সাথে, আইসোলেশন আর্কিটেকচার এবং লেভেল-শিফটিং প্রযুক্তির মাধ্যমে, তারা লো-ভোল্টেজ কন্ট্রোল সিগন্যাল এবং হাই-ভোল্টেজ পাওয়ার সার্কিটের মধ্যে বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা এবং ভোল্টেজ ম্যাচিংয়ের চ্যালেঞ্জগুলি সমাধান করে।

২. দুটি মূল পণ্য বিভাগ: বিচ্ছিন্ন এবং লেভেল-শিফট গেট ড্রাইভার

(1) বিচ্ছিন্ন গেট ড্রাইভার (EiceDRIVER™ সিরিজ)

Infineon এর বিচ্ছিন্ন গেট ড্রাইভার উচ্চ-ভোল্টেজ স্বয়ংচালিত পাওয়ার সিস্টেমের জন্য মূল সমাধান। মালিকানাধীন কোর-লেস ট্রান্সফরমার আইসোলেশন প্রযুক্তি এবং SOI (সিলিকন-অন-ইনসুলেটর) প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে, তারা নিয়ন্ত্রণের দিক এবং পাওয়ার সাইডের মধ্যে সম্পূর্ণ বৈদ্যুতিক বিচ্ছিন্নতা অর্জন করে, যার ফলে প্রধান নিয়ন্ত্রণ চিপের ভাঙ্গনের কারণে উচ্চ-ভোল্টেজ ক্রসস্ট্যাকের ঝুঁকি সম্পূর্ণভাবে দূর হয় এবং অটো-ভোল্টেজের জন্য উচ্চ ভোল্টেজ নিরাপত্তা মানগুলি পূরণ করে। এই সিরিজটি বিশেষভাবে SiC MOSFETs এবং উচ্চ-ভোল্টেজ GaN HEMTs-এর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং এটি 800 V হাই-ভোল্টেজ স্বয়ংচালিত প্ল্যাটফর্মের জন্য পছন্দের ড্রাইভার সলিউশন।

1. মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

আল্ট্রা-হাই আইসোলেশন এবং অ্যান্টি-হস্তক্ষেপ ক্ষমতা: পণ্যটিতে একটি শক্তিশালী ইনসুলেশন আইসোলেশন রেটিং রয়েছে এবং 300 kV/μs পর্যন্ত একটি অতি-উচ্চ CMTI (সাধারণ-মোড ট্রানজিয়েন্ট ইমিউনিটি) অর্জন করে। এটি কার্যকরভাবে SiC এবং GaN ডিভাইসের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিংয়ের কারণে সৃষ্ট গুরুতর সাধারণ-মোড ভোল্টেজের ওঠানামাকে দমন করে, ড্রাইভ সংকেত বিকৃতি এবং মিথ্যা ট্রিগারিং প্রতিরোধ করে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেটিং অবস্থার অধীনে সিস্টেমের স্থিতিশীলতা নিশ্চিত করে। এটি একটি 40V ওয়াইড-গেট অপারেটিং ভোল্টেজকেও সমর্থন করে এবং একটি নেতিবাচক-ভোল্টেজ টার্ন-অফ ড্রাইভের সাথে কনফিগার করা যেতে পারে, যার ফলে SiC MOSFET-তে টার্ন-অফ লিকেজ এবং মিথ্যা পরিবাহনের সমস্যাগুলি সম্পূর্ণরূপে সমাধান করা যায়।

উচ্চ-গতি, কম লেটেন্সি ড্রাইভ পারফরম্যান্স: প্রতিনিধিত্বমূলক স্বয়ংচালিত চিপ যেমন 1EDI60N12AF এবং 2EDR3148XQE বৈশিষ্ট্য ন্যানোসেকেন্ড-স্তরের সুইচিং প্রতিক্রিয়া, উত্থানের সময় 10 এনএসের কম এবং পতনের সময় মাত্র 9 এনএস, যেখানে চ্যানেলের 7 বিলম্বের সাথে ccura-এর মিল পাওয়া যায়। এটি তৃতীয়-প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিংয়ের ক্ষতিকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং শত শত kHz-এ উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেটিং পরিস্থিতির জন্য উপযুক্ত। এর মধ্যে, 2EDR3148XQE হল একটি ডুয়াল-চ্যানেল বিচ্ছিন্ন ড্রাইভার যার পিক আউটপুট কারেন্ট ±6.5 A পর্যন্ত, যা উচ্চ-ক্ষমতার GaN এবং SiC পাওয়ার ডিভাইস চালাতে সক্ষম।

হাই-পাওয়ার ড্রাইভ ক্ষমতা: সিরিজটি 18 A পর্যন্ত পিক আউটপুট স্রোত অফার করে, উচ্চ-শক্তির স্বয়ংচালিত SiC প্রধান ড্রাইভার এবং উচ্চ-ভোল্টেজ দ্রুত-চার্জিং GaN পাওয়ার মডিউলগুলির জন্য ড্রাইভের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। এটি ডিভাইসের চাপ কমানোর সাথে সাথে মসৃণতা, গেট দোলন এবং ভোল্টেজ স্পাইকগুলিকে দমন করার সাথে উচ্চ-কারেন্ট ড্রাইভ ক্ষমতার ভারসাম্য বজায় রাখে।

2. স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তৈরি কনফিগারেশন

ডেড-টাইম কন্ট্রোল (DTC), স্বাধীন চ্যানেল কন্ট্রোল, ওভারকারেন্ট সুরক্ষা এবং আন্ডার-ভোল্টেজ লকআউটের মতো প্রয়োজনীয় স্বয়ংচালিত ফাংশনগুলির সাথে একত্রিত, এই ডিভাইসগুলি ডুয়াল-চ্যানেল হাই-সাইড, লো-সাইড বা হাফ-ব্রিজ ড্রাইভ মোডগুলির নমনীয় কনফিগারেশনের অনুমতি দেয়, যা স্বয়ংচালিত ফুল-ব্রিজ এবং হাফ-ব্রিজ পাওয়ার টপোলজিগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে। সমস্ত ডিভাইসগুলি কঠোর AEC-Q100 গ্রেড 1 মান পূরণ করে, উচ্চ তাপমাত্রায় দীর্ঘমেয়াদী অপারেশন চলাকালীন কার্যক্ষমতার কোন অবনতি হয় না, যা তাদের সর্ব-আবহাওয়া স্বয়ংচালিত অপারেটিং অবস্থার জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

(2) লেভেল-শিফট গেট ড্রাইভার

Infineon-এর স্বয়ংচালিত-গ্রেড লেভেল-শিফটিং গেট ড্রাইভারগুলি কম খরচে, উচ্চ অভিযোজনযোগ্যতা এবং লাইটওয়েট ডিজাইন দ্বারা চিহ্নিত করা হয়, এবং একটি বিচ্ছিন্ন আর্কিটেকচারের প্রয়োজন হয় না। তারা প্রাথমিকভাবে লো-ভোল্টেজ MCU লজিক সিগন্যাল (3.3V/5V) এবং GaN HEMTs এবং SiC MOSFET-এর গেট ড্রাইভ ভোল্টেজের মধ্যে অমিল সমাধান করে, উচ্চ- এবং নিম্ন-ভোল্টেজ ডোমেনের মধ্যে সুনির্দিষ্ট স্তরের স্থানান্তর অর্জন করে। তারা স্বয়ংচালিত মাঝারি- এবং কম-ভোল্টেজ সহায়ক শক্তি সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত।

1. মূল প্রযুক্তিগত সুবিধা

সুনির্দিষ্ট লেভেল ম্যাচিং: স্ট্যান্ডার্ড 3.3V এবং 5V স্বয়ংচালিত লজিক ইনপুট সমর্থন করে, যা নির্ভরযোগ্যভাবে 10-20V পাওয়ার-সাইড ড্রাইভ ভোল্টেজে রূপান্তরিত হতে পারে। এটি GaN এবং SiC ডিভাইসের সর্বোত্তম গেট ড্রাইভ থ্রেশহোল্ডের সাথে পুরোপুরি মেলে, অপর্যাপ্ত ড্রাইভ ভোল্টেজ এবং অতিরিক্ত ভোল্টেজের ফলে ডিভাইসের বয়স বৃদ্ধির কারণে সৃষ্ট পরিবাহী ক্ষতি উভয়ই প্রতিরোধ করে।

সরল এবং দক্ষ স্থাপত্য: অ-বিচ্ছিন্ন নকশা পেরিফেরাল সার্কিটরিকে সরল করে, অতিরিক্ত বিচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ এবং অপটোকপলারের প্রয়োজনীয়তা দূর করে। এটি উল্লেখযোগ্যভাবে PCB পদচিহ্ন হ্রাস করে এবং গাড়ির মধ্যে ইলেকট্রনিক কন্ট্রোল মডিউলগুলির ভলিউম এবং ওজন হ্রাস করে, স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ক্ষুদ্রকরণ এবং একীকরণের প্রবণতার সাথে সারিবদ্ধ করে। প্রতিনিধি মডেল, যেমন IRS21867STRPBF এবং IRS2153DSTRPBF, একটি কমপ্যাক্ট SOP-8 প্যাকেজ ব্যবহার করে এবং SMT স্বয়ংক্রিয় ভর উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত।

স্থিতিশীল এবং নির্ভরযোগ্য অপারেশন: অপারেটিং ভোল্টেজ 10 V থেকে 20 V এর সাধারণ স্বয়ংচালিত পরিসরকে কভার করে। ডিভাইসগুলির চমৎকার ভোল্টেজ ক্ষণস্থায়ী সহনশীলতা রয়েছে, যা তাদের স্বয়ংচালিত পাওয়ার সরবরাহে ওঠানামা এবং হস্তক্ষেপ সহ্য করতে সক্ষম করে। দ্রুত স্যুইচিং গতি এবং কম প্রচার বিলম্বের সাথে, তারা মাঝারি থেকে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সহায়ক শক্তি সরবরাহের অপারেশনাল প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করে, যেখানে সিস্টেমের নিরাপত্তা নিশ্চিত করার জন্য অতিরিক্ত-তাপমাত্রা এবং ওভার-কারেন্ট সুরক্ষা ফাংশনগুলিও বৈশিষ্ট্যযুক্ত।

2. সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি

প্রাথমিকভাবে স্বয়ংচালিত লো-ভোল্টেজ ডিসি/ডিসি কনভার্টার, সহায়ক পাওয়ার সাপ্লাই, কম-পাওয়ার ফাস্ট-চার্জিং মডিউল এবং যানবাহনের আলো পাওয়ার সাপ্লাই-এ ব্যবহৃত হয়- এমন পরিস্থিতিতে যেখানে উচ্চ-ভোল্টেজ বিচ্ছিন্নতার প্রয়োজন হয় না। এই সমাধানগুলি নিয়ন্ত্রণ হার্ডওয়্যার খরচ দক্ষতা সর্বাধিক করে যখন ড্রাইভ কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে, স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে পাওয়ার সিস্টেম কনফিগারেশনে একটি টায়ার্ড পদ্ধতির সক্ষম করে।

III. GaN HEMT এবং SiC MOSFET ড্রাইভারদের জন্য আলাদা অভিযোজন সমাধান

1. GaN HEMT-এর জন্য অপ্টিমাইজড ডেডিকেটেড ড্রাইভার

GaN HEMT ডিভাইসে কম গেট ক্যাপ্যাসিট্যান্স এবং অত্যন্ত দ্রুত স্যুইচিং গতি রয়েছে; যাইহোক, তারা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি দোলন এবং মিথ্যা ট্রিগারিংয়ের জন্য অত্যন্ত সংবেদনশীল। Infineon GaN ডিভাইসের বৈশিষ্ট্য অনুসারে ড্রাইভার প্যারামিটারগুলিকে অপ্টিমাইজ করেছে। এই উত্সর্গীকৃত ড্রাইভারগুলি অতি-সংক্ষিপ্ত স্যুইচিং বিলম্ব, সুনির্দিষ্ট বর্তমান ড্রাইভ এবং নিম্ন পরজীবী পরামিতিগুলি অফার করে, যেখানে গেট দোলনগুলিকে কার্যকরভাবে দমন করতে প্রতিসম ইতিবাচক এবং নেতিবাচক ড্রাইভ ভোল্টেজগুলিকে সমর্থন করে। এগুলি GaN GIT এবং Schottky-gate HEMT স্ট্রাকচারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ - দুটি মূলধারার ধরন - অতিরিক্ত ম্যাচিং সার্কিট্রির প্রয়োজন ছাড়াই৷ এটি স্বয়ংচালিত GaN পাওয়ার মডিউলগুলির নকশাকে সরল করে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর দক্ষতা বাড়ায়।

2. SiC MOSFET-এর জন্য ডেডিকেটেড ড্রাইভার অপ্টিমাইজেশান

SiC MOSFETs উচ্চ ভোল্টেজ রেটিং এবং কম সুইচিং লস অফার করে, কিন্তু ড্রাইভার ভোল্টেজের স্থিতিশীলতা এবং বিচ্ছিন্নতার নিরাপত্তার উপর অত্যন্ত উচ্চ চাহিদা রাখে। Infineon-এর বিচ্ছিন্ন ড্রাইভাররা SiC ডিভাইসের জন্য উচ্চ-ভোল্টেজ অপারেটিং অবস্থার মধ্যে ক্রসস্টালক-প্ররোচিত মিথ্যা ট্রিগারিং এবং স্পাইক ওভারভোল্টেজ স্যুইচ করার মতো সমস্যাগুলি সমাধান করতে নেতিবাচক-ভোল্টেজ টার্ন-অফ প্রযুক্তি, উচ্চ CMTI হস্তক্ষেপ-প্রতিরোধী নকশা এবং উচ্চ-ভোল্টেজ বিচ্ছিন্নতা সুরক্ষা ব্যবহার করে। একটি বিস্তৃত তাপমাত্রা পরিসর জুড়ে স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা সহ, তারা নিশ্চিত করে যে স্বয়ংচালিত উচ্চ-ভোল্টেজ প্রধান ড্রাইভ সিস্টেমগুলি উচ্চ-তাপমাত্রা এবং উচ্চ-লোড পরিস্থিতিতে দক্ষতার সাথে কাজ চালিয়ে যাচ্ছে, যা গাড়ির পরিসর এবং শক্তি স্থিতিশীলতাকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে।

IV মূল স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

1. নতুন শক্তির যানবাহনের জন্য উচ্চ-ভোল্টেজ প্রধান ড্রাইভ সিস্টেম: 800V উচ্চ-ভোল্টেজ প্ল্যাটফর্মের প্রধান মোটর কন্ট্রোলারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ বিচ্ছিন্ন SiC গেট ড্রাইভার ব্যবহার করা গাড়ির শক্তি প্রতিক্রিয়া গতি এবং শক্তি দক্ষতা বাড়াতে মোটর ড্রাইভের ক্ষতি হ্রাস করে।

2. অন-বোর্ড ফাস্ট চার্জিং (OBC) সিস্টেম: বিচ্ছিন্ন হাই-স্পিড গেট ড্রাইভারগুলির সাথে যুক্ত উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি GaN পাওয়ার মডিউলগুলি উচ্চ-শক্তির দ্রুত চার্জিংয়ের জন্য উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-দক্ষতা রূপান্তর করতে সক্ষম করে, উচ্চ-ভোল্টেজ চার্জিং নিরাপত্তা নিশ্চিত করার সময় চার্জ করার সময়কে ছোট করে।

3. অন-বোর্ড হাই- এবং লো-ভোল্টেজ DC/DC কনভার্টার: SiC ডিভাইসগুলির সাথে কাজ করার জন্য উচ্চ-ভোল্টেজের দিকে বিচ্ছিন্ন ড্রাইভারগুলি ব্যবহার করা হয়, যখন লেভেল-শিফটিং ড্রাইভারগুলি কম-ভোল্টেজ সহায়ক দিকে নিযুক্ত করা হয়, কর্মক্ষমতা এবং খরচের ভারসাম্য বজায় রাখে যাতে পুরো গাড়িতে স্থিতিশীল ভোল্টেজ রূপান্তর নিশ্চিত করা যায়।

4. অন-বোর্ড এনার্জি স্টোরেজ এবং হাই-ভোল্টেজ পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন ইউনিট: উচ্চ-বিচ্ছিন্নতা এবং উচ্চ-অনাক্রম্যতা ড্রাইভ বৈশিষ্ট্যগুলি ব্যবহার করে, এগুলি উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার সার্কিটের সুইচিং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে এবং গাড়ির বৈদ্যুতিক সিস্টেমের নিরাপত্তা বাড়ায়।