কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে পুনর্ব্যবহার করুন এসটি পাওয়ার ট্রানজিস্টর: আইজিবিটি, পাওয়ার মসফেট, পাওয়ারগ্যান, সিআইসি মসফেট

ST পাওয়ার ট্রানজিস্টর পুনর্ব্যবহার করুন: IGBTs, পাওয়ার MOSFETs, পাওয়ারGaN, SiC MOSFETs

শেনজেন মিংজিয়াডা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড,চীনের একটি শীর্ষস্থানীয় ইলেকট্রনিক উপাদান পুনর্ব্যবহার পরিষেবা প্রদানকারী হিসাবে, সকল প্রকার ব্যবসার জন্য বিভিন্ন ইলেকট্রনিক উপাদান পণ্যের ব্যাপক পুনর্ব্যবহার পরিষেবা প্রদানের জন্য তার পেশাদার শিল্প দক্ষতা, বিশ্বব্যাপী পুনর্ব্যবহার নেটওয়ার্ক এবং অনুগত নিষ্পত্তি প্রক্রিয়া ব্যবহার করে। এই পরিষেবাগুলির মধ্যে রয়েছে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট, 5G চিপস, নতুন শক্তি আইসি, IoT আইসি, ব্লুটুথ আইসি, ভেহিকেল-টু-এভরিথিং (V2X) আইসি, অটোমোটিভ-গ্রেড আইসি, যোগাযোগ আইসি, আর্টিফিশিয়াল ইন্টেলিজেন্স (AI) আইসি, স্টোরেজ আইসি, সেন্সর আইসি, মাইক্রোকন্ট্রোলার আইসি, ট্রান্সসিভার আইসি, ইথারনেট আইসি, Wi-Fi চিপস, ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল, সংযোগকারী এবং আরও অনেক কিছু। এটি গ্রাহকদের ইনভেন্টরি কমাতে, স্টোরেজ স্পেস কমাতে এবং স্টোরেজ ও ব্যবস্থাপনার খরচ কমাতে সাহায্য করে।

পুনর্ব্যবহার প্রক্রিয়া:

আপনার যদি এমন ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির ইনভেন্টরি থাকে যা নিষ্পত্তি করার প্রয়োজন, তাহলে আপনি আমাদের একটি ইমেল পাঠাতে পারেন যাতে আপনি যে আইসি/মডিউলগুলি বিক্রি করতে চান তার তালিকা থাকে। আমাদের কোম্পানি আপনার প্রাঙ্গনে পেশাদার কর্মীদের পাঠাবে আপনার ইনভেন্টরি ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির প্রাথমিক পরিদর্শন এবং শ্রেণীবিভাগের জন্য এবং পুনর্ব্যবহৃত উপাদানগুলির প্রকার, পরিমাণ এবং গুণমান সহ বিভিন্ন কারণের উপর ভিত্তি করে একটি সংশ্লিষ্ট পুনর্ব্যবহারের মূল্য সরবরাহ করবে। একবার চুক্তি হয়ে গেলে, নির্দিষ্ট ডেলিভারি ব্যবস্থা নিয়ে আলোচনা করা যেতে পারে।

【IGBTs】

ST 300 থেকে 1700 V পর্যন্ত ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBTs) এর একটি বিস্তৃত পোর্টফোলিও অফার করে, যা STPOWER পরিবারের অন্তর্গত।

পরিবহন এবং সুইচ-অফ শক্তি ক্ষতির মধ্যে সেরা বাণিজ্য-বন্ধ

সর্বোচ্চ জংশন তাপমাত্রা 175°C পর্যন্ত

প্রশস্ত সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা

উন্নত পাওয়ার অপচয় এবং সর্বোত্তম তাপ ব্যবস্থাপনার জন্য কোপ্যাকেজড অ্যান্টিপ্যারালাল ডায়োড বিকল্প।

অ্যাপ্লিকেশন

সুইচিং কর্মক্ষমতা এবং অন-স্টেট আচরণের মধ্যে একটি সর্বোত্তম বাণিজ্য-বন্ধ অফার করে, ST IGBTs শিল্প ও স্বয়ংচালিত (AEC-Q101 যোগ্য) সেগমেন্টগুলির জন্য উপযুক্ত যেমন সাধারণ-উদ্দেশ্য ইনভার্টার, মোটর নিয়ন্ত্রণ, হোম অ্যাপ্লায়েন্স, HVAC, UPS/SMPS, ওয়েল্ডিং সরঞ্জাম, ইন্ডাকশন হিটিং, সৌর ইনভার্টার, ট্র্যাকশন ইনভার্টার এবং অন-বোর্ড চার্জার ও ফাস্ট চার্জার।

【পাওয়ার MOSFETs】

ST পাওয়ার MOSFET পোর্টফোলিও -100 থেকে 1700 V পর্যন্ত বিস্তৃত ব্রেকডাউন ভোল্টেজ অফার করে, যা কম গেট চার্জ এবং কম অন-রেসিস্ট্যান্সের সাথে অত্যাধুনিক প্যাকেজিংকে একত্রিত করে। আমাদের প্রক্রিয়া প্রযুক্তি MDmesh এবং STMESH ট্রেঞ্চ উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার MOSFETs এবং STripFET নিম্ন-ভোল্টেজ পাওয়ার MOSFETs-এর মাধ্যমে উন্নত পাওয়ার হ্যান্ডলিংয়ের মাধ্যমে উচ্চ-দক্ষতা সমাধান নিশ্চিত করে।

অ্যাপ্লিকেশন

সার্ভার ও টেলিকম পাওয়ার

মাইক্রোইনভার্টার

ফাস্ট চার্জ

স্বয়ংচালিত

বাড়ি এবং পেশাদার সরঞ্জাম

【পাওয়ারGaN】

ST পাওয়ার GaN ট্রানজিস্টরগুলি হল গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) ভিত্তিক অত্যন্ত দক্ষ ট্রানজিস্টর, যা একটি অপেক্ষাকৃত নতুন ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ যৌগ যা পাওয়ার রূপান্তর সমাধানে আসল অতিরিক্ত মূল্য সরবরাহ করে।

আজকের পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সের প্রধান চ্যালেঞ্জ হল উন্নত দক্ষতা এবং পাওয়ার পারফরম্যান্সের ক্রমবর্ধমান প্রয়োজনীয়তার সাথে মোকাবিলা করা এবং একই সাথে, খরচ এবং আকারের ক্রমাগত হ্রাস করা।

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) প্রযুক্তির প্রবর্তন এই দিকে চলে এবং, যেহেতু এটি ক্রমবর্ধমানভাবে বাণিজ্যিকভাবে উপলব্ধ হচ্ছে, পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এর ব্যবহার বাড়ছে।

সিলিকন প্রতিরূপের চেয়ে ভালো ফিগার-অফ-মেরিট (FOM), অন-রেসিস্ট্যান্স (RDS(on)), এবং মোট গেট চার্জ (QG) সহ, GaN পাওয়ার ট্রানজিস্টরগুলি উচ্চ ড্রেন থেকে সোর্স ভোল্টেজ ক্ষমতা, শূন্য (বা ক্যাসকোডেড ডিভাইসের ক্ষেত্রে নগণ্য) বিপরীত পুনরুদ্ধার চার্জ এবং খুব কম অভ্যন্তরীণ ক্যাপাসিট্যান্সও অফার করে। পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে দক্ষতা উন্নত করার জন্য শীর্ষস্থানীয় সমাধান, GaN প্রযুক্তি উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সিতে কাজ করতে পারে বলে এটি সবচেয়ে কঠোর শক্তি প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করা সম্ভব করে তোলে, যার ফলে সিস্টেমের আকার হ্রাস পায়। STPOWER GaN ট্রানজিস্টরগুলি দক্ষতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সমাধানের জন্য শিল্প ও স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে একটি বাস্তব সাফল্য উপস্থাপন করে।

【SiC MOSFETs】

STPOWER SiC MOSFETs-এর সাথে আগের চেয়ে আরও দক্ষ এবং কমপ্যাক্ট সিস্টেম তৈরি করুন

SiC MOSFETs-এর জন্য ধন্যবাদ আপনার পরবর্তী ডিজাইনে উদ্ভাবনী ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ উপকরণ (WBG)-এর সুবিধাগুলি আনুন। 650 থেকে 2200 V পর্যন্ত একটি বর্ধিত ভোল্টেজ পরিসীমা সহ, ST-এর সিলিকন-কার্বাইড MOSFETs খুব কম অন-স্টেট প্রতিরোধের সাথে মিলিত চমৎকার সুইচিং পারফরম্যান্স সমন্বিত সবচেয়ে উন্নত প্রযুক্তি প্ল্যাটফর্মগুলির মধ্যে একটি অফার করে।

আমাদের SiC MOSFETs-এর প্রধান বৈশিষ্ট্যগুলির মধ্যে রয়েছে:

অটোমোটিভ-গ্রেড (AG) যোগ্য ডিভাইস

খুব উচ্চ তাপমাত্রা হ্যান্ডলিং ক্ষমতা (সর্বোচ্চ TJ = 200 °C)

খুব উচ্চ সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন এবং খুব কম সুইচিং ক্ষতি

কম অন-স্টেট প্রতিরোধ

বিদ্যমান আইসিগুলির সাথে গেট ড্রাইভ সামঞ্জস্যপূর্ণ

খুব দ্রুত এবং শক্তিশালী অভ্যন্তরীণ বডি ডায়োড

আমাদের SiC MOSFET পোর্টফোলিও-এর মধ্যে অত্যাধুনিক প্যাকেজ (HiP247, H2PAK-7, TO-247 লং লিড, STPAK এবং HU3PAK) রয়েছে যা বিশেষভাবে স্বয়ংচালিত এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলির কঠোর প্রয়োজনীয়তাগুলি পূরণ করার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।