কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে রিসাইকেল ROHM GaN পাওয়ার ডিভাইসঃGaN HEMT,GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ IC,GaN গেট ড্রাইভার

ROHM GaN পাওয়ার ডিভাইস রিসাইকেল করুন: GaN HEMT, GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ IC, GaN গেট ড্রাইভার

ইলেকট্রনিক কম্পোনেন্ট রিসাইক্লিং সেক্টরে একটি নেতৃস্থানীয় উদ্যোগ হিসাবে, এসহেনজেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড।বিশ্বব্যাপী ক্লায়েন্টদের পেশাদার, উচ্চ-মূল্যের ইলেকট্রনিক উপাদান পুনর্ব্যবহারযোগ্য পরিষেবা প্রদানে বিশেষজ্ঞ, ব্যবসাগুলিকে তাদের নিষ্ক্রিয় সম্পদের মূল্য উপলব্ধি করতে এবং ইনভেন্টরি খরচ কমাতে সহায়তা করে৷

[মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স রিসাইক্লিং এর মূল সুবিধাসমূহ]

- ন্যায্য এবং অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক মূল্য: আমাদের পেশাদার চিপ টেস্টিং টিম এবং ব্যাপক মূল্য ব্যবস্থার সাথে, আমরা চিপ মডেল, প্যাকেজিংয়ের ধরন, ব্যাচ, অবস্থা এবং পরিমাণের মতো বিষয়গুলির উপর ভিত্তি করে ন্যায্য, স্বচ্ছ এবং অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক পুনর্ব্যবহারযোগ্য মূল্য নির্ধারণের জন্য শিল্প সংস্থানগুলিকে একত্রিত করি। আমাদের উদ্ধৃতি শিল্প গড় ছাড়িয়ে গেছে, আমাদের ক্লায়েন্টদের জন্য সর্বোচ্চ রিটার্ন।

- পেশাদার পরীক্ষা, দক্ষ এবং সুবিধাজনক: উন্নত চিপ পরীক্ষার সরঞ্জাম দিয়ে সজ্জিত, আমরা দ্রুত চিপগুলির কার্যকারিতা, অখণ্ডতা এবং সত্যতা মূল্যায়ন করতে সক্ষম। উভয় পরীক্ষা এবং উদ্ধৃতি 24 ঘন্টার মধ্যে সম্পন্ন হয়, তাই গ্রাহকদের অপেক্ষা করতে হবে না। বৃহৎ-আয়তনের পুনর্ব্যবহার করার জন্য, আমরা গ্রাহকদের সময় এবং খরচ বাঁচাতে সাইটে পরীক্ষামূলক পরিষেবা অফার করি।

- ওয়ান-স্টপ পরিষেবা, সমস্ত ঝামেলা-মুক্ত: আমরা বিশ্বব্যাপী ডোর-টু-ডোর সংগ্রহকে সমর্থন করি এবং বাল্ক টেস্টিং রিপোর্ট সরবরাহ করি। ফার্মওয়্যার ধারণকারী চিপগুলির জন্য, আমরা আমাদের গ্রাহকদের তথ্যের নিরাপত্তা নিশ্চিত করতে একটি পেশাদার ডেটা মুছে ফেলার পরিষেবা অফার করি। অ-কার্যকরী চিপগুলি সম্পূর্ণ প্রক্রিয়া জুড়ে সম্পূর্ণ ট্রেসেবিলিটি সহ RoHS মান অনুসারে পরিবেশ বান্ধব পদ্ধতিতে ভেঙে ফেলা হবে।

- দ্রুত, নমনীয় এবং সুবিধাজনক নিষ্পত্তি: সফল পরিদর্শনের পরে, অর্থপ্রদান এক কার্যদিবসের মধ্যে নিষ্পত্তি করা হবে। আমরা টেলিগ্রাফিক ট্রান্সফার (T/T) এবং Alipay সহ বিভিন্ন পেমেন্ট পদ্ধতি সমর্থন করি। বাল্ক পুনর্ব্যবহার করার জন্য, কাস্টমাইজড সেটেলমেন্ট ব্যবস্থা পৃথক ক্লায়েন্ট প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী আলোচনা করা যেতে পারে।

- লাইসেন্সপ্রাপ্ত এবং বিশ্বাসযোগ্য: আমাদের কোম্পানির সমস্ত প্রয়োজনীয় লাইসেন্স রয়েছে, শিল্পের অখণ্ডতার মানগুলি কঠোরভাবে মেনে চলে এবং ক্লায়েন্টদের বৈধ অধিকার এবং স্বার্থ রক্ষা করার জন্য পুরো প্রক্রিয়া জুড়ে আনুষ্ঠানিক পুনর্ব্যবহারযোগ্য চুক্তি স্বাক্ষর করে৷ ক্লায়েন্টরা সম্পূর্ণ মানসিক শান্তির সাথে এগিয়ে যেতে পারে তা নিশ্চিত করে আমরা কোনো অ-সম্মতিমূলক পুনর্ব্যবহারযোগ্য অনুশীলনকে কঠোরভাবে নিষিদ্ধ করি।

[রিসাইক্লিং প্রক্রিয়া ওভারভিউ]

1. তথ্য জমা দেওয়া: ক্লায়েন্টরা আমাদের অফিসিয়াল ওয়েবসাইট, ইমেল বা টেলিফোনের মাধ্যমে - মডেল নম্বর, পরিমাণ, ব্যাচ নম্বর, প্যাকেজিং এবং শর্ত সহ - পুনর্ব্যবহৃত করা চিপগুলির বিষয়ে বিস্তারিত তথ্য জমা দিতে পারে৷

2. বিনামূল্যে মূল্যায়ন: জমা দেওয়া তথ্য এবং বর্তমান বাজার পরিস্থিতির উপর ভিত্তি করে একটি সঠিক প্রাথমিক উদ্ধৃতি এবং পরীক্ষার পরিকল্পনা প্রদান করতে আমাদের প্রযুক্তিগত দল 24 ঘন্টার মধ্যে ক্লায়েন্টের সাথে যোগাযোগ করবে।

3. লেনদেন নিশ্চিতকরণ: একবার ক্লায়েন্ট প্রাথমিক উদ্ধৃতি নিশ্চিত করলে, উভয় পক্ষই একটি ইলেকট্রনিক পুনর্ব্যবহারযোগ্য চুক্তিতে স্বাক্ষর করবে, যা পরিষ্কারভাবে পুনর্ব্যবহারযোগ্য বিবরণ, মূল্য এবং অর্থপ্রদানের শর্তাবলী নির্ধারণ করে।

4. সংগ্রহের ব্যবস্থা: মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স গ্রাহকের প্রাঙ্গণ থেকে আইটেমগুলি সংগ্রহ করার জন্য একটি কুরিয়ারের ব্যবস্থা করবে; গ্রাহকদের কোনো লজিস্টিক খরচ বহন করতে হবে না। বৃহৎ আয়তনের পুনর্ব্যবহার করার জন্য, একটি নিবেদিত প্রতিনিধিকে সাইটে সংগ্রহের সমন্বয়ের ব্যবস্থা করা যেতে পারে।

5. পেশাদার পরিদর্শন: চিপগুলি প্রাপ্তির পরে, প্রযুক্তিগত দল গুণমান এবং পরিমাণ যাচাই করার জন্য একটি ব্যাপক পরিদর্শন পরিচালনা করবে এবং অবিলম্বে ফলাফলের গ্রাহককে অবহিত করবে।

6. অর্থপ্রদান নিষ্পত্তি: সফল পরিদর্শনের পরে, অর্থপ্রদান এক কার্যদিবসের মধ্যে প্রক্রিয়া করা হবে। নিষ্পত্তি সম্পূর্ণ হলে, পুরো প্রক্রিয়া জুড়ে সম্পূর্ণ সনাক্তযোগ্যতা নিশ্চিত করতে ক্লায়েন্টকে একটি পুনর্ব্যবহারযোগ্য রসিদ প্রদান করা হবে।

[রিসাইক্লিং গাইড]

1. পুনর্ব্যবহার করার সুযোগ: আমরা সমস্ত প্যাকেজ প্রকার এবং ব্যাচের চিপগুলি গ্রহণ করি, যার মধ্যে রয়েছে একেবারে নতুন, না খোলা চিপস, অতিরিক্ত স্টক এবং স্ক্র্যাপ করা বা ভেঙে ফেলা সরঞ্জামগুলি থেকে সেকেন্ড-হ্যান্ড চিপ৷

2. চিপের প্রয়োজনীয়তা: চিপগুলি অবশ্যই ক্ষতি, ক্ষয় বা বার্নআউট থেকে মুক্ত হতে হবে, অক্ষত পিন সহ এবং মান পরীক্ষায় উত্তীর্ণ হতে সক্ষম (ব্যতিক্রমগুলি বিশেষ পরিস্থিতিতে আলোচনা করা যেতে পারে); গ্রাহকদের অবশ্যই নিশ্চিত করতে হবে যে চিপগুলি বৈধভাবে পাওয়া যাচ্ছে এবং এতে জাল, নিম্নমানের, চুরি করা বা অন্যথায় অ-সম্মতিযুক্ত চিপগুলি অন্তর্ভুক্ত করা উচিত নয়।

3. বাল্ক রিসাইক্লিং ডিসকাউন্ট: বাল্ক রিসাইক্লিং সাইট সংগ্রহ, পরীক্ষা এবং নিষ্পত্তির জন্য আরও অনুকূল মূল্য এবং অগ্রাধিকারের জন্য যোগ্যতা অর্জন করে। দীর্ঘমেয়াদী অংশীদারদের জন্য, আমরা বেসপোক পুনর্ব্যবহারযোগ্য সমাধান এবং অগ্রাধিকারমূলক মূল্য অফার করি।

মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্সধারাবাহিকভাবে 'সবুজ পুনর্ব্যবহার, দক্ষ ব্যবহার, এবং অখণ্ডতা-ভিত্তিক পারস্পরিক সুবিধা'-এর দর্শনকে সমর্থন করে। আমরা ইলেকট্রনিক কম্পোনেন্ট রিসাইক্লিং পরিষেবাগুলিতে বিশেষজ্ঞ, ব্যবসাগুলিকে তাদের অপারেটিং খরচ কমাতে সাহায্য করে৷ আপনার যদি পুনর্ব্যবহারযোগ্য চিপস থাকে, অনুগ্রহ করে যে কোনো সময় আমাদের সাথে নির্দ্বিধায় যোগাযোগ করুন। আমরা আপনাকে একটি ওয়ান-স্টপ রিসাইক্লিং সমাধান প্রদান করব, সর্বোচ্চ মানের পরিষেবা এবং সবচেয়ে প্রতিযোগিতামূলক মূল্যের সাথে আপনার চাহিদা মেটাব!

I. ROHM GaN HEMT: উচ্চ-পারফরম্যান্স বিচ্ছিন্ন গ্যালিয়াম নাইট্রাইড কোর ডিভাইস

GaN HEMTs (হাই ইলেক্ট্রন মোবিলিটি ট্রানজিস্টর) হল মৌলিক বিচ্ছিন্ন ডিভাইস যা ROHM এর GaN পাওয়ার সিস্টেমকে ভিত্তি করে। প্রথাগত সিলিকন MOSFET-এর কাঠামোগত নীতি থেকে আলাদা, তারা অত্যন্ত কম অন-প্রতিরোধ, অতি-দ্রুত স্যুইচিং গতি এবং ন্যূনতম পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স অর্জনের জন্য GaN-এর দ্বি-মাত্রিক ইলেক্ট্রন গ্যাস (2DEG) বৈশিষ্ট্যগুলিকে ব্যবহার করে, যার ফলে মৌলিকভাবে বেদনা বিন্দুর সমাধান করা হয়, যেমন উচ্চ যন্ত্রের সাথে যুক্ত সিলিকন-ব্যবহার এবং উচ্চ ক্ষতির কারণ। আকারের সীমাবদ্ধতা। Rohm-এর অভ্যন্তরীণ HEMT ডিভাইসগুলির EcoGaN™ সিরিজের বিকাশ, একটি আসল কাঠামোগত নকশা বৈশিষ্ট্যযুক্ত, নির্ভরযোগ্যতা, স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতার ক্ষেত্রে শিল্প-নেতৃস্থানীয় সাফল্য অর্জন করে, যা উচ্চ-সম্পন্ন শক্তি রূপান্তর সিস্টেমের জন্য মূল পৃথক উপাদানে পরিণত করে।

1. মূল প্রযুক্তি এবং পণ্যের সুবিধা

Rohm-এর GaN HEMTs 150V এবং 650V এর মূলধারার ভোল্টেজ রেটিংগুলিকে কভার করে, বিভিন্ন ধরনের অ্যাপ্লিকেশন যেমন ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স, শিল্প বিদ্যুৎ সরবরাহ এবং নতুন শক্তি সরঞ্জামের চাহিদা পূরণ করে। 150V সিরিজটি প্রচলিত GaN ডিভাইসের গেট ব্রেকডাউন ভোল্টেজের সীমাবদ্ধতা কাটিয়ে উঠতে Rohm-এর মালিকানাধীন কাঠামো ব্যবহার করে, 8V এর একটি ব্যতিক্রমী উচ্চ গেট ব্রেকডাউন ভোল্টেজ অর্জন করে। এটি সিস্টেমের অপারেটিং ভোল্টেজের মার্জিনকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত করে, উচ্চ-ভোল্টেজ পরিস্থিতিতে গেট ভাঙ্গনের ঝুঁকি সম্পূর্ণভাবে দূর করে এবং সরঞ্জামগুলির দীর্ঘমেয়াদী কার্যকরী নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়। 650V হাই-ভোল্টেজ সিরিজটি মূলত ইন্ডাস্ট্রিয়াল-গ্রেড অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, এতে অত্যন্ত কম গেট চার্জ এবং আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স রয়েছে, একই স্পেসিফিকেশনের সিলিকন MOSFET-এর তুলনায় সুইচিং লস অনেক কম।

প্রথাগত বিচ্ছিন্ন ডিভাইসের তুলনায়, ROHM-এর GaN HEMTs প্যাকেজে পরজীবী ইন্ডাকট্যান্স কমাতে একটি কপার ক্ল্যাম্পিং প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, 150V/ns পর্যন্ত সুইচিং রেট সহ অতি-উচ্চ-সুইং-রেট স্যুইচিং সমর্থন করে, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি লেভেলে অপারেশনের জন্য উপযুক্ত করে তোলে। অধিকন্তু, ডিভাইসগুলির কোনও বিপরীত পুনরুদ্ধারের ক্ষতি নেই, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিংয়ের সময় বিপরীত পুনরুদ্ধার দোলনের সমস্যাগুলি সম্পূর্ণরূপে দূর করে। এটি কার্যকরভাবে সুইচিং লস এবং পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমে ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ কমায়, সামগ্রিক পাওয়ার সাপ্লাই দক্ষতা 95 শতাংশের বেশি অর্জনে সহায়তা করে।

2. মূল অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি

এই ডিভাইসগুলি প্রাথমিকভাবে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি AC/DC অ্যাডাপ্টর, ল্যাপটপ এবং গেমিং সরঞ্জামগুলির জন্য দ্রুত-চার্জিং পাওয়ার সাপ্লাই, সার্ভার সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, ইন্ডাস্ট্রিয়াল হাই-ফ্রিকোয়েন্সি ইনভার্টার, কমিউনিকেশন বেস স্টেশন পাওয়ার সাপ্লাই এবং স্বয়ংচালিত সহায়ক পাওয়ার সাপ্লাইতে ব্যবহৃত হয়। এগুলি শক্তির ঘনত্ব, রূপান্তর দক্ষতা এবং ডিভাইসের আকারের জন্য কঠোর প্রয়োজনীয়তা সহ উচ্চ-শেষের সরঞ্জামগুলির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত। সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধি করে, তারা ট্রান্সফরমার এবং ইন্ডাক্টরগুলির মতো প্যাসিভ উপাদানগুলির আকার উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করতে পারে, যার ফলে আরও কমপ্যাক্ট এবং হালকা সামগ্রিক নকশা অর্জন করা যায়।

২. ROHM এর GaN HEMT পাওয়ার স্টেজ IC (EcoGaN™ পাওয়ার স্টেজ IC): একটি অত্যন্ত সমন্বিত, অল-ইন-ওয়ান পাওয়ার সলিউশন

প্রথাগত বিচ্ছিন্ন GaN সমাধানগুলি শিল্প-ব্যাপী চ্যালেঞ্জের সম্মুখীন হয় যেমন ডিভাইসের মিলের অসুবিধা, PCB বিন্যাসে পরজীবী পরামিতিগুলি নিয়ন্ত্রণ করার অসুবিধা, উচ্চ ডিবাগিং খরচ এবং অসঙ্গত নির্ভরযোগ্যতা। এই চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করার জন্য, ROHM EcoGaN™ পাওয়ার স্টেজ IC চালু করার জন্য পাওয়ার ডিভাইস এবং অ্যানালগ চিপগুলিতে তার দ্বৈত প্রযুক্তিগত শক্তির ব্যবহার করেছে। এই সমাধানটি একটি 650V এনহ্যান্সমেন্ট-মোড GaN HEMT, একটি সিলিকন-ভিত্তিক গেট ড্রাইভার, ওভারকারেন্ট/ওভারভোল্টেজ/ওভার-টেম্পারেচার প্রোটেকশন সার্কিট এবং পেরিফেরাল উপাদানগুলিকে অত্যন্ত সংহত করে, একটি একক-চিপ, ইন্টিগ্রেটেড পাওয়ার সলিউশন তৈরি করে। এটি একটি মূল পণ্য যা GaN পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইনকে সহজ করতে এবং সিস্টেমের স্থিতিশীলতা বাড়াতে ডিজাইন করা হয়েছে।

1. মূল পণ্য বৈশিষ্ট্য

প্রধানত Rohm-এর ফ্ল্যাগশিপ BM3G0xxMUV-LB সিরিজের পাওয়ার স্টেজ আইসি দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা হয়েছে, এই পণ্যের পরিসরটি একটি মনোলিথিক প্যাকেজ ডিজাইন ব্যবহার করে যা বিচ্ছিন্ন সমাধানগুলিতে PCB রাউটিং এবং বন্ড ওয়্যার দ্বারা সৃষ্ট পরজীবী ইন্ডাকট্যান্স হস্তক্ষেপকে সম্পূর্ণরূপে নির্মূল করে। প্রথাগত বিচ্ছিন্ন সমাধানগুলির তুলনায়, পরজীবী প্যারামিটারগুলি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পেয়েছে, যা 150 V/ns এর একটি স্থিতিশীল অতি-উচ্চ সুইচিং স্লিউ রেট সক্ষম করে এবং GaN ডিভাইসগুলির উচ্চ-গতির কর্মক্ষমতা সম্পূর্ণরূপে প্রকাশ করে।

ইন্টিগ্রেটেড ডিজাইন সিস্টেম আর্কিটেকচারকে উল্লেখযোগ্যভাবে সরল করে, ব্যবহারকারীদেরকে জটিল গেট ড্রাইভ ম্যাচিং, প্যারামিটার টিউনিং বা সুরক্ষা সার্কিট নির্মাণের প্রয়োজন ছাড়াই প্রথাগত সিলিকন MOSFET সার্কিটগুলিকে সরাসরি প্রতিস্থাপন করার অনুমতি দেয়, যার ফলে পণ্য বিকাশের চক্র উল্লেখযোগ্যভাবে সংক্ষিপ্ত হয়। একই সময়ে, চিপ একাধিক অন্তর্নির্মিত সুরক্ষা ব্যবস্থা অন্তর্ভুক্ত করে, যার মধ্যে রয়েছে ওভারকারেন্ট সুরক্ষা, তাপীয় শাটডাউন এবং ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা, কার্যকরভাবে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-গতির স্যুইচিং অবস্থার অধীনে ডিভাইসের ক্ষতির ঝুঁকি হ্রাস করে এবং হস্তক্ষেপ এবং অপারেশনাল স্থিতিশীলতার জন্য সিস্টেমের অনাক্রম্যতা বৃদ্ধি করে।

পারফরম্যান্সের পরিপ্রেক্ষিতে, পাওয়ার-স্টেজ আইসিগুলির এই সিরিজটি অতি-লো সুইচিং লসের সাথে কম অন-স্টেট লসকে একত্রিত করে এবং 2 MHz পর্যন্ত উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে স্থিতিশীল অপারেশন সমর্থন করে। এটি পাওয়ার সাপ্লাই টপোলজিতে ইন্ডাক্টর, ক্যাপাসিটর এবং ট্রান্সফরমারের আকার এবং স্পেসিফিকেশন উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে, সিস্টেমের পাওয়ার ঘনত্বকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে যখন একই সাথে সিস্টেমের স্ট্যান্ডবাই পাওয়ার খরচ এবং অপারেশনাল লস হ্রাস করে। বর্তমানে, এই পণ্য সিরিজটি বিশ্বব্যাপী বিখ্যাত এস্পোর্টস ব্র্যান্ড যেমন MSI দ্বারা উচ্চ-সম্পদ পাওয়ার অ্যাডাপ্টারগুলিতে ব্যবহারের জন্য গৃহীত হয়েছে, চমৎকার ব্যাপক উত্পাদন স্থিতিশীলতা এবং বাজারের স্বীকৃতি প্রদর্শন করে।

2. মূল আবেদনের মান

GaN পাওয়ার স্টেজ আইসি উচ্চ একীকরণ, ব্যাপক উত্পাদন সহজ এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার স্বতন্ত্র সুবিধা প্রদান করে। এগুলি ছোট থেকে মাঝারি-শক্তির উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার সাপ্লাইগুলির ব্যাপক উত্পাদনের জন্য পুরোপুরি উপযুক্ত এবং উচ্চ-শক্তির দ্রুত-চার্জিং অ্যাডাপ্টার, সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই, কমপ্যাক্ট ইন্ডাস্ট্রিয়াল ইনভার্টার এবং স্মার্ট হোমগুলির জন্য উচ্চ-দক্ষ ক্ষমতাসম্পন্ন পাওয়ার সাপ্লাই মডিউলগুলির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। উচ্চ দক্ষতা, ক্ষুদ্রকরণ এবং কম খরচের মধ্যে ভারসাম্য বজায় রেখে, এগুলি হল মূল পণ্য যা GaN প্রযুক্তির ব্যাপক গ্রহণকে চালিত করে।

III. ROHM GaN গেট ড্রাইভার: উচ্চ-গতির GaN ডিভাইসের জন্য ডেডিকেটেড ড্রাইভার ICs

GaN HEMT-এর উচ্চ-গতির স্যুইচিং বৈশিষ্ট্যগুলি ড্রাইভ সংকেতের হস্তক্ষেপের জন্য নির্ভুলতা, স্থিতিশীলতা এবং প্রতিরোধ ক্ষমতার উপর অত্যন্ত উচ্চ চাহিদা রাখে। ঐতিহ্যগত সাধারণ-উদ্দেশ্যের সিলিকন MOSFET ড্রাইভারগুলি GaN ডিভাইসগুলির সংকীর্ণ-পালস, অতি-উচ্চ-গতির সুইচিং প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করতে অক্ষম, এবং গেট ওভারশুট, দোলন এবং মিথ্যা ট্রিগারিংয়ের মতো সমস্যাগুলির জন্য প্রবণ, যা GaN কার্যক্ষমতার সম্পূর্ণ উপলব্ধি সীমাবদ্ধ করে৷ Rohm বিশেষভাবে ডেডিকেটেড GaN গেট ড্রাইভার তৈরি করেছে, দুটি প্রধান প্রকারে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়েছে: অ-বিচ্ছিন্ন উচ্চ-গতির একক-চ্যানেল ড্রাইভার এবং উচ্চ-ভোল্টেজ বিচ্ছিন্ন ড্রাইভার। এইগুলি বিভিন্ন ভোল্টেজ রেটিং এবং অপারেটিং অবস্থার সাথে GaN ডিভাইসগুলির ড্রাইভিং প্রয়োজনীয়তার সাথে সুনির্দিষ্টভাবে মেলে, যা GaN পাওয়ার ডিভাইসগুলির কর্মক্ষমতা সর্বাধিক করার জন্য মূল সমর্থনকারী চিপ হিসাবে কাজ করে৷

1. নন-আইসোলেটেড হাই-স্পিড গেট ড্রাইভার (BD2311NVX-LB)

BD2311NVX-LB হল একটি একক-চ্যানেল আল্ট্রা-হাই-স্পিড গেট ড্রাইভার যা ROHM দ্বারা বিশেষভাবে সাধারণ-উদ্দেশ্যের GaN HEMT-এর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এর মূল সুবিধার মধ্যে রয়েছে সংকীর্ণ-পালস, উচ্চ-গতির স্যুইচিং পরিস্থিতির জন্য উপযুক্ততার মধ্যে যা GaN ডিভাইসের বৈশিষ্ট্যযুক্ত, ঐতিহ্যবাহী ড্রাইভারের ত্রুটিগুলি যেমন ধীর পালস প্রতিক্রিয়া এবং ওভারশুট করার জন্য সংবেদনশীলতাকে অতিক্রম করে। চিপটি ROHM-এর মালিকানাধীন ওভারশুট সাপ্রেশন সার্কিটকে অন্তর্ভুক্ত করে, যা সুনির্দিষ্টভাবে গেট ভোল্টেজের ওঠানামা নিয়ন্ত্রণ করে, উচ্চ-ভোল্টেজ ওভারশুটের কারণে ডিভাইসের ক্ষতি প্রতিরোধ করে এবং GaN ডিভাইসের অপারেশনাল নির্ভরযোগ্যতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে। এটি অত্যন্ত সংক্ষিপ্ত ইনপুট পালস প্রস্থকেও সমর্থন করে, যা 1.25 এনএস-এর নিচে নেমে আসে- যা শিল্পের একটি নেতৃস্থানীয় ব্যক্তিত্ব-এটিকে অতি-উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং অবস্থার জন্য পুরোপুরি উপযুক্ত করে তোলে এবং GaN ডিভাইসের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পারফরম্যান্স সুবিধাগুলি সম্পূর্ণরূপে ব্যবহার করে। এই পণ্যটিতে একটি সুবিন্যস্ত নকশা এবং বিস্তৃত অভিযোজনযোগ্যতা রয়েছে এবং এটি প্রাথমিকভাবে মাঝারি- এবং কম-ভোল্টেজ, অ-বিচ্ছিন্ন পাওয়ার সাপ্লাই অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে GaN ডিভাইসগুলি চালানোর জন্য উপযুক্ত।

2. উচ্চ-ভোল্টেজ বিচ্ছিন্ন GaN গেট ড্রাইভার (BM6GD11BFJ-LB)

BM6GD11BFJ-LB হল ROHM-এর প্রথম বিচ্ছিন্ন গেট ড্রাইভার যা বিশেষভাবে উচ্চ-ভোল্টেজ GaN HEMT-এর জন্য তৈরি করা হয়েছে, যা প্রাথমিকভাবে শিল্প উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-নির্ভরযোগ্যতা অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। পণ্যটি কার্যকরভাবে পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স কমাতে ROHM-এর মালিকানাধীন অন-চিপ আইসোলেশন প্রযুক্তি ব্যবহার করে। 2,500 Vrms পর্যন্ত একটি বিচ্ছিন্ন ভোল্টেজের সাথে, এটি কন্ট্রোল সার্কিট এবং উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার সার্কিটের মধ্যে নিরাপদ বিচ্ছিন্নতা সক্ষম করে, উচ্চ-ভোল্টেজ ক্রসস্টালকের ঝুঁকি দূর করে এবং এটিকে শিল্প উচ্চ-ভোল্টেজ পরিবেশের চাহিদাপূর্ণ অবস্থার জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

এই ড্রাইভারটি একটি অতি-দ্রুত প্রতিক্রিয়া সময় নিয়ে গর্ব করে, যার সর্বোচ্চ ইনপুট-টু-আউটপুট বিলম্ব মাত্র 60 এনএস এবং সর্বনিম্ন ইনপুট পালস প্রস্থ 65 এনএস। এটি 2 MHz পর্যন্ত উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ড্রাইভিং সমর্থন করে, উচ্চ-গতির সুইচিং অর্জনের জন্য উচ্চ-ভোল্টেজ GaN ডিভাইসগুলির স্থিতিশীল ড্রাইভিং সক্ষম করে। তদ্ব্যতীত, নকশাটি স্বাধীন উত্স এবং ড্রেন আউটপুট পিনগুলিকে অন্তর্ভুক্ত করে, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং দোলন এবং ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক হস্তক্ষেপ দমন করতে সুইচিং ওয়েভফর্মের একাধিক হারের সুনির্দিষ্ট সমন্বয়ের অনুমতি দেয়। এটি উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-কারেন্ট অ্যাপ্লিকেশন যেমন শিল্প মোটর ড্রাইভ, উচ্চ-পাওয়ার সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই, উচ্চ-ভোল্টেজ ইনভার্টার এবং নতুন শক্তি শিল্প নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থার জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত করে তোলে।