কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে কোভো আরএফ ট্রানজিস্টর সরবরাহ করুন: GaAs PHEMT, GaN HEMT

কোভো আরএফ ট্রানজিস্টর সরবরাহ করুন: GaAs PHEMT, GaN HEMT

শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড. ইলেকট্রনিক উপাদান বিক্রয়ের উপর বিশেষীকরণ করেছে। ধারাবাহিক মানের, সময়মত ডেলিভারি এবং পেশাদারী সেবা দিয়ে, আমরা আমাদের গ্রাহকদের একটি দক্ষ,সুবিধাজনক এবং উচ্চ মানের সংগ্রহ অভিজ্ঞতা.

আমাদের ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহের মূল সুবিধাঃ

1- ব্র্যান্ড এবং পণ্য বিভাগের বিস্তৃত কভারেজ, এক স্টপ অর্ডার পরিষেবা সরবরাহ করে

আমরা বিশ্বব্যাপী 500 টিরও বেশি শীর্ষস্থানীয় মূল সরঞ্জাম প্রস্তুতকারকদের (ওইএম) সাথে সহযোগিতা করি, আমাদের পণ্য পরিসীমাটি এআই চিপ, পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর,অপটিক্যাল যোগাযোগ, এমসিইউ, অটোমোটিভ-গ্রেড সেন্সর, মেমরি এবং ওয়্যারলেস আইওটি ডিভাইস।

ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স, শিল্প ইলেকট্রনিক্স, অটোমোবাইল ইলেকট্রনিক্স, নতুন শক্তি, ডেটা সেন্টার এবং 5 জি যোগাযোগের মতো সেক্টরগুলি পরিবেশন করা,আমরা আমাদের গ্রাহকদের সম্পূর্ণরূপে পূরণ করতে সক্ষম √ বিল অব মটরিয়াল (বিওএম) প্রয়োজনীয়তা, এবং এমনকি কুলুঙ্গি, বন্ধ বা খুঁজে পাওয়া কঠিন উপাদান উত্স করতে পারেন।

2. কঠোর সত্যতা নিয়ন্ত্রণ এবং একটি বিস্তৃত গুণমান ব্যবস্থাপনা সিস্টেম

আমরা সরাসরি অনুমোদিত চ্যানেলের মাধ্যমে সরবরাহ করি, 100% মূল প্রস্তুতকারকের প্যাকেজিং নিশ্চিত করে এবং লটের সম্পূর্ণ ট্র্যাকযোগ্যতা,পুনর্নবীকরণ করা বা নতুন নতুন উপাদান বিক্রয় কঠোরভাবে নিষিদ্ধ.

আমরা আইএসও 9001 (গুণমান) এবং আইএসও 14001 (পরিবেশ) এর দ্বৈত শংসাপত্র পেয়েছি; আমাদের অটোমোবাইল-গ্রেড উপাদানগুলি AEC-Q100 মান মেনে চলে,তাদের উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা শিল্প ও অটোমোবাইল প্রকল্পের জন্য উপযুক্ত করা.

3দুটি গুদামে বিপুল সঞ্চয়, কার্যকর বিতরণ

আমরা শেনঝেন এবং হংকংয়ে দুটি স্মার্ট গুদাম পরিচালনা করি, সারা বছর ধরে ২ মিলিয়নেরও বেশি এসকিউইয়ের স্টক বজায় রাখি।আমরা ব্যাপক পরিমাণে উচ্চ চাহিদা চিপ সঞ্চয় শিল্প জুড়ে ঘাটতি এবং সরবরাহ ব্যাঘাত কমাতে.

দ্রুত পূরণঃ স্ট্যান্ডার্ড অর্ডার 1 ¢ 3 দিনের মধ্যে বিতরণ করা হয়; জরুরী অর্ডার 4 ঘন্টার মধ্যে গুদাম থেকে প্রেরণ করা হয় এবং 24 ঘন্টার মধ্যে পাঠানো হয়।

4- পুরো উৎপাদন চক্র জুড়ে প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য নমনীয় সংগ্রহের মডেল

কম ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণ, মাত্র এক টুকরো থেকে নমুনা পাওয়া যায়, গবেষণা ও উন্নয়ন প্রোটোটাইপিংয়ের চাহিদা মেটাতে (ছোট লট),পরীক্ষামূলক উৎপাদন (মাঝারি লট) এবং কারখানার বাল্ক ক্রয়.

5আপনার মানসিক শান্তির জন্য ব্যাপক সহায়তা সেবা

স্ট্যান্ডার্ড পদ্ধতির মাধ্যমে ২৪ ঘণ্টার মধ্যে আনুষ্ঠানিক দরপত্র প্রদানের মাধ্যমে দ্রুত উদ্ধৃতি প্রতিক্রিয়া;হংকং এবং শেনজেন অঞ্চলে একাধিক বিতরণ পদ্ধতি সমর্থনকারী বিভিন্ন সরবরাহ সমাধান; ইন্টিগ্রেটেড প্রাক বিক্রয় পণ্য নির্বাচন, ইন-বিক্রয় ফলো-আপ এবং বিক্রয়োত্তর গ্যারান্টি সেবা, একাধিক সরবরাহকারীদের সাথে যোগাযোগের সাথে সম্পর্কিত খরচ হ্রাস।

I. Qorvo GaAs pHEMT (গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ছদ্ম-উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর)

প্রযুক্তিগত নীতিমালা

GaAs pHEMT একটি AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure উপর কেন্দ্রীভূত করা হয়,যেখানে গ্রিড স্ট্রেন একটি ছদ্মরূপ গঠন গঠন করে এবং একটি দ্বি-মাত্রিক ইলেকট্রন গ্যাস heterojunction ইন্টারফেস এ উৎপন্ন হয়. ডোপ্যান্ট অমেধ্য থেকে ইলেকট্রনগুলির স্থানিক বিচ্ছেদ উল্লেখযোগ্যভাবে ছড়িয়ে পড়া ক্ষতি হ্রাস করে, অতি উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা অর্জন করে। Qorvo পরিপক্ক, ভর উত্পাদিত 0.15 μm এবং 0.0 μm।25 μm E-pHEMT প্রক্রিয়া, ভারসাম্যপূর্ণ এম্প্লিফায়ার এবং বিচ্ছিন্ন এলএনএগুলির জন্য কাস্টমাইজড সার্কিট ডিজাইনগুলি সমর্থন করার জন্য নগ্ন ডাই এবং স্ট্যান্ডার্ড প্যাকেজযুক্ত ডিভাইস উভয়ই সরবরাহ করে।

মূল বৈশিষ্ট্য

অত্যন্ত কম গোলমাল কর্মক্ষমতাঃ 0.15 ডিবি হিসাবে কম গোলমালের পরিসংখ্যান সহ, এটি মাইক্রোওয়েভ রিসিভারের ফ্রন্ট-এন্ডের কম গোলমালের এম্প্লিফায়ারগুলির জন্য পছন্দসই পছন্দ;

চমৎকার উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি লাভঃ DC থেকে 22 GHz পর্যন্ত অপারেটিং ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা, সমতল ব্রডব্যান্ড লাভ এবং চমৎকার রৈখিকতার সাথে;

ভারসাম্যপূর্ণ শক্তি এবং দক্ষতাঃ পাওয়ার ক্লাসের পিএইচইএমটিগুলি সাধারণত 22~28 ডিবিএম P1dB আউটপুট শক্তি সরবরাহ করে, 12 গিগাহার্টজে 55%~58% পাওয়ার অ্যাড ইফেক্সিটি (PAE) অর্জন করে;

নমনীয় সমাধানঃ একক ডিভাইস বা মেলে মেলে জোড়া খালি মুর্তি হিসাবে উপলব্ধ, আরএফ ইঞ্জিনিয়ারদের নিজস্ব মেলে সার্কিট ডিজাইন করার জন্য উপযুক্ত; ডিভাইসগুলি RoHS প্রবিধানের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।

প্রতিনিধিত্বমূলক ডিভাইস এবং সাধারণ পরামিতি

QPD2025D: 0.25 μm GaAs pHEMT, DC 20 GHz, P1dB = 24 dBm, 12 GHz = 14 dB, NF = 0.9 dB এ লাভ;

QPD2040D: 400 μm পাওয়ার pHEMT, P1dB = 26 dBm, পয়েন্ট-টু-পয়েন্ট মাইক্রোওয়েভ এবং স্যাটেলাইট রিসিভার ড্রাইভার পর্যায়ে উপযুক্ত।

মূলধারার অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

ওয়্যারলেস বেস স্টেশন রিসিভ পাথ, পয়েন্ট-টু-পয়েন্ট মাইক্রোওয়েভ ব্যাকহোল, ভিএসএটি স্যাটেলাইট যোগাযোগ, বায়ুবাহিত যোগাযোগ, পরীক্ষা এবং পরিমাপ যন্ত্রপাতি এলএনএ,ছোট রেডার রিসিভার ফ্রন্ট-এন্ড, এবং CATV আরএফ ড্রাইভার পর্যায়।

অবস্থান সংক্ষিপ্ত বিবরণঃ ছোট সংকেত, কম শব্দ, মাঝারি থেকে কম শক্তির রিসিভ চেইন এবং ড্রাইভার পর্যায়ের জন্য ডিজাইন করা।

II. Qorvo GaN HEMT (গ্যালিয়াম নাইট্রাইড হাই ইলেকট্রন মোবিলিটি ট্রানজিস্টর)

প্রযুক্তিগত নীতিমালা

কোরভো মূলত গ্যাএন-অন-সিসি (গ্যালিয়াম নাইট্রাইড অন সিলিকন কার্বাইড) প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, যেখানে আলগ্যান / গ্যানের হেটারোজংশন স্বতঃস্ফূর্তভাবে একটি উচ্চ ঘনত্বের দ্বি-মাত্রিক ইলেকট্রন গ্যাস গঠন করে।একটি বিস্তৃত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসাবে, GaN একটি উচ্চ বিভাজন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র এবং চমৎকার তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ড্রেন ভোল্টেজ এ অপারেশন সমর্থন করে। GaN প্রযুক্তিতে দুই দশকেরও বেশি অভিজ্ঞতা সঙ্গে,কোরভো মাইক্রো ইলেকট্রনিক্সের একটি বিশ্বস্ত মার্কিন সরবরাহকারী।, বাণিজ্যিক এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা প্রতিরক্ষা উভয় বাজারের জন্য পণ্য সরবরাহ করে।

মূল বৈশিষ্ট্য

অতি উচ্চ ক্ষমতা ঘনত্বঃ শক্তি ঘনত্ব GaAs এবং সিলিকন LDMOS এর তুলনায় অনেক বেশি, একই আউটপুট পাওয়ারের জন্য ডিভাইস সংখ্যা এবং শক্তি পরিবর্ধকের আকার হ্রাস করে;

উচ্চ ভোল্টেজ নামকরণ এবং উচ্চ দক্ষতাঃ 28V, 48V এবং 65V এর একাধিক অপারেটিং ভোল্টেজ সমর্থন করে, বড় সংকেত অবস্থার অধীনে উচ্চ ড্রেন দক্ষতা বজায় রাখে এবং সিস্টেমের তাপ লোড হ্রাস করে;

বিস্তৃত ব্যান্ডউইথ এবং উচ্চ স্থিতিশীলতাঃ উচ্চ স্থায়ী তরঙ্গ অনুপাত এবং দীর্ঘ পালস অপারেটিং অবস্থার প্রতিরোধ করে, এটি পর্যায়ক্রমিক অ্যারেগুলির জন্য উপযুক্ত করে তোলে,ব্রডব্যান্ড ইন্টারফারেন্স সোর্স এবং মাল্টি ক্যারিয়ার যোগাযোগ;

দুর্দান্ত তাপ স্থায়িত্বঃ সিআইসি সাবস্ট্র্যাটটি দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা সরবরাহ করে, দীর্ঘস্থায়ী অবিচ্ছিন্ন সংক্রমণ দৃশ্যের জন্য নির্ভরযোগ্যতার প্রয়োজনীয়তা পূরণ করে;

ব্যাপক পণ্য পোর্টফোলিওঃ খালি ডাই এবং পৃষ্ঠ-মাউন্ট ডিএফএন প্যাকেজগুলিকে অন্তর্ভুক্ত করে, যা পাওয়ার এম্প্লিফায়ার সিমুলেশন এবং নকশা সহজ করার জন্য পরিপক্ক অ-রৈখিক মডেলগুলির সাথে থাকে।

প্রতিনিধিত্বমূলক ডিভাইস এবং সাধারণ পরামিতি

QPD0007: 48V GaN HEMT, DC5GHz, 20W P3dB আউটপুট, 3.5GHz এ 73% ড্রেন দক্ষতা, 5G Massive MIMO এবং ম্যাক্রো/মাইক্রো বেস স্টেশনগুলির জন্য উপযুক্ত;

৬৫ ভোল্ট সিরিজ গ্যান ডিভাইসঃ কিলোওয়াট স্তরের পাওয়ার সংশ্লেষণ সক্ষম করে সক্রিয় ফেজযুক্ত অ্যারে রাডার এবং এভিয়েশন রাডারগুলির জন্য ডিজাইন করা।

মূলধারার অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প

৫জি/৬জি ম্যাক্রো বেস স্টেশন, ছোট সেল, অ্যাক্টিভ অ্যান্টেনা অ্যারে; সিভিল ও মিলিটারি অ্যাক্টিভ ফাজেড অ্যারে রডার, সামুদ্রিক রডার; প্রতিরক্ষা ব্রডব্যান্ড যোগাযোগ, ইলেকট্রনিক জ্যামার;স্যাটেলাইট গ্রাউন্ড স্টেশনের জন্য উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন ট্রান্সমিটারCATV অপটিক্যাল নোডের জন্য পাওয়ার এম্প্লিফিকেশন; আরএফ পরীক্ষার সরঞ্জামগুলির জন্য উচ্চ-ক্ষমতা সংকেত উত্স।

পজিশনিং সংক্ষিপ্ত বিবরণঃ উচ্চ-শক্তির ট্রান্সমিশন চ্যানেলগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, চূড়ান্ত পর্যায়ে শক্তি পরিবর্ধন সরবরাহ করে।