কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে পুনর্ব্যবহারযোগ্য এসটি পাওয়ার ট্রানজিস্টরঃআইজিবিটি,পাওয়ার বাইপোলার,পাওয়ার এমওএসএফইটি,পাওয়ারগ্যান,সিসি এমওএসএফইটি

পুনর্ব্যবহারযোগ্য এসটি পাওয়ার ট্রানজিস্টরঃআইজিবিটি,পাওয়ার বাইপোলার,পাওয়ার এমওএসএফইটি,পাওয়ারগ্যান,সিসি এমওএসএফইটি

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড।বহু বছর ধরে ইলেকট্রনিক উপাদান পুনর্ব্যবহারের ক্ষেত্রে বিশেষজ্ঞ এবং শিল্পের মধ্যে ইনভেন্টরি ম্যানেজমেন্ট এবং পুনর্ব্যবহারের পরিষেবাগুলির একটি পেশাদার সরবরাহকারী।নির্মাতার মূল পণ্য, অপ্রচলিত স্টক, বন্ধ করা পণ্য এবং খুব প্রতিযোগিতামূলক মূল্যে অলস চিপগুলি, ব্যবসায়ীদের দ্রুত তাদের স্টক পরিষ্কার করতে, মূলধন পুনরুদ্ধার করতে এবং গুদাম এবং পরিচালনার ব্যয় হ্রাস করতে সহায়তা করে।

আমাদের পুনর্ব্যবহারযোগ্য পরিষেবাগুলির মূল সুবিধা

বিস্তৃত ক্রয়ঃ ন্যূনতম ক্রয়ের পরিমাণের প্রয়োজন নেই; আমরা নমুনার ছোট ব্যাচ থেকে স্টক পূর্ণ ট্রে পর্যন্ত সবকিছুর জন্য উদ্ধৃতি সরবরাহ করতে পারি;

কার্যকর নগদ নিষ্পত্তিঃ ছবির উপর ভিত্তি করে প্রাথমিক অনলাইন মূল্যায়ন; বাল্ক প্যাকেজগুলির জন্য, আমরা ঘটনাস্থলে পরিদর্শন করার ব্যবস্থা করতে পারি; নিশ্চিতকরণের সাথে সাথে পেমেন্ট নিষ্পত্তি করা হয়;

বিভিন্ন উৎসের জন্য উপযুক্ত: আমরা বিক্রিত কারখানার স্টক, বন্ধ প্রকল্প স্টক, ক্লিয়ারেন্স স্টক এবং ব্র্যান্ড নতুন, অব্যবহৃত উপাদান গ্রহণ করি;

স্ট্যান্ডার্ডাইজড মেশিন হ্যান্ডলিংঃ পুনর্ব্যবহারযোগ্য উপকরণ হ্যান্ডলিং প্রাসঙ্গিক প্রবিধান মেনে চলে;আমরা কম্পোনেন্ট রিসাইক্লিং চ্যানেলের সাথে ব্যাপক অংশীদারিত্ব স্থাপন করেছি যাতে ব্যবসায়ীরা অলস সম্পদ থেকে মূলধন অর্জন করতে এবং গুদাম স্থান মুক্ত করতে পারে.

লেনদেন প্রক্রিয়া

ইনভেন্টরি তালিকা জমা দিনঃ বিস্তারিত উপাদান তথ্য (পার্ট নম্বর, পরিমাণ, লট, প্যাকেজ টাইপ, অবস্থা, প্যাকেজিং) সংকলন করুন এবং ওয়েচ্যাট, ইমেল বা টেলিফোনের মাধ্যমে প্রেরণ করুন;

সঠিক মূল্য নির্ধারণঃ আমাদের মূল্যায়ন দল দ্রুত বাজারের অবস্থার উপর ভিত্তি করে স্পেসিফিকেশন যাচাই করবে এবং একটি আনুষ্ঠানিক মূল্য নির্ধারণ করবে;

লেনদেন নিশ্চিত করুনঃ উভয় পক্ষের মধ্যে চুক্তি হলে, পুনর্ব্যবহারের চুক্তি স্বাক্ষরিত হয় এবং বিতরণের ব্যবস্থা করা হয় (আপনার স্থান থেকে বা কুরিয়ার দ্বারা সংগ্রহ);

ডেলিভারি এবং পেমেন্টঃ পণ্যগুলি অন-সাইট পরিদর্শন বা প্রাপ্তির পরে অবিলম্বে নিষ্পত্তি প্রক্রিয়াজাত করা হয়, দ্রুত অর্থ প্রদান নিশ্চিত করা হয়।

I. ST পাওয়ার বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (বিজেটি)

পাওয়ার বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টর (বিজেটি) হল ক্লাসিকাল বর্তমান নিয়ন্ত্রিত পাওয়ার ডিভাইস এবং প্রথম পাওয়ার ট্রানজিস্টরগুলির মধ্যে ছিল যা শিল্পায়িত হয়েছিল।এসটি একটি অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য এবং ব্যয়বহুল দ্বি-ধ্রুব জংশন ট্রানজিস্টর পণ্য তৈরি করেছে, মূলত মাঝারি এবং নিম্ন ভোল্টেজ, নিম্ন ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-বর্তমান স্থির-রাজ্যের অপারেটিং অবস্থার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।

1. মূল অপারেটিং নীতি

পাওয়ার বাইপোলার জংশন ট্রানজিস্টরগুলি বাইপোলার পরিবাহী ডিভাইস যা বর্তমানকে ক্রমাগত নিয়ন্ত্রণ করতে একটি বেস ইনপুটের উপর নির্ভর করে,ইমিটার এবং সংগ্রাহকের মধ্যে বর্তমানের পরিবাহিতা এবং কাটা চালানোইলেকট্রন এবং হোল ক্যারিয়ার উভয়ই পরিবাহী প্রক্রিয়ায় অংশগ্রহণ করে।তারা অপারেশন চলাকালীন অন-স্টেট বজায় রাখার জন্য একটি অবিচ্ছিন্ন বেস ড্রাইভ বর্তমানের প্রয়োজন এবং একটি গেট ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ কাঠামো নেই.

2মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

ST ′s পাওয়ার বাইপোলার ট্রানজিস্টরগুলি 15V থেকে 1,700V পর্যন্ত একটি বিস্তৃত ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে এবং প্রচলিত এবং উচ্চ লাভের ডার্লিংটন কনফিগারেশন উভয় পণ্য অন্তর্ভুক্ত করে,যার বর্তমানের রেটিং কয়েক এম্পিয়ার থেকে কয়েকশো এম্পিয়ার পর্যন্ততাদের মূল সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে নিম্ন স্যাচুরেশন ভোল্টেজ, উচ্চ স্রোতে কম স্থিতিশীল-রাজ্যের পরিবাহী ক্ষতি, শক্তিশালী শক প্রতিরোধের, পরিপক্ক উত্পাদন প্রক্রিয়া, কম ব্যয়,এবং নির্ভরযোগ্যতা বাজারে কয়েক দশক ধরে প্রমাণিত.

যাইহোক, এই ডিভাইসগুলির উল্লেখযোগ্য ত্রুটি রয়েছেঃ ধীর সুইচিং গতি, যার অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি সাধারণত 50 kHz এর নিচে থাকে, যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য তাদের উপযুক্ত নয়;উচ্চ ড্রাইভ ক্ষতি, একটি অবিচ্ছিন্ন বেস বর্তমান প্রয়োজন এবং ড্রাইভ সার্কিট উচ্চ শক্তি খরচ ফলাফল; এবং অপেক্ষাকৃত উচ্চ সুইচিং ক্ষতি,ডায়নামিক রেসপন্স স্পিড MOSFETs এবং IGBTs এর তুলনায় অনেক কমফলস্বরূপ, এগুলি ধীরে ধীরে নতুন পাওয়ার ডিভাইসগুলির দ্বারা প্রতিস্থাপিত হচ্ছে এবং এখন কেবলমাত্র ঐতিহ্যগত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে সংরক্ষিত রয়েছে যেখানে তারা অপরিহার্য।

3. মূল অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

এগুলি মূলত নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি মোটর ড্রাইভ সহ নিম্ন-ফ্রিকোয়েন্সি, নিম্ন-দ্রুততা এবং উচ্চ স্থিতিশীল-স্থিতিশীল বর্তমানের বৈশিষ্ট্যযুক্ত traditionalতিহ্যবাহী শিল্প নিয়ন্ত্রণ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়,লাইন ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, রিলে ড্রাইভার, শিল্প ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রণ সার্কিট, ছোট স্কেল ইনভার্টার সরঞ্জাম এবং অডিও পাওয়ার এম্প্লিফায়ার সার্কিট।এগুলি প্রধানত ভোক্তা এবং নিম্নমানের শিল্প সরঞ্জামগুলিতে ব্যবহৃত হয় যেখানে ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিংয়ের প্রয়োজন হয় না এবং ব্যয় নিয়ন্ত্রণ একটি অগ্রাধিকার.

II. ST পাওয়ার MOSFETs (সিলিকন ভিত্তিক)

সিলিকন-ভিত্তিক পাওয়ার MOSFETs হল সবচেয়ে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত এবং মাঝারি এবং নিম্ন-ভোল্টেজ পাওয়ার ডিভাইসগুলির বৈচিত্র্যময় পরিসীমা।ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ইউনিপোলার ডিভাইস হিসাবে যা কেবলমাত্র বেশিরভাগ ক্যারিয়ারের উপর নির্ভর করে, তারা সম্পূর্ণরূপে বিপোলার ট্রানজিস্টরগুলির উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সীমাবদ্ধতা অতিক্রম করেছে এবং ছোট এবং মাঝারি শক্তির উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার ইলেকট্রনিক সিস্টেমের জন্য প্রধান স্রোত ডিভাইস।ST পাওয়ার MOSFET পণ্য একটি সম্পূর্ণ পরিসীমা উপলব্ধ করা হয়, নিম্ন-ভোল্টেজ, মাঝারি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ এবং সুপার-জংশন প্রকারগুলি সহ, উভয় সাধারণ উদ্দেশ্য এবং উচ্চ-শেষ শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে কভার করে।

1. মূল অপারেটিং নীতিমালা

পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলি ভোল্টেজ-চালিত, সম্পূর্ণ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস যা গেট এবং উত্সের মধ্যে একটি থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের মাধ্যমে চ্যানেলের পরিবাহিতা এবং বন্ধকরণ নিয়ন্ত্রণ করে।পরিবাহিতা শুধুমাত্র ইলেকট্রনগুলির উপর নির্ভর করে একমাত্র চার্জ বহনকারী হিসাবে, কোন সংখ্যালঘু ক্যারিয়ার পুনরায় সংমিশ্রণ প্রক্রিয়া, যার ফলে অত্যন্ত দ্রুত স্যুইচিং প্রতিক্রিয়া সময়।ডিভাইস অত্যন্ত উচ্চ ইনপুট প্রতিবন্ধকতা বৈশিষ্ট্য এবং স্থিতিশীল অবস্থা অপারেশন সময় কার্যত কোন ড্রাইভ বর্তমান প্রয়োজন, যা অত্যন্ত সরলীকৃত ড্রাইভ সার্কিট এবং সর্বনিম্ন শক্তি খরচ করে।

2মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

ST ′s সিলিকন-ভিত্তিক পাওয়ার MOSFETs 20V থেকে 900V পর্যন্ত একটি ভোল্টেজ পরিসীমা, মিলিঅ্যাম্পের থেকে কয়েকশো অ্যাম্পের পর্যন্ত একটি বর্তমান পরিসীমা এবং 100 kHz থেকে কয়েক MHz পর্যন্ত অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সিগুলি জুড়ে,তাদের উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত করে তোলেতাদের মূল সুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে দ্রুত সুইচিং গতি, অত্যন্ত কম সুইচিং ক্ষতি, সহজ ড্রাইভ প্রয়োজনীয়তা, ভাল তাপ স্থিতিশীলতা, হস্তক্ষেপের বিরুদ্ধে শক্তিশালী অনাক্রম্যতা,এবং সেকেন্ডারি ভাঙ্গনের কোন ঝুঁকি নেই.

এসটি-এর মালিকানাধীন প্রযুক্তিগুলির মধ্যে রয়েছে সুপারজুনকশন কুলএমওএস এবং সুপ্রেমএমওএস সিরিজ যা অপ্টিমাইজড চিপ আর্কিটেকচারের মাধ্যমে অন প্রতিরোধকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে (আরডিএস ((অন))),এইভাবে কম পরিবাহী ক্ষতি এবং উচ্চ ক্ষমতা ঘনত্ব অর্জনএকটি সীমাবদ্ধতা উচ্চ ভোল্টেজ অবস্থার অধীনে সামনের ভোল্টেজ পতনের মধ্যে উল্লেখযোগ্য অসুবিধার মধ্যে রয়েছে; উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ-পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে 600 V এর উপরে,IGBT ডিভাইসের তুলনায় পরিবাহী ক্ষতি বেশি.

3. মূল অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

ছোট এবং মাঝারি শক্তির উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি পাওয়ার ইলেকট্রনিক সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত, এগুলি ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স এবং টেলিযোগাযোগ সরঞ্জামগুলির মূল উপাদান।সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে মোবাইল ফোন অ্যাডাপ্টার অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, পিসি সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, সার্ভার এবং টেলিযোগাযোগ পাওয়ার সাপ্লাই, ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী, নিম্ন-ভোল্টেজ মোটর ড্রাইভ, স্মার্ট হোম কন্ট্রোল সিস্টেম এবং অটোমোটিভ নিম্ন-ভোল্টেজ পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেম।

III. ST IGBT (আইসোলেটেড-গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর)

IGBT একটি কম্পোজিট পাওয়ার ডিভাইস যা MOSFETs এবং বিপোলার ট্রানজিস্টরগুলির সুবিধাগুলি একত্রিত করে, উচ্চ-ভোল্টেজের প্রয়োজনীয়তা নিখুঁতভাবে ভারসাম্য বজায় রাখে,উচ্চ বর্তমান এবং মাঝারি থেকে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশনএটি মাঝারি এবং উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ-শক্তি শিল্প শক্তি ইলেকট্রনিক্স সিস্টেমের মূল উপাদান হিসাবে কাজ করে।শিল্প, অটোমোবাইল এবং রেল পরিবহন এবং শক্তি এবং ফ্রিকোয়েন্সির বিস্তৃত অবস্থার জন্য উপযুক্ত।

1. মূল অপারেটিং নীতিমালা

আইজিবিটি একটি মসফেটের গেট-ভোল্টেজ ড্রাইভ কাঠামোকে একটি দ্বিধার্ত ট্রানজিস্টরের উচ্চ-বর্তমান পরিবাহক কাঠামোর সাথে সংহত করে।ইনপুট সাইড একটি MOSFET কাঠামো ব্যবহার করে ভোল্টেজ চালিত অপারেশন এবং কম ড্রাইভ শক্তি খরচ সক্ষম; আউটপুট সাইড একটি বিপোলার কন্ডাকশন কাঠামো ব্যবহার করে, যা সংখ্যালঘু ক্যারিয়ার ইনজেকশন দ্বারা উচ্চ-ভোল্টেজ কন্ডাকশন ভোল্টেজ ড্রপ হ্রাস করে।সুতরাং এটি একধারার ডিভাইসের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্যগুলিকে দ্বিধার ডিভাইসের কম পরিবাহিতা ক্ষতির সুবিধার সাথে একত্রিত করে.

2মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

ST IGBTs 600V থেকে 6.5 kV পর্যন্ত একটি ভোল্টেজ পরিসীমা এবং বেশ কয়েক হাজার এম্পিয়ার পর্যন্ত বর্তমানের নামকরণগুলিকে কভার করে, যা তাদের অতি-উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।তাদের অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি সাধারণত কয়েক কিলোহার্টজ থেকে 50 কিলোহার্টজ পর্যন্ত থাকে, তাদের মাঝারি থেকে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ ক্ষমতা রূপান্তর দৃশ্যকল্পের জন্য উপযুক্ত করে তোলে। তাদের মূল সুবিধাগুলিতে উচ্চ ভোল্টেজ এবং স্রোতগুলিতে অত্যন্ত কম পরিবাহী ক্ষতি অন্তর্ভুক্ত রয়েছে,উচ্চ বর্তমান ঘনত্ব, উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, সহজ ড্রাইভ প্রয়োজনীয়তা এবং চমৎকার স্থিতিশীলতা।

ডিভাইসের সীমাবদ্ধতাগুলির মধ্যে রয়েছে বন্ধ প্রক্রিয়া চলাকালীন রেলিং বর্তমান, পাওয়ার এমওএসএফইটি এবং প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ ডিভাইসের তুলনায় কম সুইচিং গতি,এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সির অবস্থার অধীনে স্যুইচিং ক্ষতির উল্লেখযোগ্য বৃদ্ধি, তাই এটি মেগাহার্টজ স্তরের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত নয়। ST বিভিন্ন দৃশ্যকল্পের জন্য বিশেষায়িত সিরিজ চালু করেছে, যেমন উচ্চ গতির IGBTs,কম ক্ষতির আইজিবিটি এবং অটোমোবাইল গ্রেডের আইজিবিটি, ব্যালেন্সিং ক্ষতি এবং ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য।

3. মূল অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

ইন্ডাস্ট্রিয়াল ভেরিয়েবল ফ্রিকোয়েন্সি মোটর ড্রাইভ, ইউপিএস (অবিচ্ছিন্ন পাওয়ার সাপ্লাই) সিস্টেম সহ মাঝারি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-ক্ষমতা পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে মনোনিবেশ করে,শিল্পীয় ঢালাইয়ের যন্ত্রপাতি, ইনডাকশন হিটিং সরঞ্জাম, ফোটোভোলটাইক এবং বায়ু শক্তি ইনভার্টার, বৈদ্যুতিক যানবাহন নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা, রেল পরিবহন ট্র্যাকশন রূপান্তরকারী এবং উচ্চ-ভোল্টেজ শিল্প ভোল্টেজ স্থিতিস্থাপক।

IV. ST পাওয়ার গ্যান (গ্যালিয়াম নাইট্রাইড) ডিভাইস

GaN (গ্যালিয়াম নাইট্রাইড) ডিভাইসগুলি তৃতীয় প্রজন্মের প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ অর্ধপরিবাহী ডিভাইস। ST মূলত সিলিকন ভিত্তিক GaN পাওয়ার ডিভাইসগুলি প্রচার করে, যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি,উচ্চ দক্ষতা এবং ক্ষুদ্র শক্তি রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনএই ডিভাইসগুলি সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসের ফ্রিকোয়েন্সি এবং দক্ষতার সীমা অতিক্রম করেছে এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, মাঝারি থেকে নিম্ন-শক্তির উচ্চ-শেষ পাওয়ার সাপ্লাইগুলি আপগ্রেড করার মূল উপাদান।

1. মূল অপারেটিং নীতিমালা

ST ′s GaN পাওয়ার ডিভাইসগুলি হ'ল বর্ধন-মোড ভোল্টেজ-নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস। প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ GaN উপাদানের উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতার বৈশিষ্ট্যগুলি ব্যবহার করে,সিলিকন ভিত্তিক ডিভাইসে পাওয়া PN-জংশন পরিবাহী কাঠামোর প্রয়োজন হয় নাপরিবর্তে, তারা উচ্চ গতির পরিবাহিতা অর্জনের জন্য একটি দ্বি-মাত্রিক ইলেকট্রন গ্যাসের (2DEG) উপর নির্ভর করে। তাদের ক্যারিয়ার গতিশীলতা এবং স্যাচুরেশন ড্রিফট গতি সিলিকনের তুলনায় অনেক বেশি,ন্যানোসেকেন্ডের পরিসরে সাড়া সময় স্যুইচ করতে সক্ষম.

2মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

ST ̊s GaN ডিভাইসগুলি মূলত 100V এবং 650V ভোল্টেজ রেটিংগুলিতে পাওয়া যায়, যা অসামান্য মূল সুবিধা প্রদান করেঃ স্যুইচিং গতি সিলিকন ভিত্তিক MOSFETs এর তুলনায় অনেক বেশি,যার অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি দশ মেগাহার্টজ পর্যন্ত পৌঁছায়, যার ফলে স্যুইচিংয়ের ক্ষতি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়; অন প্রতিরোধ অত্যন্ত কম, একই স্পেসিফিকেশনের সিলিকন ভিত্তিক ডিভাইসগুলির তুলনায় অন-স্টেট ক্ষতির উত্পাদন করে;ডিভাইসগুলি আকারে ছোট এবং উল্লেখযোগ্যভাবে উচ্চতর শক্তি ঘনত্ব সরবরাহ করে, যা বিদ্যুৎ সরবরাহের সরঞ্জামগুলির ক্ষুদ্রীকরণ এবং ওজন হ্রাস করতে সক্ষম করে।

সিলিকন ভিত্তিক ডিভাইসের তুলনায়, GaN ডিভাইসগুলি উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ-ভোল্টেজ ভাঙ্গনের জন্য বৃহত্তর প্রতিরোধের প্রস্তাব দেয়, বিপরীত পুনরুদ্ধারের ক্ষতি শূন্যের কাছাকাছি,এইভাবে উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেটিং অবস্থার অধীনে বিপরীত ক্ষতির সমস্যা সম্পূর্ণরূপে সমাধান করাতাদের অসুবিধাগুলিতে সিলিকন ভিত্তিক ডিভাইসের তুলনায় উচ্চতর ব্যয়, ড্রাইভ সার্কিট নির্ভুলতার জন্য কঠোর প্রয়োজনীয়তা এবং পিসিবি বিন্যাস এবং প্রক্রিয়া নকশার উপর আরও চাহিদাপূর্ণ সীমাবদ্ধতা অন্তর্ভুক্ত।

3. মূল অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

এই ডিভাইসগুলি মূলত উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-কার্যকারিতা, এবং উচ্চ-শেষের ক্ষুদ্রতর পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য লক্ষ্যযুক্ত, উচ্চ-শেষের দ্রুত চার্জিং পাওয়ার সরবরাহগুলি সহ,উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই, টেলিযোগাযোগের বেস স্টেশন পাওয়ার সাপ্লাই, যানবাহনের জন্য বোর্ড চার্জার (ওবিসি), উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী, হালকা নতুন শক্তি পাওয়ার সাপ্লাই,এয়ারস্পেস সেক্টরের জন্য ছোট আকারের পাওয়ার সরঞ্জাম.

V. ST SiC MOSFET (সিলিকন কার্বাইড)

সিআইসি (সিলিকন কার্বাইড) এমওএসএফইটি বর্তমানে উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-শক্তি খাতে প্রধান প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ ডিভাইস।এসটি সমস্ত মাঝারি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার রেটিংগুলি জুড়ে বাণিজ্যিক সিআইসি এমওএসএফইটিগুলির একটি বিস্তৃত পরিসীমা তৈরি করেছেতাদের অতি-উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধ ক্ষমতা, অতি-নিম্ন ক্ষতি এবং উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের ধন্যবাদ,তারা ধীরে ধীরে ঐতিহ্যগত সিলিকন ভিত্তিক IGBTs প্রতিস্থাপন উচ্চ শেষ মধ্যে মূল উপাদান হয়ে, নতুন শক্তি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন সরঞ্জাম।

1. মূল অপারেটিং নীতি

ST SiC MOSFETs 4H-SiC একক স্ফটিক সিলিকন কার্বাইড উপাদান থেকে তৈরি করা হয় এবং এটি একধ্রুব ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রিত ডিভাইস।তারা কেবলমাত্র ইলেকট্রন ক্যারিয়ারের উপর নির্ভর করে এবং সংখ্যালঘু ক্যারিয়ার টেইলিং প্রভাব থেকে মুক্ত, যার ফলে সিলিকন ভিত্তিক আইজিবিটিগুলির সাথে সম্পর্কিত স্যুইচিং ক্ষতির বোতল ঘাটি সম্পূর্ণরূপে সমাধান করা হয়।ক্ষয় ক্ষেত্রের শক্তি এবং তাপ পরিবাহিতা সিলিকন এর তুলনায় অনেক বেশি, উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশন জন্য ব্যতিক্রমী উপযুক্ততা প্রদান।

2মূল প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য

ST ′s বাণিজ্যিক SiC MOSFETs 650 V থেকে 3,300 V পর্যন্ত একটি ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে, 6,500 V পর্যন্ত পৌঁছানোর প্রোটোটাইপ ডিভাইসগুলির সাথে, তাদের অতি-উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।তাদের মূল বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্রের শক্তি, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের এবং চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ তাপমাত্রা এবং কঠোর অবস্থার অধীনে স্থিতিশীল অপারেশন সক্ষম; তারা অত্যন্ত দ্রুত সুইচিং গতি বৈশিষ্ট্য,সিলিকন-ভিত্তিক আইজিবিটিগুলির এক-তৃতীয়াংশেরও কম স্যুইচিং ক্ষতির সাথে; তারা উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ বর্তমানের অবস্থার অধীনে অত্যন্ত কম পরিবাহিতা ক্ষতি প্রদর্শন করে, যার সামগ্রিক শক্তি দক্ষতা সিলিকন ভিত্তিক ডিভাইসগুলির তুলনায় অনেক বেশি।

GaN ডিভাইসের তুলনায়, SiC ডিভাইসগুলি উচ্চতর ভোল্টেজ রেটিং, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের এবং বৃহত্তর শক্তি ক্ষমতা সরবরাহ করে, যা তাদের উচ্চ ভোল্টেজ, উচ্চ-শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে;তাদের অসুবিধাগুলির মধ্যে রয়েছে সর্বোচ্চ ডিভাইস খরচ, প্যাকেজিং এবং ড্রাইভ প্রক্রিয়াগুলির জন্য কঠোর প্রয়োজনীয়তা এবং সিস্টেম ডিজাইনের তুলনামূলকভাবে উচ্চ বাধা।

3. মূল অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

উচ্চ-শেষ, উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-শক্তি, উচ্চ-কার্যকারিতা এবং উচ্চ-নির্ভরযোগ্যতার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ফোকাস করে, এগুলি নতুন শক্তি শিল্পের মূল উপাদান।অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে নতুন শক্তি যানবাহনের জন্য প্রধান ড্রাইভ ইনভার্টার, বোর্ডের উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী, সুপার চার্জিং স্টেশন, বড় আকারের ফটোভোলটাইক এবং বায়ু শক্তি ইনভার্টার, শক্তি সঞ্চয়কারী পিসিএস সিস্টেম, উচ্চ ভোল্টেজ শিল্প পরিবর্তনশীল ফ্রিকোয়েন্সি সরঞ্জাম,রেল পরিবহন ট্র্যাকশন সিস্টেম, এবং উচ্চমানের সামরিক শক্তি সরঞ্জাম।