কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে সেনজেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স∙ এআই সার্ভার-গ্রেড পাওয়ার MOSFET স্টক আছে

এআই সার্ভারের জন্য মিংজিয়াদার পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলির সম্পূর্ণ পণ্য পরিসীমা

এআই কম্পিউটিং পাওয়ারের বিস্ফোরক বৃদ্ধির সাথে সাথে পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলি পাওয়ার সাপ্লাই চেইনের "বটলনেক উপাদান" হয়ে উঠেছে।

বড় মডেলের প্রশিক্ষণ ও অনুমানের জন্য বড় আকারের ক্লাস্টার স্থাপনের সাথে সাথে এটি আদর্শ হয়ে উঠেছে।এআই সার্ভারে প্রতি ক্যাবিনেটের বিদ্যুৎ খরচ ঐতিহ্যগত ১০ কিলোওয়াট থেকে বেড়ে জিবি২০০ প্ল্যাটফর্মে ১০০ কিলোওয়াট হয়েছে।, পরবর্তী প্রজন্মের প্ল্যাটফর্মগুলির লক্ষ্য 600 কিলোওয়াট থেকে 1 মেগাওয়াট। পাওয়ার সাপ্লাই আর্কিটেকচারগুলি ঐতিহ্যগত 12 ভি বাস সিস্টেম থেকে 48 ভি / 800 ভি উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি আর্কিটেকচারে দ্রুত স্থানান্তরিত হচ্ছে।শক্তি রূপান্তর পর্যায়ে সংখ্যা বৃদ্ধি এবং ক্ষণস্থায়ী বর্তমান দ্বিগুণ হিসাবে, শক্তির চাহিদা MOSFETs এবং তাদের উপর চাপানো কর্মক্ষমতা প্রয়োজনীয়তা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি পাচ্ছে।শিল্পের অনুমান অনুযায়ী, একটি একক এআই সার্ভার ঐতিহ্যগত সার্ভারের তুলনায় তিন থেকে পাঁচ গুণ বেশি পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর ব্যবহার করে।, এবং একটি একক এআই সার্ভার ক্যাবিনেটে পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টরগুলির মূল্য ২০৩০ সালের মধ্যে প্রায় ১৫,০০০ মার্কিন ডলার থেকে ১১৫,০০০ মার্কিন ডলার পর্যন্ত বৃদ্ধি পাবে বলে আশা করা হচ্ছে।

এই পটভূমিতে, শেনঝেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড, একটি অনুমোদিত স্বাধীন পরিবেশক, ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহ চেইনে প্রায় তিন দশকের অভিজ্ঞতা, leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineonএআই সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইনের জন্য, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Vishay, ROHM এবং Renesas।

এআই সার্ভারের জন্য কোর পাওয়ার এমওএসএফইটি পণ্য সিরিজ মিংজিয়াদা সরবরাহ করেছে

I. ইনফাইনোনঃ পিএফসি থেকে আইবিসি পর্যন্ত সম্পূর্ণ চেইন কভারেজ

ইনফিনিয়ন এআই সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই চেইনের মধ্যে সর্বাধিক বিস্তৃত পণ্য পোর্টফোলিও গর্বিত। মিংজিয়াদা স্টক থেকে নিম্নলিখিত মূল সিরিজ সরবরাহ করেঃ

OptiMOSTM 5/6/7 সিরিজ (মাঝারি থেকে নিম্ন ভোল্টেজ, 25V ¢ 250V): মাল্টি-ফেজ বাক রূপান্তরকারী এবং মধ্যবর্তী বাস রূপান্তরকারী (আইবিসি) এর মূল প্রয়োজনীয়তাগুলি কভার করে। এর মধ্যে OptiMOSTM 6 80V MOSFET,একটি 5×6mm2 দ্বি-পার্শ্বযুক্ত তাপ-বিচ্ছিন্ন প্যাকেজ সহ, নেতৃস্থানীয় প্রসেসর নির্মাতাদের দ্বারা আইবিসি স্তরের এআই সার্ভার প্ল্যাটফর্মগুলিতে সংহত করা হয়েছে। সর্বশেষ প্রজন্মের অপটিমোস 7 পণ্যগুলি আইবিসি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অনুকূলিত,পূর্ববর্তী প্রজন্মের তুলনায় RDS ((on) 40V ভেরিয়েন্টের জন্য 25 শতাংশ এবং 80V/100V ভেরিয়েন্টের জন্য 40 শতাংশ হ্রাস পেয়েছে. মিংজিয়াদা জনপ্রিয় এআই সার্ভার আইবিসি মডেলগুলির একটি স্টক বজায় রাখে যেমন বিএসসি050 এন 10 এনএস 5 (100 ভি / 5 এমΩ) ।

কুলমোস টিএম সি 7 / সি 8 সিরিজ (উচ্চ ভোল্টেজ, 600 ভি ₹ 950 ভি): এআই সার্ভারের সিআরপিএস পাওয়ার সাপ্লাইগুলির পিএফসি এবং এলএলসি পর্যায়ে উপযুক্ত। কুলমোস টিএম 8 ব্যবহার করে।এক্সটি ইন্টারকানেক্ট প্রযুক্তি এবং শিল্পের শীর্ষস্থানীয় তাপীয় কর্মক্ষমতা সরবরাহ করে, যা এটিকে ঐতিহ্যগত এবং এআই সার্ভার উভয়ের উচ্চ শক্তি ঘনত্বের পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইনের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে।7A) ব্যাপকভাবে শিল্প শক্তি সরবরাহ এবং সার্ভার PFC সার্কিট ব্যবহৃত হয়.

CoolSiCTM 400V সিরিজ (এসি/ডিসি পর্যায়ের জন্য নিবেদিত): দ্বিতীয় প্রজন্মের CoolSiCTM প্রযুক্তির উপর ভিত্তি করে ইনফাইনোনের 400V SiC MOSFETs বিশেষভাবে এআই সার্ভারের এসি/ডিসি পর্যায়ের জন্য তৈরি করা হয়েছে,যা 100W/in3 এর বেশি পাওয়ার ঘনত্ব এবং 99 এর PFC স্টেজের দক্ষতা সক্ষম করে.৫ শতাংশ।

স্ট্রংআইআরএফইটি সিরিজঃ মাঝারি এবং নিম্ন ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি ব্যয়বহুল সমাধান হিসাবে অবস্থান, 100V পর্যন্ত একটি ভিবিআরডিএসএস, একটি আরডিএস ((অন) যত কম 1.2mΩ এবং সর্বোচ্চ আইডি 282A,এটি এআই সার্ভারে সহায়ক পাওয়ার সাপ্লাই এবং লোড সুইচগুলির মতো অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত.

II. ON সেমিকন্ডাক্টর: PowerTrench® T10 + EliteSiCTM সমন্বিত সমাধান

ON Semiconductor এর এআই সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই সলিউশনগুলি একটি সিলিকন-ভিত্তিক + সিলিকন কার্বাইড-দ্বৈত-লাইন কনফিগারেশনের দ্বারা চিহ্নিত।সর্বশেষ প্রজন্মের T10 PowerTrench® সিরিজ একটি shielded-gate trench design utilizes, DC-DC পাওয়ার রূপান্তর পর্যায়ে উচ্চ-বর্তমান অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য বিশেষভাবে অনুকূলিত, কমপ্যাক্ট প্যাকেজের মধ্যে উচ্চতর শক্তি ঘনত্ব এবং ব্যতিক্রমী তাপীয় পারফরম্যান্স সরবরাহ করে।যখন T10 সিরিজের সাথে ব্যবহার করা হয়, EliteSiCTM 650V M3S MOSFET পূর্ববর্তী প্রজন্মের তুলনায় গেট চার্জ 50% এবং আউটপুট ক্যাপাসিটিভ শক্তি 44% হ্রাস করে,এর ফলে ডাটা সেন্টারের বিদ্যুৎ ক্ষতি প্রায় ১ শতাংশ কমে যাবে।এছাড়া, ওএন সেমিকন্ডাক্টর এম৩এস এমওএসএফইটি এবং সিআইসি জেএফইটি সমাধান ব্যবহার করে ১২ কিলোওয়াট এআই ক্লাউড কম্পিউটিং পাওয়ার মডিউল চালু করেছে।.

সেমিকন্ডাক্টর এর EliteSiC সিরিজের সিআইসি MOSFETs (যারা 650V থেকে 1700V পর্যন্ত পূর্ণ ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে),পাশাপাশি PowerTrench সিরিজের একক এন-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET যেমন NVMFS5C404NL এবং NVMFS5C456NL, এবং ছোট-লট নমুনা এবং বড়-ভলিউম অর্ডার উভয়ই সমর্থন করে।

III. ভিশাইঃ ট্রেনচফেট® জেনার V লো-অন-রেসিস্ট্যান্স সলিউশন

ভিশাই সিআরএস 5700 ডিপি একটি 150 ভোল্টের ট্রেঞ্চফেট ® জেনার V এন-চ্যানেল পাওয়ার এমওএসএফইটি যা একটি পাওয়ারপ্যাক ® এসও -8 এস (কিউএফএন 6 × 5) প্যাকেজে অবস্থিত, যার মধ্যে একটি আরডিএস ((অন) 5 এর মতো কম।6 mΩ এবং মাত্র 336 mΩ·nC এর একটি গুণমানের ফ্যাক্টর (RDS ((on) × Qg), RthJC 0.45°C/W পর্যন্ত কম, এবং 144 A পর্যন্ত একটি অবিচ্ছিন্ন ড্রেন বর্তমান।এই ডিভাইসটি বিশেষভাবে 6 কিলোওয়াট এআই সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের দক্ষতা প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে এবং সিঙ্ক্রোনস সংশোধন করার জন্য উপযুক্তসাধারণ অ্যাপ্লিকেশনগুলির মধ্যে রয়েছে এআই সার্ভার, এজ কম্পিউটিং এবং সুপার কম্পিউটার।মিংজিয়াদা সিআরএস ৫৭০০ ডিপি এবং ভিশাই ট্রেঞ্চফেট পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলির সম্পূর্ণ পরিসীমা অবিলম্বে উপলব্ধ করে.

IV. ROHM: বিশেষভাবে এআই সার্ভারে 48 ভোল্ট হট-স্টাপ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা MOSFETs

এআই সার্ভারে ৪৮ ভোল্ট পাওয়ার সাপ্লাই হট-সোয়াপ সার্কিটের জন্য রোহম ১০০ ভোল্ট পাওয়ার MOSFETs RY7P250BM এবং RS7P200BM চালু করেছে।RY7P250BM VDS = 48 V এ 16 A পর্যন্ত একটি SOA সহনশীলতা এবং 10 এমএস একটি পালস প্রস্থ অর্জন করে, এবং 1 এমএস এ 50 এ পর্যন্ত, 1.86 এমওএইচ পর্যন্ত কম প্রতিরোধের সাথে। এটি একটি বৃহত্তর SOA পরিসীমা এবং কম প্রতিরোধের মধ্যে শিল্প-নেতৃস্থানীয় ভারসাম্য অর্জন করে,এবং বিশ্বব্যাপী খ্যাতিমান ক্লাউড প্ল্যাটফর্ম দ্বারা প্রত্যয়িত এবং প্রস্তাবিত হয়েছে. RS7P200BM একটি কম্প্যাক্ট 5.0 মিমি × 6.0 মিমি প্যাকেজে শিল্প-নেতৃস্থানীয় বিস্তৃত SOA পরিসীমা অর্জন করে, উচ্চ ঘনত্বের পাওয়ার সাপ্লাই ডিজাইনের চাহিদা পূরণ করে।মিংজিয়াদা দীর্ঘদিন ধরে ROHM এন-চ্যানেল পাওয়ার MOSFETs এবং SiC MOSFET পণ্য সরবরাহ করেছে, যেমন RCX450N20 (200 V/45 A) এর মতো মডেল সহ।

V. STMicroelectronics (ST): MDmeshTM এবং STripFETTM সিরিজ

এসটি-এর পাওয়ার এমওএসএফইটিগুলি ₹১০০ ভোল্ট থেকে ১,৭০০ ভোল্ট পর্যন্ত একটি বিস্তৃত ব্রেকডাউন ভোল্টেজ পরিসীমা কভার করে।MDmesh TM উচ্চ ভোল্টেজ সিরিজ এবং STripFET TM নিম্ন ভোল্টেজ সিরিজের মাধ্যমে কম গেট চার্জ এবং কম প্রতিরোধের অর্জন. একটি সাধারণ মডেল, STW48N60M6 (600 V/48 A, 0.060 Ω), এআই সার্ভারের PFC পর্যায়ে এবং উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি / ডিসি রূপান্তর জন্য উপযুক্ত।650V2200V এর একটি বর্ধিত ভোল্টেজ পরিসীমা সহ ST ′s পণ্যগুলি অতি উচ্চ তাপমাত্রার ক্ষমতা (TJ 200°C পর্যন্ত) এবং অত্যন্ত কম স্যুইচিং ক্ষতির বৈশিষ্ট্যযুক্ত, এআই সার্ভারে উচ্চ দক্ষতার এসি/ডিসি পর্যায়ের জন্য একটি সিলিকন কার্বাইড বিকল্প সরবরাহ করে।

মিংজিয়াদা'র সরবরাহ নিশ্চিতকরণ

আসল পণ্য এবং বিস্তৃত স্টকঃ মিংজিয়াদা বিশ্বব্যাপী 500 টিরও বেশি অর্ধপরিবাহী প্রস্তুতকারকের পণ্য বিতরণ করে; সমস্ত পাওয়ার এমওএসএফইটি আসল, কারখানার সিলযুক্ত পণ্য,ব্যাচের ট্রেসাবিলিটি পরিষেবা প্রদান করেআমাদের শেনঝেন এবং হংকংয়ের দ্বৈত গুদাম কেন্দ্রগুলোতে ২ মিলিয়ন বিভিন্ন পার্ট নাম্বারের স্টক রয়েছে, যা দ্রুত "আজ অর্ডার, আগামীকাল প্রেরণ" প্রতিক্রিয়া সমর্থন করে।

নমনীয় ক্রয় এবং বিশ্বব্যাপী বিতরণঃ আমরা ছোট ব্যাচের নমুনা ক্রয় (একটি একক ইউনিট থেকে শুরু করে) এবং মিলিয়ন মিলিয়ন উত্পাদন লাইন অর্ডার উভয়ই সমর্থন করি,এআই সার্ভারের পাওয়ার সাপ্লাই প্রোটোটাইপিং থেকে শুরু করে ভর উৎপাদন পর্যন্ত পুরো চক্রের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করা. হংকং, জাপান, রাশিয়া এবং অন্যান্য স্থানে আমাদের শাখাগুলির মাধ্যমে, আমরা দ্রুত বিশ্বব্যাপী বিতরণ নিশ্চিত করার জন্য ডিএইচএল / ইউপিএস আন্তর্জাতিক শিপিং সমর্থন করি।

মিংজিয়াদার সাথে যোগাযোগ করুনঃ অফিসিয়াল ওয়েবসাইটwww.integrated-ic.com♫ সার্ভিস হটলাইন +৮৬ ১৩৪১০০১৮৫৫৫ (মিঃ চেন) ♫ ♫ ইমেইল sales@hkmjd.com