কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে ইনফিনিয়ন GaN পণ্য সরবরাহ: GaN দ্বিমুখী সুইচ, GaN কন্ট্রোলার, GaN স্মার্ট, GaN ট্রানজিস্টর

ইনফিনিয়ন GaN পণ্য সরবরাহ: GaN দ্বি-দিক সুইচ, GaN কন্ট্রোলার, GaN স্মার্ট, GaN ট্রানজিস্টর

শেনজেন মিংজিয়াডা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড,চীনের একটি শীর্ষস্থানীয় ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী হিসেবে, তার শক্তিশালী সরবরাহ শৃঙ্খল নেটওয়ার্ক এবং পেশাদার শিল্প পরিষেবা সক্ষমতা ব্যবহার করে গ্রাহকদের স্থিতিশীল এবং নির্ভরযোগ্য আসল পণ্য সরবরাহ করে।

প্রধান পণ্যগুলির মধ্যে রয়েছে:5G চিপস, নতুন শক্তি আইসি, IoT আইসি, ব্লুটুথ আইসি, যানবাহন নেটওয়ার্কিং আইসি, অটোমোটিভ-গ্রেড আইসি, যোগাযোগ আইসি, কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা আইসি, মেমরি আইসি, সেন্সর আইসি, মাইক্রোকন্ট্রোলার আইসি, ট্রান্সসিভার আইসি, ইথারনেট আইসি, ওয়াইফাই চিপস, ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল, সংযোগকারী এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক উপাদান।

কোম্পানির সরবরাহে নিম্নলিখিত মূল সুবিধা রয়েছে:

আসল প্রস্তুতকারকদের কাছ থেকে সরাসরি সরবরাহ এবং গুণমানের নিশ্চয়তা: সমস্ত পণ্য অনুমোদিত চ্যানেলের মাধ্যমে সংগ্রহ করা হয়, যা 100% আসল পণ্য নিশ্চিত করে এবং মূল প্রস্তুতকারকের সম্পূর্ণ ব্যাচ নম্বর সরবরাহ করা হয়।

মাপযোগ্য সংগ্রহ এবং খরচ অপটিমাইজেশন: একাধিক সুপরিচিত ব্র্যান্ডের সাথে গভীর সহযোগিতা এবং বৃহৎ আকারের সংগ্রহের সুবিধার মাধ্যমে, কোম্পানি ইলেকট্রনিক উপাদানগুলির সামগ্রিক খরচ উল্লেখযোগ্যভাবে কমাতে পারে, যা গ্রাহকদের জন্য অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক মূল্য সরবরাহ করে।

নমনীয় এবং দ্রুত ডেলিভারি ক্ষমতা: শেনজেন সেন্ট্রাল গুদাম এবং হংকং বন্ডেড গুদাম একসাথে কাজ করে, 48-ঘণ্টার এক্সপ্রেস ডেলিভারি সমর্থন করে, জরুরি অর্ডারগুলি 24 ঘন্টার মধ্যে দেশীয়ভাবে পাঠানো যেতে পারে।

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN)

কুলGaN™ – ডিসক্রিট ডিভাইস এবং ইন্টিগ্রেটেড সলিউশন যা ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স, শিল্প এবং স্বয়ংচালিত অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য সর্বোচ্চ দক্ষতা এবং পাওয়ার ঘনত্ব সরবরাহ করে।

ইনফিনিয়ন GaN দ্বি-দিক সুইচ পণ্য এবং অ্যাপ্লিকেশন

ইনফিনিয়নের কুলGaN™ সিরিজের দ্বি-দিক সুইচগুলি পাওয়ার রূপান্তর অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে GaN প্রযুক্তির একটি গুরুত্বপূর্ণ উদ্ভাবন দিকনির্দেশনা উপস্থাপন করে। Infineon-এর 40V দ্বি-দিক সুইচ ডিভাইসগুলি উন্নত GaN-on-Si প্রক্রিয়া প্রযুক্তি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, যা একক প্যাকেজের মধ্যে দ্বি-দিক কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ সক্ষম করতে দুটি উচ্চ-পারফরম্যান্স GaN HEMT (হাই ইলেকট্রন মোবিলিটি ট্রানজিস্টর) একত্রিত করে, যা সার্কিট ডিজাইনকে উল্লেখযোগ্যভাবে সহজ করে এবং সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়। এই ডিভাইসগুলিতে অত্যন্ত কম অন-রেজিস্ট্যান্স (সাধারণ মান 1.1mΩ থেকে 2.3mΩ) এবং অতি-দ্রুত সুইচিং গতি রয়েছে, যা 2MHz পর্যন্ত অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি সমর্থন করে—ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক MOSFET-এর পারফরম্যান্সের 5 থেকে 10 গুণ বেশি—যা তাদের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-দক্ষতা সম্পন্ন অপারেশনের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে।

GaN দ্বি-দিক সুইচগুলির মূল প্রযুক্তিগত সুবিধা হল তাদের বডি ডায়োড বিপরীত পুনরুদ্ধারের বৈশিষ্ট্যগুলির অনুপস্থিতি। সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসগুলির বিপরীতে, GaN ডিভাইসগুলি বিপরীত পরিবাহনের সময় বিপরীত পুনরুদ্ধার কারেন্ট তৈরি করে না, যা ঐতিহ্যবাহী MOSFET-গুলিতে বডি ডায়োড বিপরীত পুনরুদ্ধারের কারণে সৃষ্ট সুইচিং ক্ষতি এবং EMI সমস্যাগুলি মূলত দূর করে। Infineon-এর কুলGaN™ দ্বি-দিক সুইচগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং পরিস্থিতিতে ডিভাইস স্থিতিশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করতে এবং ড্রাইভ সার্কিট ডিজাইনকে সহজ করতে উদ্ভাবনী গেট ড্রাইভ প্রযুক্তিও ব্যবহার করে। এই বৈশিষ্ট্যগুলি GaN দ্বি-দিক সুইচগুলিকে সিঙ্ক্রোনাস সংশোধন, মোটর ড্রাইভ এইচ-ব্রিজ এবং ওয়্যারলেস চার্জিংয়ের মতো দ্বি-দিক শক্তি প্রবাহের প্রয়োজনীয় অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যতিক্রমীভাবে ভাল পারফর্ম করতে সক্ষম করে।

ইনফিনিয়ন GaN কন্ট্রোলার এবং স্মার্ট ডিভাইস সলিউশন

ইনফিনিয়নের GaN কন্ট্রোলার পণ্য লাইনে স্ট্যান্ডঅ্যালোন গেট ড্রাইভার এবং অত্যন্ত সমন্বিত ইন্টেলিজেন্ট পাওয়ার মডিউল (IPM) অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, যা GaN পাওয়ার ডিভাইসগুলির অনন্য বৈশিষ্ট্যগুলির জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে যাতে GaN প্রযুক্তির উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-দক্ষতার সুবিধাগুলি সম্পূর্ণরূপে ব্যবহার করা যায়। উল্লেখযোগ্যভাবে, NV6133A-এর মতো ইন্টেলিজেন্ট পাওয়ার আইসি, যা GaN সুইচ এবং ড্রাইভারকে একত্রিত করে, ক্ষতিহীন কারেন্ট সেন্সিং এবং ব্যাপক সুরক্ষা ফাংশন সক্ষম করতে GaNSense™ প্রযুক্তি ব্যবহার করে, যা সিস্টেম ডিজাইনকে উল্লেখযোগ্যভাবে সহজ করে এবং নির্ভরযোগ্যতা বাড়ায়।

GaNFast™ পাওয়ার আইসি হল Infineon-এর GaN কন্ট্রোলার পণ্য লাইনের ফ্ল্যাগশিপ সিরিজ। NV6133A চিপ উচ্চ-পারফরম্যান্স GaN সুইচ এবং ড্রাইভারকে একত্রিত করে, 10 থেকে 30V পর্যন্ত একটি বিস্তৃত VCC পরিসীমা সমর্থন করে, প্রোগ্রামযোগ্য টার্ন-অন dV/dt অফার করে এবং 200V/ns dV/dt প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে। ডিভাইসটিতে 800V ট্রানজিয়েন্ট ভোল্টেজ রেটিং এবং 700V অবিচ্ছিন্ন ভোল্টেজ রেটিং রয়েছে, যার অন-রেজিস্ট্যান্স মাত্র 330mΩ এবং 2MHz পর্যন্ত অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি সমর্থন করে। এর সমন্বিত GaNSense™ প্রযুক্তি শর্ট-সার্কিট সুরক্ষা, ওভার-টেম্পারেচার সুরক্ষা এবং একটি স্বায়ত্তশাসিত লো-কারেন্ট স্ট্যান্ডবাই মোডের মতো বুদ্ধিমান বৈশিষ্ট্য সরবরাহ করে, যা ঐতিহ্যবাহী ডিজাইনগুলিতে স্যাম্পলিং প্রতিরোধক থেকে পাওয়ার ক্ষতি দূর করে এবং সিস্টেমের দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা আরও বাড়ায়।

ইনফিনিয়ন GaN ট্রানজিস্টর সিরিজ

ইনফিনিয়নের GaN ট্রানজিস্টর পণ্য লাইনে মাঝারি থেকে উচ্চ ভোল্টেজ পর্যন্ত বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশন প্রয়োজনীয়তা অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, যার মধ্যে কুলGaN™ G3 (মাঝারি ভোল্টেজ), কুলGaN™ G5 (উচ্চ ভোল্টেজ) এবং শিল্প IGT সিরিজ সহ GaN ট্রানজিস্টরগুলির সম্পূর্ণ সিরিজ অন্তর্ভুক্ত। এই ডিভাইসগুলি উন্নত 8-ইঞ্চি ওয়েফার প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তৈরি করা হয়, যা পাওয়ার ঘনত্ব, সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি এবং তাপ ব্যবস্থাপনার কর্মক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে, যা তাদের ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স থেকে শিল্প বিদ্যুত সরবরাহ পর্যন্ত অত্যাধুনিক অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

কুলGaN™ G3 সিরিজ মাঝারি-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে, যার ভোল্টেজ পরিসীমা 40V থেকে 120V পর্যন্ত। এটি স্ট্যান্ডার্ডাইজড RQFN 5x6 এবং 3.3x3.3 প্যাকেজ ব্যবহার করে, যা ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক MOSFET পিনের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা গ্রাহকদের জন্য ডিজাইন স্থানান্তরের সুবিধা দেয়। এই ডিভাইসগুলিতে অত্যন্ত কম অন-রেজিস্ট্যান্স (1.1mΩ থেকে 2.3mΩ) এবং চমৎকার তাপীয় চক্র স্থিতিশীলতা রয়েছে, যা তাদের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে। USB-C দ্রুত চার্জিং ডিজাইনগুলিতে, G3 সিরিজের GaN ট্রানজিস্টরগুলি 95% এর বেশি দক্ষতা অর্জন করে এবং বিদ্যুত সরবরাহের আকার 50% এর বেশি হ্রাস করে; মোটর ড্রাইভ এবং টেলিকম পাওয়ার সাপ্লাইগুলিতে, তাদের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য ফিল্টার উপাদানগুলির আকার কমাতে এবং নিয়ন্ত্রণ ব্যান্ডউইথ বাড়াতে সহায়তা করে।

কুলGaN™ G5 সিরিজ হল উচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য Infineon-এর ফ্ল্যাগশিপ পণ্য, যা 650V পর্যন্ত ভোল্টেজে কাজ করে। এটি উদ্ভাবনী GIT (গেট ইনজেকশন ট্রানজিস্টর) প্রযুক্তি ব্যবহার করে, যা আগের প্রজন্মের তুলনায় 3% থেকে 5% দক্ষতা বৃদ্ধি করে। G5 সিরিজের GaN ট্রানজিস্টরগুলিতে অত্যন্ত কম সুইচিং ক্ষতি রয়েছে, যা শত শত kHz থেকে MHz পর্যন্ত অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি সমর্থন করে, সেইসাথে চমৎকার dv/dt প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং শর্ট-সার্কিট প্রতিরোধ ক্ষমতা প্রদান করে। ফটোভোলটাইক ইনভার্টার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, G5 ডিভাইসগুলি 99% এর বেশি রূপান্তর দক্ষতা অর্জন করে, যা বিদ্যুৎ উৎপাদন সিস্টেমের শক্তি উৎপাদনকে উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে। সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই এবং বৈদ্যুতিক গাড়ির অন-বোর্ড চার্জারগুলিতে (OBCs), তাদের উচ্চ পাওয়ার ঘনত্ব আরও কমপ্যাক্ট সিস্টেম ডিজাইন সক্ষম করে।