কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে পাওয়ার মডিউলগুলিতে সরবরাহঃ আইজিবিটি মডিউল, এমওএসএফইটি মডিউল, স্মার্ট পাওয়ার মডিউল, সিআইসি মডিউল

পাওয়ার মডিউলগুলিতে সরবরাহঃ আইজিবিটি মডিউল, এমওএসএফইটি মডিউল, স্মার্ট পাওয়ার মডিউল, সিআইসি মডিউল

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড।একজন পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী, যার লক্ষ্য “গ্রাহকদের সেবা করা, গ্রাহকদের উপকৃত করা”,সরবরাহ চেইন ম্যানেজমেন্ট এবং পণ্য লাইন সম্প্রসারণের মাধ্যমে ক্রমাগত অপ্টিমাইজেশান, ইলেকট্রনিক উপাদান বিতরণ ক্ষেত্রে একটি বিশ্বব্যাপী রেফারেন্স এন্টারপ্রাইজ হয়ে উঠেছে।

প্রধান পণ্য৫জি চিপ, নতুন এনার্জি আইসি, আইওটি আইসি, ব্লুটুথ আইসি, টেলিমেটিক্স আইসি, অটোমোটিভ গ্রেড আইসি, যোগাযোগ আইসি, এআই আইসি, মেমরি আইসি, সেন্সর আইসি, মাইক্রোকন্ট্রোলার আইসি, ট্রান্সসিভার আইসি, ইথারনেট আইসি,ওয়াইফাই চিপ, বেতার যোগাযোগ মডিউল, সংযোগকারী এবং অন্যান্য ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহ সুবিধা

সরবরাহের সুবিধা

বিশাল স্টক সিস্টেমঃ কোম্পানিটির 2 মিলিয়নেরও বেশি ধরণের স্টক সুবিধাজনক মডেল রয়েছে, যা সামরিক-গ্রেড, শিল্প-গ্রেড,যোগাযোগ এবং সব ধরনের ঠান্ডা এবং গরম উচ্চ প্রযুক্তির উপাদান, দ্রুত গ্রাহকদের জরুরী চাহিদা সাড়া দিতে পারে, উল্লেখযোগ্যভাবে গ্রাহকের গবেষণা ও উন্নয়ন এবং উৎপাদন চক্র সংক্ষিপ্ত।

কঠোর মানের নিশ্চয়তাঃ সরবরাহ করা সমস্ত উপাদানগুলি মূল নির্মাতারা বা অনুমোদিত চ্যানেলগুলি থেকে আসে, সম্পূর্ণ লট ট্র্যাকযোগ্যতা এবং গ্যারান্টি পরিষেবা সরবরাহ করে।কোম্পানি কঠোরভাবে ISO9001 বাস্তবায়নঃ২০১৪ গুণমান ব্যবস্থাপনা সিস্টেম প্রতিটি পণ্যের নির্ভরযোগ্যতা এবং ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করতে।

দক্ষ লজিস্টিক নেটওয়ার্কঃ সারা বিশ্বে শাখা এবং লজিস্টিক অংশীদারদের সাথে, আমরা 1-3 দিনের দ্রুত ডেলিভারি অর্জন করতে সক্ষম এবং 1 টুকরো হিসাবে ছোট নমনীয় সোর্সিং মডেল সমর্থন করি।এই দক্ষ সরবরাহ চেইন ক্ষমতা বিশেষ করে গবেষণা ও উন্নয়ন পর্যায়ে ছোট লটের প্রয়োজনীয়তা এবং জরুরী অর্ডার প্রক্রিয়াকরণের জন্য উপযুক্ত.

আইজিবিটি মডিউলঃ উচ্চ শক্তি ঘনত্ব এবং নির্ভরযোগ্যতার নিখুঁত সমন্বয়

আধুনিক পাওয়ার ইলেকট্রনিক সিস্টেমের মূল ডিভাইস হিসাবে আইসোলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (আইজিবিটি) মডিউলগুলি মাঝারি থেকে উচ্চ শক্তি অ্যাপ্লিকেশনগুলির ক্ষেত্রে আধিপত্য বিস্তার করে।ON এর IGBT মডিউল তাদের কম ক্ষতির জন্য পরিচিত, উচ্চ সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি এবং শক্তিশালী স্থায়িত্ব, এবং প্রধান সরঞ্জাম যেমন বৈদ্যুতিক মোটর ড্রাইভ, ফোটোভোলটাইক ইনভার্টার, অবিচ্ছিন্ন শক্তি সরবরাহ (ইউপিএস),এবং শিল্প ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টারএই মডিউলগুলি উন্নত ট্রেঞ্চ ফিল্ড স্টপ প্রযুক্তি ব্যবহার করে যা পরিবাহী এবং স্যুইচিং ক্ষতির মধ্যে সর্বোত্তম ভারসাম্য অর্জন করে, সামগ্রিক সিস্টেমের দক্ষতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে।

ওএন আইজিবিটি মডিউলের প্রযুক্তিগত সুবিধা প্রধানত তিনটি দিক থেকে প্রতিফলিত হয়ঃ প্রথমত, এটি একটি পরিমার্জিত ট্রেঞ্চ গেট কাঠামো গ্রহণ করে,যা অন-স্টেট ভোল্টেজ ড্রপ (ভিসিই ((স্যাট)) উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে এবং অন-স্টেটে পাওয়ার ক্ষতি হ্রাস করেদ্বিতীয়ত, ক্ষেত্রের সমাপ্তি স্তরের অনুকূলিত নকশা মডিউলকে দ্রুত সুইচিং গতি এবং কম সুইচিং ক্ষতির অনুমতি দেয়, যা উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্পের জন্য উপযুক্ত;এবং অবশেষে, মডিউলটিতে একটি অভ্যন্তরীণ তাপমাত্রা সেন্সর এবং বর্তমান সনাক্তকরণ ফাংশন অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, যা সিস্টেমের সামগ্রিক দক্ষতার বাস্তবায়নকে সহজ করে তোলে।আইজিবিটি মডিউলগুলি বিভিন্ন পাওয়ার স্তরের অ্যাপ্লিকেশনগুলির চাহিদা মেটাতে 600V থেকে 1700V পর্যন্ত ভোল্টেজ রেটিং এবং 30A থেকে শত শত এম্পিয়ার পর্যন্ত বর্তমান ক্ষমতাতে উপলব্ধ.

এমওএসএফইটি মডিউলঃ উচ্চ গতির সুইচিং এবং উচ্চ দক্ষতা রূপান্তর জন্য আদর্শ

মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি) মডিউলগুলি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি সুইচিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে অনন্য সুবিধা প্রদর্শন করে। ওএন এর এমওএসএফইটি মডিউলগুলি শক্তি রূপান্তর,অটোমোবাইল ইলেকট্রনিক্স, এবং শিল্প নিয়ন্ত্রণ সিস্টেম তাদের চমৎকার সুইচিং কর্মক্ষমতা এবং কম প্রতিরোধের বৈশিষ্ট্য কারণে।মডুলার প্যাকেজ উচ্চতর শক্তি ঘনত্ব প্রদান করে, উন্নত তাপীয় কর্মক্ষমতা এবং সরলীকৃত সিস্টেম ডিজাইন, যা মাঝারি থেকে উচ্চ শক্তি অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্পের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত।

ON MOSFET মডিউলের প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্যগুলি মূলত চারটি দিক থেকে প্রতিফলিত হয়ঃ প্রথমত,সুপার জংশন (সুপার জংশন) প্রযুক্তির সাথে MOSFET মডিউল উচ্চ ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে খুব কম অন প্রতিরোধ (RDS ((on)) অর্জন করেদ্বিতীয়ত, অপ্টিমাইজড গেট ডিজাইন দ্রুত সুইচিং সক্ষম করে এবং সুইচিং প্রক্রিয়ার সময় শক্তি ক্ষতি হ্রাস করে; এবং তৃতীয়ত,মডিউল ভিতরে একাধিক MOSFET চিপ একীভূত, যা সম্পূর্ণ ব্রিজ, অর্ধ-ব্রিজ এবং ছয়টি গ্রুপের মতো বিভিন্ন টপোলজি সমর্থন করতে পারে; অবশেষে, উন্নত প্যাকেজিং প্রযুক্তি ভাল তাপ পরিবাহিতা কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে,উচ্চ তাপমাত্রা পরিবেশে মডিউলকে স্থিতিশীলভাবে কাজ করার অনুমতি দেয়.মোসফেট মডিউলের ভোল্টেজ স্তর 40V থেকে 900V পর্যন্ত, যা নিম্ন-ভোল্টেজ ডিসি-ডিসি রূপান্তরকারী থেকে উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার সাপ্লাই সিস্টেমের বিভিন্ন চাহিদা পূরণ করে।

ইন্টেলিজেন্ট পাওয়ার মডিউল (আইপিএম): ইন্টিগ্রেশন এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতার নিখুঁত অভিব্যক্তি

ইন্টেলিজেন্ট পাওয়ার মডিউল (আইপিএম) পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স সংহতকরণের সর্বোচ্চ স্তরের প্রতিনিধিত্ব করে। ON এর আইপিএম পণ্যগুলি উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ডিভাইস, গেট ড্রাইভ সার্কিট,এবং সুরক্ষা ফাংশন এক প্যাকেজেএটি ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স, শিল্প নিয়ন্ত্রণ এবং অটোমোটিভ অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে মোটর ড্রাইভের দৃশ্যের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত।এই মডিউলগুলি 50W থেকে 10kW পর্যন্ত বিস্তৃত ক্ষমতা রেটিং সরবরাহ করে, এবং বিভিন্ন টপোলজি যেমন থ্রি-ফেজ ইনভার্টার, পিএফসি (পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন) এবং ইনপুট ব্রিজ রিক্টিফায়ার সমর্থন করে।

ON IPM এর মূল সুবিধা প্রধানত চারটি দিক থেকে প্রতিফলিত হয়ঃ প্রথমত, অত্যন্ত সমন্বিত নকশা বাহ্যিক উপাদান এবং PCB এলাকার সংখ্যা হ্রাস করে, সিস্টেমের জটিলতা এবং খরচ হ্রাস করে;দ্বিতীয়ত, অন্তর্নির্মিত ড্রাইভার সার্কিটটি বিদ্যুৎ সরঞ্জামগুলির সুইচিং বৈশিষ্ট্যগুলিকে সর্বোত্তম করে তোলে এবং বৈদ্যুতিন চৌম্বকীয় হস্তক্ষেপ (ইএমআই) হ্রাস করে; তৃতীয়ত,বিস্তৃত সুরক্ষা ফাংশন (ওভারকরেন্ট সহ)আইপিএম প্রোডাক্ট লাইনটি নিম্ন ও মাঝারি ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলিকে 600V পর্যন্ত কভার করে।বিভিন্ন শক্তি স্তরের চাহিদা মেটাতে কয়েক এমপি থেকে কয়েক ডজন এমপি পর্যন্ত বর্তমান ক্ষমতা সহ.

সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) মডিউলঃ পরবর্তী প্রজন্মের পাওয়ার ডিভাইসের জন্য একটি প্রযুক্তিগত বেঞ্চমার্ক

সিলিকন কার্বাইড (সিআইসি) পাওয়ার মডিউলগুলি পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির অগ্রণী উন্নয়ন দিকের প্রতিনিধিত্ব করে।ON এর SiC মডিউলগুলি তৃতীয় প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী উপাদান সিলিকন কার্বাইড (SiC) বেস ডিভাইস হিসাবে ব্যবহার করে, যা উচ্চ তাপমাত্রা সহনশীলতা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি বৈশিষ্ট্য এবং কম পরিবাহিতা ক্ষতির মতো উল্লেখযোগ্য সুবিধা রয়েছে,এবং বৈদ্যুতিক যানবাহনের মতো প্রযুক্তির ক্ষেত্রের আপগ্রেড চালাচ্ছেপ্রচলিত সিলিকন-ভিত্তিক পাওয়ার ডিভাইসের তুলনায়,সিআইসি মডিউলগুলি সিস্টেমের দক্ষতা ৩-৫% বৃদ্ধি করতে পারে এবং শক্তি খরচ ৩০% এরও বেশি হ্রাস করতে পারে, সিস্টেমের আকার এবং ওজন উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে, তাদের শক্তি দক্ষতা এবং শক্তি ঘনত্বের চ্যালেঞ্জগুলি পূরণের জন্য একটি আদর্শ সমাধান করে তোলে।

ON SiC মডিউলগুলির প্রযুক্তিগত সুবিধা প্রধানত পাঁচটি দিক থেকে প্রতিফলিত হয়ঃ প্রথমত,সিআইসি উপাদানটির উচ্চ সমালোচনামূলক ভাঙ্গন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি ডিভাইসটিকে উচ্চতর ভোল্টেজে কাজ করার অনুমতি দেয় যখন ড্রিফট অঞ্চলের বেধ হ্রাস করে, যা অন প্রতিরোধকে হ্রাস করে; দ্বিতীয়ত, SiC (3.26eV) এর বিস্তৃত ব্যান্ডউইথ নিষিদ্ধ বৈশিষ্ট্যটি ডিভাইসটিকে উচ্চতর তাপমাত্রায় (২০০ ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে) কাজ করার অনুমতি দেয়,যা তাপ অপসারণ সিস্টেমের জটিলতা হ্রাস করেতৃতীয়ত, সিআইসি ডিভাইসগুলিতে কার্যত কোনও বিপরীত পুনরুদ্ধার বর্তমান নেই, এটি সুইচিংয়ের ক্ষতিগুলি নাটকীয়ভাবে হ্রাস করে এবং উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশনকে অনুমতি দেয়;চমৎকার তাপ পরিবাহিতা (সিলেকশনের তুলনায় প্রায় তিনগুণ) শক্তি ঘনত্ব উন্নত করে এবং আরও কমপ্যাক্ট সিস্টেমের অনুমতি দেয়; এবং অবশেষে, উন্নত সামগ্রিক সিস্টেম দক্ষতা শক্তি খরচ এবং তাপ অপসারণের প্রয়োজনীয়তা হ্রাস করে, যার ফলে একটি ভার্চুয়াল চক্র ঘটে।বিশুদ্ধ সিআইসি মডিউল এবং সিআইসি/সিআইসি হাইব্রিড মডিউলউচ্চ-ভোল্টেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির চাহিদা মেটাতে ভোল্টেজ স্তরগুলি মূলত 1200V এবং 1700V।