Recycle MACOM GaN Product: GaN MMIC, GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ার
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,চীনের শীর্ষস্থানীয় ইলেকট্রনিক উপাদান পুনর্ব্যবহার পরিষেবা প্রদানকারী হিসাবে, এর বিস্তৃত শিল্প অভিজ্ঞতা এবং বিশ্বব্যাপী পুনর্ব্যবহার নেটওয়ার্ক ব্যবহার করে পেশাদার পুনর্ব্যবহার পরিষেবা সরবরাহ করে, যা ক্লায়েন্টদের ইনভেন্টরি সম্পদকে অপটিমাইজ করতে এবং নগদ প্রবাহ উন্নত করতে সহায়তা করে।
পুনর্ব্যবহৃত পণ্যগুলির মধ্যে রয়েছে:5G চিপস, নতুন শক্তি আইসি, IoT আইসি, ব্লুটুথ আইসি, যানবাহন নেটওয়ার্কিং আইসি, স্বয়ংচালিত-গ্রেড আইসি, যোগাযোগ আইসি, কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা আইসি, ইত্যাদি। এছাড়াও, কোম্পানি মেমরি আইসি, সেন্সর আইসি, মাইক্রোকন্ট্রোলার আইসি, ট্রান্সিভার আইসি, ইথারনেট আইসি, ওয়াইফাই চিপস, ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল, সংযোগকারী এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহ করে।
পুনর্ব্যবহার প্রক্রিয়া:
1. পরামর্শ: আপনার যদি ইনভেন্টরি ইলেকট্রনিক উপাদান থাকে যা নিষ্পত্তি করার প্রয়োজন, তাহলে আপনি যে আইসি/মডিউলগুলি বিক্রি করতে চান তার একটি তালিকা সহ একটি ইমেল পাঠাতে পারেন।
2. অন-সাইট পুনর্ব্যবহার: আমাদের কোম্পানি আপনার ইনভেন্টরি ইলেকট্রনিক উপাদানগুলি সংগ্রহ করতে এবং উপাদানগুলির প্রাথমিক পরীক্ষা এবং শ্রেণীবিভাগ করতে পেশাদার কর্মীদের পাঠাবে।
3. উদ্ধৃতি: কোম্পানি পুনর্ব্যবহৃত উপাদানগুলির প্রকার, পরিমাণ এবং গুণমান সহ বিভিন্ন কারণের উপর ভিত্তি করে একটি সংশ্লিষ্ট পুনর্ব্যবহার মূল্য সরবরাহ করবে।
4. নিষ্পত্তি: উভয় পক্ষ যদি একটি চুক্তিতে পৌঁছে তবে ডেলিভারির জন্য নির্দিষ্ট লেনদেন পদ্ধতি নিয়ে আলোচনা করা যেতে পারে।
MACOM Gallium Nitride MMIC পণ্য
MACOM-এর GaN MMIC পণ্যের পোর্টফোলিও শিল্পের পারফরম্যান্সের অগ্রণী প্রতিনিধিত্ব করে। GaN-on-SiC (সিলিকন কার্বাইড-ভিত্তিক GaN) এবং GaN-on-Si (সিলিকন-ভিত্তিক GaN) প্রক্রিয়া প্রযুক্তি গ্রহণ করে, MACOM ফেজড অ্যারে রাডার থেকে স্যাটেলাইট যোগাযোগ এবং নির্ভুল পরীক্ষা ও পরিমাপ সরঞ্জাম পর্যন্ত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পরবর্তী প্রজন্মের সিস্টেম আর্কিটেকচার সমর্থন করে।
MACOM-এর GaN MMIC পণ্যগুলির মধ্যে প্রধানত নিম্নলিখিত বিভাগগুলি অন্তর্ভুক্ত রয়েছে:
GaN ডিস্ট্রিবিউটেড এমপ্লিফায়ার
অতি-প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ কর্মক্ষমতা: DC থেকে 40GHz বা উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড কভার করে, চমৎকার লাভ ফ্ল্যাটনেস সহ (সাধারণ মান ±1dB এর মধ্যে), ইলেকট্রনিক যুদ্ধ, ব্রডব্যান্ড যোগাযোগ এবং পরীক্ষা ও পরিমাপের মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির প্রশস্তব্যান্ড প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে।
উচ্চ পাওয়ার ঘনত্ব: GaN উপাদানের উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে, এটি একই চিপ এলাকায় ঐতিহ্যবাহী GaAs ডিভাইসের চেয়ে 3-5 গুণ বেশি আউটপুট পাওয়ার সরবরাহ করে, যেখানে সাধারণ পাওয়ার ঘনত্ব 4-6 W/mm পর্যন্ত পৌঁছায়
চমৎকার লিনিয়ারিটি: OIP3 সাধারণত 35 dBm অতিক্রম করে, জটিল মডুলেটেড সংকেতের উচ্চ-বিশ্বস্ততা বিবর্ধনের জন্য উপযুক্ত
তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা: অন্তর্নির্মিত তাপমাত্রা সেন্সিং এবং ক্ষতিপূরণ সার্কিটগুলি -40°C থেকে +85°C পর্যন্ত বিস্তৃত তাপমাত্রা পরিসরে স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে
কমপ্যাক্ট প্যাকেজিং: প্রধানত QFN বা সিরামিক সারফেস-মাউন্ট প্যাকেজিং ব্যবহার করে, যা সহজে সিস্টেম ইন্টিগ্রেশনের জন্য একটি কমপ্যাক্ট আকার প্রদান করে
Gallium Nitride ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল
উচ্চ সমন্বিত ডিজাইন: একক মডিউল ট্রান্সমিট/রিসিভ ফাংশন (LNA, PA, সুইচ, ইত্যাদি) একত্রিত করে, যা বোর্ড স্থান এবং ইন্টারকানেক্ট ক্ষতি হ্রাস করে
চমৎকার পাওয়ার দক্ষতা: সামগ্রিক দক্ষতা 30-45% পর্যন্ত, যা সিস্টেমের বিদ্যুতের ব্যবহার এবং তাপীয় প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে
প্রশস্তব্যান্ড কভারেজ: UHF থেকে Ka ব্যান্ড পর্যন্ত একাধিক ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড কনফিগারেশন সমর্থন করে
উচ্চ লিনিয়ার পারফরম্যান্স: অপটিমাইজড সার্কিট ডিজাইন জটিল মডুলেটেড সংকেতের অধীনে মডিউল লিনিয়ারিটি নিশ্চিত করে, চমৎকার ACLR এবং EVM মেট্রিক্স সহ
সরলীকৃত সিস্টেম ডিজাইন: অন্তর্নির্মিত ম্যাচিং নেটওয়ার্ক এবং বায়াস সার্কিট বাহ্যিক উপাদানের সংখ্যা হ্রাস করে
এই উচ্চ-শ্রেণীর GaN MMIC পণ্যগুলি সাধারণত 5G যোগাযোগ বেস স্টেশনগুলিতে (বিশেষ করে মিলিমিটার ওয়েভ ব্যান্ডে বৃহৎ আকারের MIMO সক্রিয় অ্যান্টেনা সিস্টেম), সামরিক রাডার সিস্টেমে (X-ব্যান্ড এবং Ku-ব্যান্ড ফেজড অ্যারে রাডারের জন্য TR মডিউল), স্যাটেলাইট যোগাযোগ টার্মিনালগুলিতে (পোর্টেবল এবং যানবাহন-মাউন্টেড ডিভাইস), এবং গুরুত্বপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ইলেকট্রনিক কাউন্টারমেজার সরঞ্জামগুলিতে পাওয়া যায়।
MACOM GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ার
GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ারগুলি MACOM-এর MMIC পণ্য লাইনের সবচেয়ে প্রযুক্তিগতভাবে উন্নত এবং অ্যাপ্লিকেশন-মূল্যবান পণ্যের বিভাগ। এই পণ্যগুলি ঐতিহ্যবাহী সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলির জন্য মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ডে উচ্চ পাওয়ার আউটপুট এবং দক্ষতা অর্জনের জন্য GaN উপাদানের উচ্চ ব্রেকডাউন ফিল্ড শক্তি এবং উচ্চ ইলেকট্রন স্যাচুরেশন বেগ বৈশিষ্ট্যগুলি সম্পূর্ণরূপে ব্যবহার করে যা মেলে কঠিন।
MACOM GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ারগুলির প্রধান প্রকার:
প্রযুক্তিগত কর্মক্ষমতা বৈশিষ্ট্য
উচ্চ আউটপুট পাওয়ার: C-ব্যান্ডে কয়েকশ ওয়াট পালসড পাওয়ার আউটপুট এবং X-ব্যান্ডে কয়েক ডজন ওয়াট অবিচ্ছিন্ন ওয়েভ পাওয়ার অর্জন করে, যার পাওয়ার ঘনত্ব GaAs এবং Si LDMOS ডিভাইসগুলির চেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি
উচ্চ দক্ষতা অপারেশন: হারমোনিক টিউনিং এবং এনভেলপ ট্র্যাকিংয়ের মতো উন্নত প্রযুক্তি ব্যবহার করে, 50-60% পাওয়ার অ্যাডেড দক্ষতা (PAE) অর্জন করে, যা সিস্টেমের শক্তি খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে
প্রশস্ত ব্যান্ডউইথ ক্ষমতা: তাৎক্ষণিক ব্যান্ডউইথ কেন্দ্র ফ্রিকোয়েন্সির 10-15% পর্যন্ত পৌঁছতে পারে, যা প্রশস্তব্যান্ড সংকেত বিবর্ধন সমর্থন করে এবং ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড স্যুইচিংয়ের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে
উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা: ব্যর্থতার গড় সময় (MTTF) 1 মিলিয়ন ঘণ্টার বেশি, যা মহাকাশ এবং প্রতিরক্ষা অ্যাপ্লিকেশনগুলির কঠোর প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে
তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা: জংশন তাপমাত্রা অপারেটিং পরিসীমা 225°C পর্যন্ত, উচ্চ তাপমাত্রায় ন্যূনতম কর্মক্ষমতা হ্রাস সহ, উচ্চ পাওয়ার ঘনত্ব অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন ক্ষেত্র
রাডার সিস্টেম: সামরিক ফায়ার কন্ট্রোল রাডার, আবহাওয়া রাডার এবং এয়ার ট্রাফিক কন্ট্রোল রাডারের জন্য চূড়ান্ত-পর্যায়ের পাওয়ার বিবর্ধন, যা সনাক্তকরণ পরিসীমা এবং রেজোলিউশন বৃদ্ধি করে
5G ম্যাক্রো বেস স্টেশন: 3.5 GHz এবং 4.9 GHz ব্যান্ডে উচ্চ-পাওয়ার রিমোট রেডিও ইউনিট (RRU), GaN PA সহ যা উচ্চ দক্ষতা প্রদান করে বেস স্টেশনের শক্তি খরচ এবং অপারেশনাল খরচ কমাতে
স্যাটেলাইট যোগাযোগ: গ্রাউন্ড স্টেশনগুলির জন্য উচ্চ-পাওয়ার এমপ্লিফায়ার (HPA), Q/V ব্যান্ডে উচ্চ-থ্রুপুট স্যাটেলাইট যোগাযোগ সমর্থন করে
ইলেকট্রনিক যুদ্ধ ব্যবস্থা: উচ্চ-পাওয়ার জ্যামিং ট্রান্সমিটারের মূল উপাদান, যা শত্রু যোগাযোগ এবং রাডার সিস্টেমের কার্যকর দমন সক্ষম করে
শিল্প গরম: মাইক্রোওয়েভ শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য পাওয়ার উত্স, উপাদান প্রক্রিয়াকরণ এবং খাদ্য প্রক্রিয়াকরণ শিল্পে ব্যবহৃত হয়, অন্যদের মধ্যে
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!
