কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে সাপ্লাই মেমোরি চিপ, সাপ্লাই ইনফাইনন ফেরো ইলেকট্রিক র্যাম মেমোরি, এনওআর ফ্ল্যাশ মেমোরি, নন ভল্যাটাইল এসআরএএম মেমোরি, এসআরএএম মেমোরি

সাপ্লাই মেমোরি চিপ, সাপ্লাই ইনফিনিয়ন ফেরো ইলেকট্রিক র্যাম মেমোরি, এনওআর ফ্ল্যাশ মেমোরি, নন ভল্যাটাইল এসআরএএম মেমোরি, এসআরএএম মেমোরি

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড।¢ [ইনফাইনন] মেমরি চিপগুলির দীর্ঘমেয়াদী সরবরাহ, যা F-RAM মেমরি (ফিরো-ইলেকট্রিক RAM), NOR ফ্ল্যাশ মেমরি (Flash) মেমরি, nvSRAM (nonvolatile SRAM) মেমরিকে অন্তর্ভুক্ত করে,স্ট্যাটিক র্যান্ডম মেমরি এবং অন্যান্য পণ্যএই পণ্যগুলির বিবরণ নিচে দেখানো হয়েছে:

1. F-RAM (ফেরো ইলেকট্রিক RAM) মেমরি
মূল সুবিধা: উচ্চ গতির অ-অস্থায়ী লেখা, অতি দীর্ঘ জীবন (> 10 ^ 14 পড়া / লেখা), মাইক্রোসেকেন্ড লেখার গতি, অত্যন্ত কম শক্তি খরচ, উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা।
প্রচলিত অ্যাপ্লিকেশনঃ ডেটা লগিং (ব্ল্যাক বক্স, যন্ত্রপাতি), শিল্প নিয়ন্ত্রণ, চিকিৎসা সরঞ্জাম, স্মার্ট মিটার, আরএফআইডি ট্যাগ, এমন দৃশ্যকল্প যা ঘন ঘন এবং দ্রুত অ-অস্থির ডেটা লেখার প্রয়োজন।
মিংজিয়াদা দ্বারা সরবরাহিত সাধারণ মডেলঃ
CY15B104Q: 4-এমবিট (512K x 8) সিরিয়াল (এসপিআই) এফ-র্যাম, শিল্প গ্রেড তাপমাত্রা পরিসীমা।
সিওয়াই১৫ভি১০৪কিউঃ ৪ এমবিট (৫১২ কে এক্স ৮) সিরিয়াল (এসপিআই) এফ-র্যাম, বিস্তৃত ভোল্টেজ পরিসীমা (১.৭১ ভি - ৩.৬ ভি) ।
FM28V100: 1-এমবিট (128 কে এক্স 8) সমান্তরাল এফ-র্যাম, উচ্চ গতির ইন্টারফেস।

2. অথবা ফ্ল্যাশ মেমরি
মূল সুবিধাঃ উচ্চ গতির এলোমেলো পাঠ (এক্সআইপি সমর্থন), উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা, দীর্ঘ ডেটা সংরক্ষণ, সহজ সংহতকরণ।
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনঃ অটোমোটিভ ইলেকট্রনিক্স (ড্যাশবোর্ড, এডিএএস), শিল্প নিয়ন্ত্রণ, নেটওয়ার্কিং ডিভাইস, আইওটি ডিভাইস, ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স (সেট-টপ বক্স, রাউটার), পরিধানযোগ্য ডিভাইসে কোড স্টোরেজ।
মিংজিয়াদা সাধারণ মডেল সরবরাহ করে:
S25FL128L: 128-Mbit SPI NOR Flash, উচ্চ কার্যকারিতা, Quad SPI সমর্থন, অটোমোবাইল গ্রেড সার্টিফাইড।
S70GL01GT: 1-জিবিট (128M x 8) সমান্তরাল NOR ফ্ল্যাশ, উচ্চ গতির পাঠ / লেখার অপারেশন।
S25HS512T: 512-এমবিট SPI NOR Flash (Octal SPI), অত্যন্ত উচ্চ তথ্য স্থানান্তর হার।

3এনভিএসআরএএম (নন-ভোলটাইটাল এসআরএএম)
প্রধান সুবিধাঃ এসআরএএম স্তরের গতি (কোনও লেখার বিলম্ব নেই), সীমাহীন পাঠ এবং লেখার, স্বয়ংক্রিয় ডেটা সুরক্ষা (মিলিসেকেন্ড সংরক্ষণ), দীর্ঘ ডেটা সংরক্ষণ (> 20 বছর),এবং উচ্চ স্থায়িত্ব (> 10 ^ 6 ধরে রাখা).
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনঃ উচ্চ গতির ডেটা ক্যাশিং, মিশন-ক্রিটিক্যাল স্টোরেজ (আর্থিক লেনদেন, শিল্প নিয়ন্ত্রণ), শূন্য লেখার বিলম্বের প্রয়োজন নেই এমন অ-অস্থির স্টোরেজ,ব্যাটারি চালিত ডিভাইসের জন্য কনফিগারেশন স্টোরেজ (কোন ব্যাটারি প্রয়োজন নেই).
মিংজিয়াদা দ্বারা সরবরাহিত সাধারণ মডেলঃ
CY14B101NA: 1-Mbit (128K x 8) সমান্তরাল nvSRAM, উচ্চ গতির অ্যাসিনক্রোন ইন্টারফেস।
CY14E101Q: 1-এমবিট (128K x 8) সিরিয়াল (এসপিআই) এনভিএসআরএএম, পিন-সঞ্চয়।
CY14V101QS: 1-Mbit (128K x 8) সিরিয়াল (SPI) nvSRAM, ওয়াইড ভোল্টেজ রেঞ্জ।

4. এসআরএএম স্ট্যাটিক র্যান্ডম মেমরি
মূল সুবিধা: অতি উচ্চ গতির অ্যাক্সেস, শূন্য রিফ্রেশ ওভারহেড, সহজ ইন্টারফেস, ব্যবহার করা সহজ।
সাধারণ অ্যাপ্লিকেশনঃ ক্যাশে (সিপিইউ এল১/এল২/এল৩ ক্যাশে), নেটওয়ার্ক প্রসেসর বাফার, উচ্চ গতির ডেটা অধিগ্রহণ, এফপিজিএ কনফিগারেশন মেমোরি, অতি-নিম্ন বিলম্ব এবং নির্ধারকতা প্রয়োজনকারী সমালোচনামূলক নিবন্ধক,ব্যাটারি চালিত RAM (শক্তি খরচ বিবেচনা).
মিংজিয়াদা দ্বারা সরবরাহিত সাধারণ মডেলঃ
CY62167EV30: 16-এমবিট (1 এম এক্স 16 / 2 এম এক্স 8) হাই-স্পিড অ্যাসিনক্রোনস লো-পাওয়ার এসআরএএম।
CY14X101KA: কম শক্তির (LP) SRAM পরিবারের সদস্য (যেমন 1Mb, 4Mb) ব্যাটারি চালিত অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অপ্টিমাইজড।

মিংজিয়াদা পরিষেবাঃ গুণমান নিশ্চিতকরণ, ছোট লট সংগ্রহ এবং কাস্টমাইজড নির্বাচন সমর্থন।
সাপ্লাই চেইনের সুবিধাঃ মিংজিয়াওডা ইলেকট্রনিক ইনভেন্টরি মূলধারার মডেলগুলিকে কভার করে এবং দ্রুত বিতরণকে সমর্থন করে।
কোম্পানির URL:https://www.integrated-ic.com/