কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে ইনফিনিয়ন GaN পণ্য সরবরাহ করুন: GaN দ্বিমুখী সুইচ, GaN স্মার্ট, GaN ট্রানজিস্টর, GaN ইন্টিগ্রেটেড ড্রাইভার

ইনফিনিয়ন GaN পণ্য সরবরাহ: GaN দ্বিমুখী সুইচ, GaN স্মার্ট, GaN ট্রানজিস্টর, GaN ইন্টিগ্রেটেড ড্রাইভার

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. একটি সুপরিচিত ইলেকট্রনিক উপাদান পরিবেশক। একটি ব্যাপক সরবরাহ চেইন সিস্টেম, কঠোর মান নিয়ন্ত্রণ এবং অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক মূল্য সহ, আমরা গ্রাহকদের ইলেকট্রনিক উপাদান এবং চিপগুলির জন্য এক-স্টপ সংগ্রহ সমাধান সরবরাহ করি, যা বাজারে সময় এবং ব্যাপক উৎপাদন ত্বরান্বিত করতে সহায়তা করে।

[Mingjiada Electronics-এর সরবরাহ সুবিধা]

১. আসল পণ্যের নিশ্চয়তা, নির্ভরযোগ্য গুণমান: সমস্ত পণ্য সরাসরি আসল নির্মাতাদের কাছ থেকে সংগ্রহ করা হয়। আমরা আমাদের সংগ্রহ চ্যানেলগুলির উপর কঠোর নিয়ন্ত্রণ রাখি এবং প্রতিটি চিপ কঠোর মান পরীক্ষা করে। আমরা গ্রাহকদের পণ্যের স্থিতিশীল অপারেশন নিশ্চিত করার জন্য সংস্কার করা বা আলগা নতুন পণ্যগুলি কঠোরভাবে বাদ দিই, যা আপনাকে সম্পূর্ণ মানসিক শান্তি দেয়।

২. পর্যাপ্ত স্টক এবং দ্রুত প্রেরণ: বিস্তৃত ইনভেন্টরি সংস্থান এবং একটি সুপ্রতিষ্ঠিত সরবরাহ চেইন সিস্টেমের সুবিধা নিয়ে, Mingjiada Electronics মডেলগুলির সম্পূর্ণ পরিসরের স্টক বজায় রাখে। ছোট-ব্যাচ নমুনা ক্রয় বা বড় আকারের ব্যাপক উৎপাদন অর্ডারের জন্য, আমরা জরুরি উৎপাদন প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য দ্রুত প্রতিক্রিয়া জানাতে এবং দ্রুত পণ্য প্রেরণ করতে পারি, যার ফলে পণ্যের গবেষণা ও উন্নয়ন এবং ব্যাপক উৎপাদন চক্র ছোট হয়।

৩. অর্থের জন্য চমৎকার মূল্য এবং ব্যাপক পরিষেবা: শিল্প অভিজ্ঞতা এবং শক্তিশালী সংগ্রহ ক্ষমতার বছরের উপর নির্ভর করে, আমরা আমাদের গ্রাহকদের অত্যন্ত প্রতিযোগিতামূলক মূল্য সরবরাহ করি। তাছাড়া, আমাদের একটি নিবেদিত প্রযুক্তিগত সহায়তা দল রয়েছে যা পণ্য নির্বাচন, প্রযুক্তিগত পরামর্শ এবং বিক্রয়োত্তর সহায়তা সহ এক-স্টপ পরিষেবা সরবরাহ করে, যা গ্রাহকদের নির্বাচন এবং প্রয়োগ প্রক্রিয়া চলাকালীন সম্মুখীন হওয়া বিভিন্ন সমস্যা সমাধানে সহায়তা করে।

I. Infineon CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS)

Infineon-এর CoolGaN™ Bidirectional Switch হল শিল্পের প্রথম একক-চিপ, সমন্বিত, এনহ্যান্সমেন্ট-মোড GaN ডিভাইস যা দ্বিমুখী পরিবাহী এবং ব্লকিং করতে সক্ষম। এটি ঐতিহ্যবাহী সমাধানগুলিতে ব্যবহৃত জটিল 'চার-ট্রানজিস্টর সমান্তরাল' আর্কিটেকচারকে সম্পূর্ণরূপে বিপ্লব করে দ্বিমুখী সুইচিং কার্যকারিতা অর্জন করে। একটি একক ডিভাইস দিয়ে একাধিক বিচ্ছিন্ন MOSFETs প্রতিস্থাপন করে, এটি সার্কিট ডিজাইনকে উল্লেখযোগ্যভাবে সরল করে, বিল অফ মেটেরিয়ালস খরচ কমায় এবং PCB ফুটপ্রিন্ট কমিয়ে দেয়, যা এটিকে দ্বিমুখী পাওয়ার ট্রান্সফার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি বেঞ্চমার্ক পণ্য করে তোলে।

১. মূল প্রযুক্তি এবং বৈশিষ্ট্য

এই সিরিজের ডিভাইসগুলি Infineon-এর মালিকানাধীন Gate-Injected Transistor (GIT) শক্তিশালী আর্কিটেকচারের উপর ভিত্তি করে তৈরি এবং একটি ডুয়াল-গেট স্বাধীন নিয়ন্ত্রণ ডিজাইন ব্যবহার করে, যা দ্বিমুখী ভোল্টেজ ব্লকিং এবং নিয়ন্ত্রণযোগ্য দ্বিমুখী কারেন্ট কন্ডাকশন সক্ষম করে, একই সাথে বিস্তৃত অপারেটিং অবস্থার জন্য ব্যতিক্রমী অভিযোজনযোগ্যতা প্রদান করে। ডিভাইসগুলি দুটি প্রধান বিভাগে বিভক্ত: উচ্চ-ভোল্টেজ শিল্প-গ্রেড এবং নিম্ন-ভোল্টেজ সাধারণ-উদ্দেশ্য। উচ্চ-ভোল্টেজ ভ্যারিয়েন্টগুলিতে 650 V ভোল্টেজ রেটিং এবং 850 Vss এর অতি-উচ্চ সার্জ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, যা সেগুলিকে কঠোর শিল্প বৈদ্যুতিক পরিবেশের জন্য উপযুক্ত করে তোলে; অন্যদিকে, নিম্ন-ভোল্টেজ 40 V সিরিজটি ভোক্তা এবং স্বয়ংচালিত হালকা ওজনের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য তৈরি করা হয়েছে। ডিভাইসগুলি সামগ্রিকভাবে অত্যন্ত কম অন-রেজিস্ট্যান্স, কম গেট চার্জ এবং কম আউটপুট চার্জের ট্রিপল সুবিধা প্রদান করে, সুইচিং লস উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক ডিভাইসগুলির চেয়ে অনেক বেশি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কর্মক্ষমতা সরবরাহ করে। এগুলি JEDEC মানগুলিতেও প্রত্যয়িত, তাদের ধারাবাহিকতা এবং নির্ভরযোগ্যতা কঠোরভাবে যাচাই করা হয়েছে।

২. প্রতিনিধি মডেল এবং প্যাকেজ

মূল মডেলগুলির মধ্যে রয়েছে শিল্প উচ্চ-ভোল্টেজ ভ্যারিয়েন্ট IGLT65R055B2, যা চমৎকার তাপ অপচয় দক্ষতার জন্য TOLT (Top-Out-of-Line-Thermal) প্যাকেজ ব্যবহার করে, অতি-উচ্চ পাওয়ার ডেনসিটি অপারেটিং অবস্থা সমর্থন করতে সক্ষম; এবং নিম্ন-ভোল্টেজ সাধারণ-উদ্দেশ্য ভ্যারিয়েন্ট IGK080B041S, যা একটি চিপ-স্কেল প্যাকেজ ব্যবহার করে টপ-লেয়ার সুরক্ষা সহ, ক্ষুদ্র ডিভাইস ডিজাইনের জন্য উপযুক্ত একটি অত্যন্ত কমপ্যাক্ট ফর্ম ফ্যাক্টর সরবরাহ করে।

৩. মূল অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি

দ্বিমুখী চার্জিং পয়েন্ট, ব্যাটারি শক্তি সঞ্চয় ব্যবস্থা, দ্বিমুখী ডিসি-ডিসি কনভার্টার, সলিড-স্টেট সার্কিট ব্রেকার, মোটর ফরোয়ার্ড/রিভার্স কন্ট্রোল এবং নতুন শক্তি গাড়ির পাওয়ার কনভার্সন সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, এই ডিভাইসগুলি পাওয়ার ইলেকট্রনিক সিস্টেমগুলির জন্য নিখুঁতভাবে উপযুক্ত যা দ্বিমুখী পাওয়ার ফ্লো, সরলীকৃত টপোলজি এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজন।

II. Infineon CoolGaN™ Smart Devices

Infineon-এর GaN স্মার্ট ডিভাইসগুলি মৌলিক GaN পাওয়ার চিপগুলি থেকে আপগ্রেড করা সমন্বিত স্মার্ট পাওয়ার পণ্য। তারা বিচ্ছিন্ন ডিভাইসগুলিতে পাওয়া ঐতিহ্যবাহী 'পাওয়ার চিপ প্লাস পেরিফেরাল সুরক্ষা সার্কিট' সংমিশ্রণ থেকে বেরিয়ে আসে, একটি একক চিপে পাওয়ার সুইচ, সনাক্তকরণ সার্কিট, সুরক্ষা মডিউল এবং লজিক কন্ট্রোল ইউনিটগুলিকে একীভূত করে। এটি পাওয়ার ডিভাইসগুলির বুদ্ধিমান, স্ব-নিরাময় অপারেশন সক্ষম করে, সিস্টেম কমিশন জটিলতা উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং অপারেশনাল স্থিতিশীলতা বৃদ্ধি করে।

১. মূল প্রযুক্তি এবং বৈশিষ্ট্য

এই সিরিজের ডিভাইসগুলি মূল সাবস্ট্রেট হিসাবে পরিপক্ক CoolGaN™ G5-প্রজন্মের GaN প্রক্রিয়া ব্যবহার করে। তারা বুদ্ধিমান সুরক্ষা ফাংশনগুলির একটি ব্যাপক স্যুট অন্তর্ভুক্ত করে, যার মধ্যে রয়েছে ওভারকারেন্ট সুরক্ষা, ওভারটেম্পারেচার সুরক্ষা, ওভারভোল্টেজ সুরক্ষা এবং গেট অ্যান্টি-মিস-ট্রিগারিং। এই বৈশিষ্ট্যগুলি ডিভাইসের অপারেটিং অবস্থার রিয়েল-টাইম পর্যবেক্ষণ এবং অস্বাভাবিকতার ক্ষেত্রে দ্রুত স্ব-লকিং সুরক্ষা সক্ষম করে, যার ফলে ডিভাইস বার্নআউট এবং সিস্টেম ব্যর্থতা প্রতিরোধ করা যায়। বিচ্ছিন্ন সমাধানগুলির তুলনায়, এই স্মার্ট GaN ডিভাইসগুলি জটিল বাহ্যিক সুরক্ষা সার্কিটগুলির প্রয়োজনীয়তা দূর করে, বিল অফ মেটেরিয়ালস (BOM) উল্লেখযোগ্যভাবে সরল করে এবং গবেষণা ও উন্নয়ন চক্রকে ছোট করে। তারা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং অপারেশনকেও সমর্থন করে, কম লস, হস্তক্ষেপের উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং উচ্চ স্থিতিশীলতা একত্রিত করে, যা তাদের চাহিদাযুক্ত শিল্প পরিবেশের জন্য উপযুক্ত করে তোলে।

২. মূল পণ্যের সুবিধা

প্রথমত, উচ্চ ইন্টিগ্রেশন: একটি একক ডিভাইস পাওয়ার, ড্রাইভ, সুরক্ষা এবং পর্যবেক্ষণ ফাংশনগুলিকে একীভূত করে, 'প্লাগ-এন্ড-প্লে' অপারেশন সক্ষম করে; দ্বিতীয়ত, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা: অন্তর্নির্মিত হার্ডওয়্যার-স্তরের দ্রুত সুরক্ষা যা বাহ্যিক সুরক্ষা সার্কিটগুলির চেয়ে অনেক বেশি প্রতিক্রিয়া গতি সহ, ক্ষণস্থায়ী বৈদ্যুতিক সার্জের কারণে ডিভাইসের ক্ষতি প্রতিরোধ করে; তৃতীয়ত, ডিজাইনের সহজতা: কোনও জটিল প্যারামিটার ম্যাচিংয়ের প্রয়োজন নেই, প্রকৌশলীদের জন্য ডিজাইনের থ্রেশহোল্ড কমিয়ে দেয় এবং ব্যাপক উৎপাদন প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে; চতুর্থত, উচ্চ অভিযোজনযোগ্যতা: এটি মূলধারার উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি টপোলজিগুলির সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং বিভিন্ন পাওয়ার রেটিংয়ের সরঞ্জামের সাথে নমনীয়ভাবে অভিযোজিত হতে পারে।

৩. মূল অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি

প্রাথমিকভাবে শিল্প সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, উচ্চ-পাওয়ার ফাস্ট-চার্জিং অ্যাডাপ্টার, সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই, পিভি মাইক্রো-ইনভার্টার, ছোট শিল্প ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার এবং উচ্চ-পাওয়ার স্মার্ট হোম পাওয়ার সাপ্লাই সরঞ্জামগুলির লক্ষ্য - এমন পরিস্থিতি যেখানে অত্যন্ত উচ্চ স্তরের স্থিতিশীলতা, ইন্টিগ্রেশন এবং ব্যাপক উৎপাদন দক্ষতার প্রয়োজন।

III. Infineon CoolGaN™ Transistors (GaN HEMT)

Infineon-এর CoolGaN™ ট্রানজিস্টরগুলি এনহ্যান্সমেন্ট-মোড (সাধারণত-অফ) GaN হাই-ইলেকট্রন-মোবিলিটি ট্রানজিস্টর। পুরো GaN পণ্য পোর্টফোলিওর মৌলিক কোর উপাদান হিসাবে, তারা একটি পরিপক্ক GIT প্রক্রিয়া আর্কিটেকচারের উপর ভিত্তি করে তৈরি এবং অত্যন্ত কম লস, অতি-উচ্চ সুইচিং গতি এবং দীর্ঘমেয়াদী অপারেশনাল স্থিতিশীলতা একত্রিত করে। তারা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-দক্ষতা পাওয়ার কনভার্সন সিস্টেমগুলির জন্য কোর উপাদান হিসাবে কাজ করে, নিম্ন থেকে উচ্চ ভোল্টেজ পর্যন্ত ভোল্টেজ স্তরের সম্পূর্ণ পরিসরকে আচ্ছাদন করে।

১. মূল প্রযুক্তি এবং বৈশিষ্ট্য

ডিভাইসগুলি একটি গোল্ড-ফ্রি, নির্ভরযোগ্য এনহ্যান্সমেন্ট-মোড কাঠামো ব্যবহার করে যা সাধারণত-অফ অবস্থায় থাকে, যা সহজ ড্রাইভ লজিক এবং উন্নত সুরক্ষা সক্ষম করে এবং ডেপ্লেসমেন্ট-মোড ডিভাইসগুলির সাথে সম্পর্কিত পাওয়ার-আপ ঝুঁকি এড়িয়ে চলে। ঐতিহ্যবাহী সিলিকন MOSFETs-এর তুলনায়, CoolGaN™ ট্রানজিস্টরগুলি তিনটি মূল সুবিধা প্রদান করে: শূন্য রিভার্স রিকভারি চার্জ, অত্যন্ত কম গেট চার্জ এবং অত্যন্ত কম অন-স্টেট লস। তারা MHz রেঞ্জের বাইরে সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি অর্জন করতে পারে, সিস্টেম পাওয়ার ডেনসিটি উল্লেখযোগ্যভাবে বৃদ্ধি করে এবং ট্রান্সফর্মার এবং ক্যাপাসিটরের মতো প্যাসিভ উপাদানগুলির আকার হ্রাস করে। উপরন্তু, ডিভাইসগুলিতে শক্তিশালী সার্জ প্রতিরোধ ক্ষমতা, ন্যূনতম সুইচিং জিটার এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেটিং অবস্থার অধীনে চমৎকার স্থিতিশীলতা রয়েছে, যা অবিচ্ছিন্ন পূর্ণ-লোড অপারেশন সমর্থন করে।

২. পণ্যের বিভাগ এবং বৈশিষ্ট্য

ভোল্টেজ রেটিং অনুসারে, পণ্যগুলি তিনটি প্রধান সিরিজে বিভক্ত: 40V নিম্ন-ভোল্টেজ সিরিজ স্বয়ংচালিত এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত; 200V মাঝারি-ভোল্টেজ সিরিজ ছোট থেকে মাঝারি-পাওয়ার শিল্প পাওয়ার সাপ্লাইয়ের জন্য উপযুক্ত; এবং 600V/650V উচ্চ-ভোল্টেজ সিরিজ উচ্চ-পাওয়ার শিল্প এবং নতুন শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। সম্পূর্ণ পরিসর টপ-সাইড কুলিং প্যাকেজিং সমর্থন করে, যা একটি সংক্ষিপ্ত তাপ অপচয় পথ এবং কম তাপীয় প্রতিরোধ ক্ষমতা বৈশিষ্ট্যযুক্ত, উচ্চ-পাওয়ার-ডেনসিটি ইন্টিগ্রেশন সক্ষম করে এবং কমপ্যাক্ট সরঞ্জাম ডিজাইনের জন্য উপযুক্ত।

৩. মূল অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি

কার্যত সমস্ত উচ্চ-দক্ষতা পাওয়ার কনভার্সন ক্ষেত্রগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, যার মধ্যে রয়েছে উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, পিডি ফাস্ট চার্জিং, স্বয়ংচালিত পাওয়ার সাপ্লাই, ফটোভোলটাইক ইনভার্টার, শক্তি সঞ্চয় কনভার্টার, শিল্প মোটর ড্রাইভ, আরএফ পাওয়ার সাপ্লাই এবং নির্ভুল মেডিকেল পাওয়ার সাপ্লাই, এই ডিভাইসগুলি ঐতিহ্যবাহী সিলিকন-ভিত্তিক পাওয়ার ডিভাইসগুলির প্রতিস্থাপনের জন্য মূল পছন্দ।

IV. Infineon CoolGaN™ Integrated Drivers

Infineon-এর CoolGaN™ ইন্টিগ্রেটেড ড্রাইভার (CoolGaN Drive সিরিজ) GaN ডিভাইসগুলির জন্য বিশেষভাবে তৈরি অল-ইন-ওয়ান ড্রাইভ সমাধান। বিচ্ছিন্ন ড্রাইভার চিপ সমাধানগুলির বিপরীতে, এই সিরিজটি GaN পাওয়ার ট্রানজিস্টর, হাই-স্পিড গেট ড্রাইভার, বুটস্ট্র্যাপ ডায়োড এবং লেভেল-শিফটিং সার্কিটগুলিকে একটি সম্পূর্ণ পাওয়ার স্টেজ মডিউল তৈরি করতে একীভূত করে, যার ফলে GaN ডিভাইসের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ড্রাইভের সাথে সম্পর্কিত শিল্প ব্যথা পয়েন্টগুলি সম্পূর্ণরূপে সমাধান করা হয়, যেমন ক্রসস্টকের প্রতি সংবেদনশীলতা, মিথ্যা ট্রিগারিং এবং প্যারামিটার ম্যাচিংয়ের অসুবিধা।

১. মূল প্রযুক্তি এবং বৈশিষ্ট্য

প্রাথমিকভাবে G5-প্রজন্মের CoolGaN™ Drive HB সিরিজ দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা এই পরিসরটি একটি হাফ-ব্রিজ পাওয়ার স্টেজ, একটি ডেডিকেটেড গেট ড্রাইভার এবং একটি বুটস্ট্র্যাপ ডায়োডকে একটি একক, অতি-কমপ্যাক্ট 6×8 মিমি TFLGA-27 প্যাকেজে একীভূত করে, যা শিল্প-নেতৃস্থানীয় ইন্টিগ্রেশন অর্জন করে। Infineon-এর EiceDRIVER™ হাই-স্পিড ড্রাইভ প্রযুক্তির সাথে সজ্জিত, এটি 47 ns পর্যন্ত সুইচিং প্রোপাগেশন ডিলে অর্জন করে, ন্যূনতম চ্যানেল অমিল এবং চমৎকার সুইচিং ধারাবাহিকতা সহ; ড্রাইভ কারেন্ট নমনীয়ভাবে সামঞ্জস্যযোগ্য এবং প্রোগ্রামযোগ্য সুইচিং গতি সমর্থন করে, যা অপারেটিং অবস্থার উপর নির্ভর করে পাওয়ার লস এবং ইএমআই পারফরম্যান্সের মধ্যে ভারসাম্য বজায় রাখার অনুমতি দেয়। একই সময়ে, এটি UVLO (আন্ডার-ভোল্টেজ লক-আউট), অ্যান্টি-ক্রসস্টক এবং নেতিবাচক ভোল্টেজ শাটডাউন-এর মতো একাধিক সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য অন্তর্ভুক্ত করে, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সিতে GaN ডিভাইসগুলিতে মিথ্যা ট্রিগারিংয়ের সমস্যা সম্পূর্ণরূপে দূর করে।

২. প্রতিনিধি মডেল এবং পারফরম্যান্স সুবিধা

ফ্ল্যাগশিপ মডেলগুলির মধ্যে রয়েছে IGI60L14 সিরিজ এবং IGI60F2020A1L, অন্যান্য 600V উচ্চ-ভোল্টেজ ইন্টিগ্রেটেড ড্রাইভার মডিউলগুলির মধ্যে। 2ED21814S06J এবং 1EDN7116U-এর মতো ডেডিকেটেড GaN ড্রাইভার আইসিগুলির সাথে যুক্ত হলে, তারা একটি সম্পূর্ণ ড্রাইভার সমাধান তৈরি করে। সামগ্রিক সমাধানটি পেরিফেরাল উপাদানগুলির সংখ্যা 50 শতাংশের বেশি হ্রাস করে, PCB লেআউটকে উল্লেখযোগ্যভাবে সরল করে, ইএমআই ডিবাগিংয়ের জটিলতা হ্রাস করে, একই সাথে সিস্টেমের দক্ষতা এবং পাওয়ার ডেনসিটি বৃদ্ধি করে এবং ব্যতিক্রমী ব্যাপক উৎপাদন স্থিতিশীলতা সরবরাহ করে।

৩. মূল অ্যাপ্লিকেশন পরিস্থিতি

প্রাথমিকভাবে হাফ-ব্রিজ এবং ফুল-ব্রিজ টপোলজি ব্যবহারকারী ডিভাইসগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, এই মডিউলগুলি উচ্চ-পাওয়ার ফাস্ট-চার্জিং পাওয়ার সাপ্লাই, উচ্চ-দক্ষতা সার্ভার পাওয়ার সাপ্লাই, শিল্প উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার, নতুন শক্তি গাড়ির অন-বোর্ড কনভার্সন সিস্টেম এবং শক্তি সঞ্চয় মাইক্রো-ইনভার্টারগুলির মতো উচ্চ-প্রান্তের অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত। তারা উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ-দক্ষতা এবং কমপ্যাক্ট পাওয়ার সরঞ্জামের জন্য সর্বোত্তম ড্রাইভ সমাধানগুলির মধ্যে একটি।