শেঞ্জেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড সাপ্লাই STMicroelectronics STL33N60DM2 এন-চ্যানেল FDmesh II প্লাস TM পাওয়ার MOSFETs, ব্র্যান্ড নিউ & অরিজিনাল, গুণমান নিশ্চিতকরণ!
মডেল নংঃ STL33N60DM2
সিরিজঃ MDmeshTM DM2
পণ্যের অবস্থাঃ বিক্রির জন্য
FET প্রকারঃ এন-চ্যানেল
প্রযুক্তিঃ MOSFET (ধাতু অক্সাইড)
ড্রেন সোর্স ভোল্টেজ (ভিডিএসএস): 600 ভি
25°C এ বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (Id): 21A (Tc)
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু): 10V
বিভিন্ন আইডি-তে অ্যাকশন প্রতিরোধ (সর্বোচ্চ), ভিজিএসঃ 140 এমওএইচএম @ 10.5 এ, 10 ভোল্ট
Vgs ((th) বিভিন্ন Id (সর্বোচ্চ): 5V @ 250μA
গেট চার্জ (Qg) (ম্যাক্স) Vgs এঃ 43 nC @ 10 V
Vgs (সর্বোচ্চ): ±25V
ইনপুট ক্যাপাসিটেন্স (সিস) বিভিন্ন ভিডিএস (সর্বোচ্চ): 1870 পিএফ @ 100 ভি
পাওয়ার ডিসিপেশন (সর্বোচ্চ): 150W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রাঃ -55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্টের ধরনঃ সারফেস মাউন্ট
সরবরাহকারীর ডিভাইস প্যাকেজঃ PowerFlatTM (8x8) HV
প্যাকেজ/হাউজিংঃ 8-পাওয়ারVDFN
পরিচিতি
এসটি এর এমডিমেশ ডিএম 2 সিরিজটি এসটি এর দ্রুত পুনরুদ্ধার ডায়োডের সর্বশেষতম পরিবার, 600 ভি পাওয়ার এমওএসএফইটি, বিশেষত জেডভিএস ফেজ-শিফট ব্রিজ টপোলজিগুলির জন্য উপযুক্ত। তাদের খুব কম পুনরুদ্ধার চার্জ এবং সময় রয়েছে (কিউআরআর),trr) এবং 20% কম RDS ((on) (পূর্ববর্তী প্রজন্মের তুলনায়) । উচ্চ dV/dt শক্তি (40V/ns) সিস্টেমের উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।
বৈশিষ্ট্য
- নিম্ন গেট চার্জ এবং ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স
- পূর্ববর্তী প্রজন্মের তুলনায় কম RDS ((on) x এলাকা
- নিম্ন গেট ইনপুট প্রতিরোধের
- অ্যাপ্লিকেশন পরিবর্তন করার জন্য ডিজাইন করা
- ১০০% তুষারপাত পরীক্ষা
- জেনার সুরক্ষিত
- উচ্চ ডিভি/ডিটি এবং তুষারপাতের ক্ষমতা
আরও তথ্যের জন্য, ফোনের মাধ্যমে মিঃ চেনের সাথে যোগাযোগ করুনঃ
টেলিফোনঃ +৮৬ ১৩৪১০০১৮৫৫৫
ইমেইল: sales@hkmjd.com
ওয়েবসাইটঃwww.hkmjd.com
আপনার বার্তাটি 20-3,000 টির মধ্যে হতে হবে!
