কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে সাপ্লাই Renesas AT45DB081E-SHN-T DataFlash 8Mbit SPI সিরিয়াল NOR ফ্ল্যাশ মেমরি IC

সাপ্লাই রেনেসাসAT45DB081E-SHN-Tডেটাফ্লেশ 8 এমবিট এসপিআই সিরিয়াল এনওআর ফ্ল্যাশ মেমরি আইসি

[শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং লিমিটেড।]দীর্ঘমেয়াদী সরবরাহ (Renesas)AT45DB081E-SHN-T8 এমবিট ডেটাফ্ল্যাশ ₹1.7 ভোল্ট থেকে 3.6 ভোল্ট রেঞ্জ, এসপিআই সিরিয়াল এনওআর ফ্ল্যাশ মেমরি আইসি। AT45DB081E-SHN-T ডেটাফ্ল্যাশের জন্য নীচে পণ্যের তথ্য রয়েছেঃ

পার্ট নম্বরঃAT45DB081E-SHN-T

প্যাকেজঃ এসওআইসি-৮

প্রকারঃ ডেটাফ্ল্যাশ-এসপিআই সিরিয়াল অথবা ফ্ল্যাশ মেমরি আইসি

AT45DB081E-SHN-T DataFlash is a member of our System Enhancing class of code and data storage solutions designed with an advanced dual SRAM buffer architecture that makes it the most efficient memory for data logging.

AT45DB081E-SHN-T এছাড়াও উন্নত বৈশিষ্ট্যগুলির একটি স্যুট অন্তর্ভুক্ত করে যা সিস্টেমের শক্তি সঞ্চয় করে, প্রসেসর ওভারহেড হ্রাস করে, সফ্টওয়্যার উন্নয়নকে সহজ করে,এবং ব্যাপক তথ্য নিরাপত্তা এবং অখণ্ডতা অপশন প্রদান.

পণ্যের বৈশিষ্ট্যAT45DB081E-SHN-T

মেমোরি টাইপঃ অ-ভাসমান
মেমরি ফরম্যাটঃ ফ্ল্যাশ
প্রযুক্তি: ফ্ল্যাশ
মেমরির আকারঃ 8 এমবিট
মেমরি অর্গানাইজেশনঃ ২৬৪ বাইট x ৪০৯৬ পৃষ্ঠা
মেমরি ইন্টারফেসঃ এসপিআই
ঘড়ির ফ্রিকোয়েন্সিঃ ৮৫ মেগাহার্টজ
লিখুন চক্র সময় - শব্দ, পৃষ্ঠাঃ 8μs, 4ms
ভোল্টেজ - সরবরাহঃ 1.7V ~ 3.6V
অপারেটিং তাপমাত্রাঃ -40°C ~ 85°C (TC)
মাউন্টের ধরনঃ সারফেস মাউন্ট
প্যাকেজ / কেসঃ 8-SOIC (0.209 ", 5.30 মিমি প্রস্থ)
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজঃ 8-SOIC

AT45DB081E-SHN-T এর বৈশিষ্ট্য

● একক 1.7 ভোল্ট - 3.6 ভোল্ট সরবরাহ
● সিরিয়াল পেরিফেরাল ইন্টারফেস (এসপিআই) সামঞ্জস্যপূর্ণ
- এসপিআই মোড 0 এবং 3 সমর্থন করে
- র্যাপিডএসএম অপারেশন সমর্থন করে
●সম্পূর্ণ অ্যারে জুড়ে অবিচ্ছিন্ন পাঠ্য ক্ষমতা
- ৮৫ মেগাহার্টজ পর্যন্ত
- নিম্ন-পাওয়ার রিডিং বিকল্প 15 মেগাহার্টজ পর্যন্ত
- ঘড়ি থেকে আউটপুট সময় (টিভি) সর্বোচ্চ 6 এনএস
●ব্যবহারকারীর দ্বারা কনফিগারযোগ্য পৃষ্ঠার আকার
- প্রতি পাতায় ২৫৬ বাইট
- প্রতি পাতায় ২৬৪ বাইট (ডিফল্ট)
- পৃষ্ঠা আকার 256 বাইট জন্য কারখানা প্রাক কনফিগার করা যেতে পারে
●দুটি সম্পূর্ণ স্বাধীন এসআরএএম ডেটা বাফার (256/264 বাইট)
- প্রধান মেমরি অ্যারে পুনরায় প্রোগ্রাম করার সময় তথ্য গ্রহণ করতে পারবেন
● নমনীয় প্রোগ্রামিং বিকল্প
- বাইট/পৃষ্ঠা প্রোগ্রাম (১ থেকে ২৫৬/২৬৪ বাইট) সরাসরি প্রধান মেমরিতে
- বাফার লিখুন
- প্রধান মেমরি পাতা প্রোগ্রাম বুফার
● নমনীয় মুছে ফেলার বিকল্প
- পৃষ্ঠা মুছে ফেলা (256/264 বাইট)
- ব্লক মুছে ফেলা (2 কেবি)
- সেক্টর মুছে ফেলা (64 কেবি)
- চিপ মুছে ফেলুন (8 এমবিট)
●প্রোগ্রাম এবং মুছে ফেলুন স্থগিত / পুনরায় শুরু করুন
●উন্নত হার্ডওয়্যার এবং সফটওয়্যার ডেটা সুরক্ষা বৈশিষ্ট্য
- পৃথক সেক্টর সুরক্ষা
- যে কোন সেক্টরকে স্থায়ীভাবে শুধুমাত্র পাঠযোগ্য করার জন্য পৃথক সেক্টর লকডাউন
●১২৮ বাইট, ওয়ান টাইম প্রোগ্রামযোগ্য (ওটিপি) সিকিউরিটি রেজিস্টার
- 64 বাইট কারখানা একটি অনন্য শনাক্তকারী সঙ্গে প্রোগ্রাম
- 64 বাইট ব্যবহারকারী প্রোগ্রামযোগ্য
●হার্ডওয়্যার এবং সফটওয়্যার নিয়ন্ত্রিত রিসেট বিকল্প
●জেডিইসি স্ট্যান্ডার্ড প্রস্তুতকারক এবং ডিভাইস আইডি পড়ুন
●নিম্ন শক্তি অপচয়
- ৪০০ এনএ আল্ট্রা-ডিপ পাওয়ার-ডাউন বর্তমান (সাধারণ)
- 4.5 μA গভীর শক্তি-ডাউন বর্তমান (সাধারণ)
- 25 μA স্ট্যান্ডবাই বর্তমান (সাধারণ)
- ১১ এমএ অ্যাক্টিভ রিড বর্তমান (সাধারণত ২০ মেগাহার্টজ)
●সহিষ্ণুতাঃ প্রতি পৃষ্ঠায় ন্যূনতম ১০০,০০০ প্রোগ্রাম / মুছে ফেলার চক্র
● তথ্য সংরক্ষণঃ ২০ বছর
●সম্পূর্ণ শিল্প তাপমাত্রা পরিসীমা মেনে চলে

AT45DB081E-SHN-T হল একটি 1.7 V ন্যূনতম, সিরিয়াল-ইন্টারফেস ক্রমিক অ্যাক্সেস ফ্ল্যাশ মেমরি যা বিভিন্ন ডিজিটাল ভয়েস, চিত্র, প্রোগ্রাম কোড এবং ডেটা স্টোরেজ অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত।

AT45DB081E-SHN-T এছাড়াও খুব উচ্চ গতির অপারেশন প্রয়োজন অ্যাপ্লিকেশন জন্য RapidS সিরিয়াল ইন্টারফেস সমর্থন করে।650৭৫২ বিট মেমরি ৪,০৯৬টি পেজে ২৫৬ বাইট বা ২৬৪ বাইটে বিভক্ত।

প্রধান মেমরির পাশাপাশি, AT45DB081E-SHN-T- তে দুটি SRAM বাফার রয়েছে যার প্রতিটিতে 256/264 বাইট রয়েছে। মূল মেমরিতে একটি পৃষ্ঠা পুনরায় প্রোগ্রাম করার সময় বাফারগুলি ডেটা গ্রহণের অনুমতি দেয়।উভয় বাফার মধ্যে interleaving নাটকীয়ভাবে একটি অবিচ্ছিন্ন তথ্য প্রবাহ লিখতে একটি সিস্টেমের ক্ষমতা বৃদ্ধি করতে পারেনএছাড়া, এসআরএএম বাফারগুলি অতিরিক্ত সিস্টেম স্ক্র্যাচপ্যাড মেমরি হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে,এবং E2PROM এমুলেশন (বিট বা বাইট পরিবর্তনযোগ্যতা) একটি স্বয়ংসম্পূর্ণ তিন ধাপে পড়া-পরিবর্তন-লিখার অপারেশন সঙ্গে সহজে হ্যান্ডেল করা যেতে পারে.

AT45DB081E-SHN-T ⇒ প্রচলিত ফ্ল্যাশ মেমরির বিপরীতে যা একাধিক ঠিকানা লাইন এবং একটি সমান্তরাল ইন্টারফেস দিয়ে এলোমেলোভাবে অ্যাক্সেস করা হয়,DataFlash@ তার ডেটা ধারাবাহিকভাবে অ্যাক্সেস করার জন্য একটি সিরিয়াল ইন্টারফেস ব্যবহার করেসহজ ক্রমিক অ্যাক্সেস নাটকীয়ভাবে সক্রিয় পিনের সংখ্যা হ্রাস করে, সরলীকৃত হার্ডওয়্যার বিন্যাসকে সহজ করে তোলে, সিস্টেমের নির্ভরযোগ্যতা বৃদ্ধি করে, সুইচিং গোলমালকে হ্রাস করে এবং প্যাকেজ আকার হ্রাস করে।AT45DB081E-SHN-T অনেক বাণিজ্যিক এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশন যেখানে উচ্চ ঘনত্ব, কম পিন সংখ্যা, কম ভোল্টেজ, এবং কম শক্তি অপরিহার্য।

AT45DB081E-SHN-T এর মূল বৈশিষ্ট্য

সর্বাধিক নমনীয়তা জন্য একটি নিয়ন্ত্রিত R / W SRAM বাফার অন্তর্ভুক্ত
শক্তি দক্ষ ডেটা লগিংয়ের জন্য 256 বাইট পৃষ্ঠা মুছে ফেলার সাথে স্ট্যান্ডার্ড ব্লক আর্কিটেকচার
বাইট-লিখন একটি সিরিয়াল NOR ফ্ল্যাশ ডিভাইসে সিরিয়াল EEPROM কার্যকারিতা প্রদান করে
আল্ট্রা-ডিপ পাওয়ার ডাউন >400nA এ কাজ করে
এক্সটেন্ডেড ভিসিসি অপারেশন সিস্টেম মেমরিকে পুরো ভোল্টেজ পরিসীমা জুড়ে কাজ করার অনুমতি দেয়
ব্যাপক নিরাপত্তা এবং অনন্য আইডি বৈশিষ্ট্যগুলি বাইরের হস্তক্ষেপ থেকে ডিভাইসটিকে রক্ষা করে

AT45DB081E-SHN-T এর ব্লক ডায়াগ্রাম

মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্সডেটা ফ্ল্যাশ সরবরাহ করেছেAT45DB081E-SHN-Tএসপিআই সিরিয়াল এনওআর ফ্ল্যাশ আইসি দীর্ঘ সময়ের জন্য। মেমরি AT45DB081E-SHN-T সম্পর্কে আরও তথ্যের জন্য, দয়া করে মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্সের অফিসিয়াল ওয়েবসাইটে যান (https://www.integrated-ic.com/) ।