কোম্পানির ব্লগ সম্পর্কে [সাপ্লাই সিলিকন কার্বাইড MOSFETs] C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFETs

শেনঝেন মিংজিয়াওদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড [সাপ্লাই সিলিকন কার্বাইড MOSFET] আমদানি করা মূল C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET হোল এন চ্যানেল 1200 V 115A ((Tc) 556W ((Tc) TO-247-3 এর মাধ্যমে

পণ্যের বর্ণনাঃ

ওল্ফস্পিড সিসি সি 3 এম এমওএসএফইটি উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি এবং ইন্ডাক্টর, ক্যাপাসিটর, ফিল্টার এবং ট্রান্সফরমারগুলির জন্য ডিভাইসের আকার হ্রাস করতে সক্ষম করে।SiC C3M MOSFETs উচ্চতর সিস্টেম দক্ষতা এবং কম শীতল প্রয়োজনীয়তা প্রদান করেMOSFETs এছাড়াও শক্তি ঘনত্ব এবং সিস্টেম রূপান্তর ফ্রিকোয়েন্সি বৃদ্ধি।

C3M0016120D একটি সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার MOSFET C3MTM MOSFET প্রযুক্তি এন-চ্যানেল বর্ধন মোড।

প্রোডাক্ট স্পেসিফিকেশনঃ

নির্মাতাঃওলফস্পিড

পণ্যের ধরনঃ সিলিকন কার্বাইড MOSFETs

চ্যানেল মোডঃ উন্নতকরণ

কনফিগারেশনঃ একক

ড্রপআউট সময়ঃ ২৭ ns

ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্ট্যান্স - মিনিটঃ ৫৩ সেকেন্ড

আইডি-নিরবচ্ছিন্ন ড্রেন স্ট্রিমঃ ১১৫ এ

সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রাঃ +১৭৫ সি

ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রাঃ -40 সি

মাউন্ট স্টাইলঃ গর্ত মাধ্যমে

চ্যানেলের সংখ্যাঃ ১ টি

প্যাকেজ / কেসঃ TO-247-3

Pd-পাওয়ার ডিসিপেশনঃ 556 W

পণ্যের ধরনঃ সিআইসি মোসফেট

কিউজি-গেট চার্জঃ ২০৭ এনসি

Rds অন-ড্রেন অন-রেসিস্ট্যান্সঃ ২২.৩ এমওএমএস

উত্থানের সময়ঃ ২৮ ns

কারখানার প্যাকেজ পরিমাণঃ ৩০

উপবিভাগঃ ট্রানজিস্টর

প্রযুক্তিঃ সিআইসি

ট্রানজিস্টরের মেরুতাঃ এন-চ্যানেল

সাধারণ অফ ডিলেট টাইমঃ 84 ns

টার্ন-অন বিলম্বের সময়ঃ 174 ns

ভিডিএস - ড্রেন সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজঃ ১.২ কিলোভোল্ট

Vgs - গেট-সোর্স ভোল্টেজঃ - 8 V, + 19 V

Vgs th - গেট-সোর্স প্রান্তিক ভোল্টেজঃ 1.8 V

একক ওজনঃ ৬ গ্রাম

আপনি যদি আগ্রহী হন, তাহলে দয়া করে মিঃ চেনকে ফোন করুন:

টেলিফোনঃ +৮৬ ১৩৪১০১০১৮৫৫৫

ইমেইল: sales@hkmjd.com

কোম্পানির হোম পেজঃwww.hkmjd.com