কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে রিসাইকেল Qorvo GaN প্রোডাক্ট:GaN RF ট্রানজিস্টর,GaN সুইচ,GaN পাওয়ার এম্প্লিফায়ার,GaN ফ্রন্ট এন্ড মডিউল

Recycle Qorvo GaN Product: Qorvo GaN পণ্য রিসাইকেল করুন: GaN RF ট্রানজিস্টর, GaN সুইচ, GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ার, GaN ফ্রন্ট এন্ড মডিউল

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.চীনের একটি শীর্ষস্থানীয় ইলেকট্রনিক উপাদান রিসাইক্লিং পরিষেবা প্রদানকারী, যা বিভিন্ন ধরণের ইলেকট্রনিক উপাদানের পেশাদার রিসাইক্লিং পরিষেবা প্রদানে বিশেষজ্ঞ, গ্রাহকদের দক্ষ, নিরাপদ এবং সঙ্গতিপূর্ণ ইনভেন্টরি ম্যানেজমেন্ট সমাধান সরবরাহ করে।

রিসাইকেল করা পণ্যের বিভাগ:ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপস, 5G চিপস, নতুন শক্তি আইসি, IoT আইসি, ব্লুটুথ আইসি, ভেহিকেল-টু-এভরিথিং (V2X) আইসি, অটোমোটিভ-গ্রেড আইসি, কমিউনিকেশন আইসি, আর্টিফিশিয়াল ইন্টেলিজেন্স (AI) আইসি ইত্যাদি। এছাড়াও, আমরা মেমরি আইসি, সেন্সর আইসি, মাইক্রোকন্ট্রোলার আইসি, ট্রান্সিভার আইসি, ইথারনেট আইসি, Wi-Fi চিপস, ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল, সংযোগকারী এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহ করি।

রিসাইক্লিংয়ের বিস্তারিত:

1. ইলেকট্রনিক উপাদান, অব্যবহৃত উপাদান, কারখানার ইনভেন্টরি, ইলেকট্রনিক ইনভেন্টরি, ব্যক্তিগত ইনভেন্টরি ইত্যাদি রিসাইক্লিং।

2. শক্তিশালী আর্থিক শক্তি এবং পর্যাপ্ত তহবিল, ব্যাপক রিসাইক্লিং অভিজ্ঞতা সহ, যা দ্রুত অন-সাইট রিসাইক্লিং সক্ষম করে।

3. গ্রাহকদের পছন্দের জন্য বিভিন্ন ইনভেন্টরি ম্যানেজমেন্ট সমাধান সরবরাহ করা। আমরা হয় একবারে বাল্ক ইনভেন্টরি কিনতে পারি বা কনসাইনমেন্ট বিক্রয় অফার করতে পারি।

4. সৎ, নির্ভরযোগ্য এবং বিশ্বাসযোগ্য, পেশাদার এবং সুবিধাজনক পরিষেবা এবং যুক্তিসঙ্গত রিসাইক্লিং মূল্য সহ।

Gallium Nitride RF Transistors

Qorvo-এর গ্যালিয়াম নাইট্রাইড RF ট্রানজিস্টরগুলি উন্নত সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট GaN-on-SiC প্রযুক্তি ব্যবহার করে, যা GaN উপাদানের উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা এবং SiC সাবস্ট্রেটের চমৎকার তাপ পরিবাহিতা একত্রিত করে, যা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-ক্ষমতার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যতিক্রমী কর্মক্ষমতা প্রদান করে। এই ডিভাইসগুলি সাধারণত L-ব্যান্ড থেকে Ka-ব্যান্ড (1-40 GHz) পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সি রেঞ্জে কাজ করে, যার আউটপুট পাওয়ার কয়েকশ ওয়াট পর্যন্ত এবং পাওয়ার অ্যাডেড দক্ষতা (PAE) 60% এর বেশি, যা ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক LDMOS ডিভাইসগুলির চেয়ে উল্লেখযোগ্যভাবে ভালো পারফর্ম করে।

Qorvo-এর GaN RF ট্রানজিস্টরগুলির মধ্যে রয়েছে:

উচ্চ-ক্ষমতার GaN সুইচ: ফেজড অ্যারে রাডার সিস্টেম এবং ইলেকট্রনিক যুদ্ধ সরঞ্জামে ব্যবহৃত হয়, যা ন্যানোসেকেন্ড-স্তরের সুইচিং গতি এবং অত্যন্ত উচ্চ পাওয়ার হ্যান্ডলিং ক্ষমতা প্রদান করে। উদাহরণস্বরূপ, Qorvo-এর QPD1000 সিরিজের GaN সুইচগুলি উদ্ভাবনী সোল্ডারলেস প্যাকেজিং প্রযুক্তি ব্যবহার করে, যা X-ব্যান্ডে 100W এর বেশি পিক পাওয়ার পরিচালনা করতে সক্ষম, যার সন্নিবেশ ক্ষতি 0.5dB এর নিচে এবং আইসোলেশন 35dB এর বেশি।

RF পাওয়ার ট্রানজিস্টর: 5G ম্যাসিভ MIMO বেস স্টেশন এবং স্যাটেলাইট কমিউনিকেশন গ্রাউন্ড স্টেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা উচ্চ লিনিয়ারিটি এবং ব্যতিক্রমী তাপীয় স্থিতিশীলতা প্রদান করে। একটি সাধারণ উদাহরণ হল Qorvo-এর QPA2211 GaN পাওয়ার ট্রানজিস্টর, যা 2.6GHz-এ 20W অবিচ্ছিন্ন ওয়েভ আউটপুট পাওয়ার প্রদান করে, যার পাওয়ার লাভ 16dB, যা এটিকে বৃহৎ আকারের অ্যারে অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

Gallium Nitride Power Amplifiers

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড পাওয়ার এমপ্লিফায়ারগুলি Qorvo-এর RF পণ্যের লাইনের একটি মূল পণ্য বিভাগ, যা 5G বেস স্টেশন, মাইক্রোওয়েভ ব্যাকhaul, রাডার এবং ইলেকট্রনিক কাউন্টারমেজার সিস্টেমগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। ঐতিহ্যবাহী সমাধানগুলির তুলনায়, GaN PA গুলি বৃহত্তর ব্যান্ডউইথ, উচ্চতর দক্ষতা এবং আরও কমপ্যাক্ট আকার প্রদান করে, যা উল্লেখযোগ্যভাবে সিস্টেমের বিদ্যুতের ব্যবহার এবং অপারেটিং খরচ কমিয়ে দেয়।

Qorvo GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ারের প্রকারগুলির মধ্যে রয়েছে:

ব্রডব্যান্ড পাওয়ার এমপ্লিফায়ার: একাধিক অক্টেভ কভার করে, ইলেকট্রনিক যুদ্ধ এবং মাল্টি-ফাংশনাল রাডার সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত। উদাহরণস্বরূপ, Qorvo QPA1022 GaN PA 2-18GHz পরিসরে 10W স্যাচুরেটেড আউটপুট পাওয়ার প্রদান করে, যার পাওয়ার অ্যাডেড দক্ষতা 30% এর বেশি, এবং সিস্টেম ইন্টিগ্রেশন সহজ করার জন্য একটি 7x7mm সারফেস-মাউন্ট প্যাকেজ ব্যবহার করে।

উচ্চ-লিনিয়ারিটি PA গুলি: 5G NR স্ট্যান্ডার্ডের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে, কঠোর ACPR এবং EVM প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে। Qorvo-এর QPA4501 GaN PA বিশেষভাবে 3.5 GHz ব্যান্ডের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা 100 MHz তাৎক্ষণিক ব্যান্ডউইথে 50W পিক পাওয়ার সরবরাহ করে যার ত্রুটি ভেক্টর ম্যাগনিটিউড (EVM) 1.5% এর নিচে, যা এটিকে বৃহৎ আকারের MIMO অ্যান্টেনা অ্যারেগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে।

মিলমিটার-ওয়েভ ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল: সমন্বিত GaN PA, লো-নয়েজ এমপ্লিফায়ার (LNA), এবং সুইচ, অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি Q-ব্যান্ড (30-50GHz) পর্যন্ত বিস্তৃত। উদাহরণস্বরূপ, 5G FWA (Fixed Wireless Access) টার্মিনালের জন্য Qorvo QPF7250 ফ্রন্ট-এন্ড মডিউলটিতে একটি উচ্চ-দক্ষতা সম্পন্ন GaN PA এবং একটি ব্রডব্যান্ড LNA অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, যা 24-30GHz ফ্রিকোয়েন্সি ব্যান্ড সমর্থন করে যার আউটপুট পাওয়ার 27dBm পর্যন্ত এবং নয়েজ ফিগার 3dB এর নিচে।

GaN Front-End Modules

GaN ফ্রন্ট-এন্ড মডিউলগুলি Qorvo দ্বারা সিস্টেম-স্তরের ইন্টিগ্রেশনে একটি প্রযুক্তিগত অগ্রগতি উপস্থাপন করে, যা একটি একক প্যাকেজে GaN পাওয়ার এমপ্লিফায়ার, লো-নয়েজ এমপ্লিফায়ার, সুইচ, ফিল্টার এবং কন্ট্রোল সার্কিটগুলিকে একত্রিত করে, যা RF সিস্টেম ডিজাইনকে উল্লেখযোগ্যভাবে সহজ করে তোলে। এই ধরনের অত্যন্ত সমন্বিত সমাধানগুলি 5G স্মার্টফোন, ছোট সেল এবং IoT ডিভাইসগুলিতে গ্রহণকে ত্বরান্বিত করছে।

Qorvo GaN ফ্রন্ট-এন্ড মডিউলগুলির মধ্যে রয়েছে:

5G মিলিমিটার-ওয়েভ FEM: n257/n258/n260-এর মতো 5G মিলিমিটার-ওয়েভ ব্যান্ড সমর্থন করে, সাধারণত একটি কমপ্যাক্ট ডিজাইনের জন্য AiP (Antenna in Package) প্রযুক্তি ব্যবহার করে। উদাহরণস্বরূপ, Qorvo QPM2630 মিলিমিটার-ওয়েভ ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল দুটি ট্রান্সমিট চ্যানেল এবং একটি রিসিভ চ্যানেলকে একত্রিত করে, যা 24 থেকে 30 GHz পর্যন্ত ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করে, প্রতিটি TX চ্যানেল 18 dBm পর্যন্ত আউটপুট পাওয়ার সরবরাহ করে, যা এটিকে স্মার্টফোন এবং CPE ডিভাইসগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

Wi-Fi 6/6E ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল: উচ্চ-থ্রুপুট প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য GaN প্রযুক্তি এবং উন্নত ফিল্টারিং একত্রিত করে। Qorvo QPF4526 FEM 2.4 GHz এবং 5 GHz-এ ডুয়াল-ব্যান্ড অপারেশন সমর্থন করে, একটি PA, LNA, এবং সুইচকে একত্রিত করে, যার আউটপুট পাওয়ার 22 dBm পর্যন্ত এবং MCS11 হারে -35 dB এর চেয়ে ভালো EVM রয়েছে, যা এটিকে উচ্চ-শ্রেণীর রাউটার এবং এন্টারপ্রাইজ-গ্রেড AP-এর জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।

প্রতিরক্ষা এবং মহাকাশ-গ্রেড FEM: চরম পরিবেশগত নির্ভরযোগ্যতা প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে, সাধারণত স্যাটেলাইট যোগাযোগ এবং সামরিক রেডিওগুলিতে ব্যবহৃত হয়। এই পণ্যগুলি সাধারণত বিশেষ প্যাকেজিং এবং স্ক্রিনিং প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, যেমন Qorvo-এর মহাকাশ-গ্রেড GaN FEM, যা -55°C থেকে +125°C পর্যন্ত তাপমাত্রা পরিসরে কাজ করে এবং উচ্চতর বিকিরণ প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে।

Gallium Nitride Switching Devices

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড সুইচিং ডিভাইসগুলি RF সিগন্যাল রুটিং এবং অ্যান্টেনা টিউনিং-এ একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। Qorvo উদ্ভাবনী SOI (Silicon-on-Insulator) এবং GaN প্রযুক্তি একত্রিত করে উচ্চ-কার্যকারিতা সম্পন্ন সুইচিং সমাধানগুলির একটি সিরিজ তৈরি করেছে।

Qorvo-এর GaN সুইচিং পণ্যগুলির মধ্যে প্রধানত রয়েছে:

অ্যান্টেনা সুইচ মডিউল (ASM): একাধিক RF সুইচ, ফিল্টার এবং কন্ট্রোল লজিকের সাথে একত্রিত, মোবাইল ডিভাইসের জন্য একটি সম্পূর্ণ RF ফ্রন্ট-এন্ড সমাধান প্রদান করে। Qorvo-এর GaN ASM পণ্যগুলিতে কম সন্নিবেশ ক্ষতি (<1 dB typical), high isolation (>30 dB), এবং চমৎকার লিনিয়ারিটি (IP3 > 60 dBm) রয়েছে, যা স্থান-সীমাবদ্ধ 5G স্মার্টফোন এবং IoT ডিভাইসগুলির জন্য তাদের আদর্শ করে তোলে।

ডিস্ক্রিট GaN সুইচ: বিভিন্ন কনফিগারেশনে উপলব্ধ, যার মধ্যে SPDT (সিঙ্গেল-পোল ডাবল-থ্রো), SP4T (সিঙ্গেল-পোল ফোর-থ্রো), এবং MPMT (মাল্টি-পোল মাল্টি-থ্রো) রয়েছে, যা বৃহত্তর ডিজাইন নমনীয়তা প্রদান করে। Qorvo-এর GaN ডিস্ক্রিট সুইচগুলি DC থেকে 6 GHz পর্যন্ত কাজ করে, উন্নত pHEMT প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, যা দ্রুত সুইচিং গতি প্রদান করে (<50 ns), low power consumption (<1 μA standby current), and excellent ESD protection (>1 kV HBM)।

ডাইভার্সিটি সুইচ: অত্যন্ত কম সন্নিবেশ ক্ষতি এবং চমৎকার আইসোলেশন পারফরম্যান্সের বৈশিষ্ট্যযুক্ত, এই সুইচগুলি ওয়্যারলেস সিস্টেমের গ্রহণ সংবেদনশীলতা এবং থ্রুপুটকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে। Qorvo-এর GaN ডাইভার্সিটি সুইচগুলি 5G ছোট সেল, Wi-Fi 6/7 রাউটার এবং অটোমোটিভ কমিউনিকেশন সিস্টেমে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যা ক্যারিয়ার অ্যাগ্রিগেশন এবং MIMO প্রযুক্তি সমর্থন করে।