IMZA120R014M1HXKSA1 GaN IC 1200V Gan Fet ট্রানজিস্টর 14mohm SiC ট্রেঞ্চ MOSFET TO247

ট্রানজিস্টর IMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC ট্রেঞ্চ MOSFET TO247 প্যাকেজ

বর্ণনা

TO247-4 প্যাকেজে CoolSiC™ 1200 V, 14 mΩ SiC MOSFET একটি অত্যাধুনিক ট্রেঞ্চ সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ার উপর নির্ভরযোগ্যতার সাথে পারফরম্যান্সকে একত্রিত করার জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে।IGBTs এবং MOSFET-এর মতো ঐতিহ্যবাহী সিলিকন (Si) ভিত্তিক সুইচগুলির তুলনায়, SiC MOSFET একাধিক সুবিধা প্রদান করে।এর মধ্যে রয়েছে, 1200 V সুইচে দেখা সর্বনিম্ন গেট চার্জ এবং ডিভাইস ক্যাপ্যাসিট্যান্সের মাত্রা, অভ্যন্তরীণ কম্যুটেশন প্রুফ বডি ডায়োডের কোন বিপরীত পুনরুদ্ধার ক্ষতি, তাপমাত্রা স্বাধীন কম সুইচিং ক্ষতি, এবং থ্রেশহোল্ড-মুক্ত অন-স্টেট চারিত্রিক বৈশিষ্ট্য।CoolSiC™ MOSFETগুলি পাওয়ার ফ্যাক্টর সংশোধন (PFC) সার্কিট, দ্বি-দিকনির্দেশক টপোলজি এবং DC-DC রূপান্তরকারী বা DC-AC ইনভার্টারগুলির মতো শক্ত- এবং অনুরণিত-সুইচিং টপোলজিগুলির জন্য আদর্শ।

বৈশিষ্ট্যের সারাংশ

• ক্লাস স্যুইচিং এবং কন্ডাকশন লসের ক্ষেত্রে সেরা
• বেঞ্চমার্ক উচ্চ থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ, Vth > 4 V
• সহজ এবং সাধারণ গেট ড্রাইভের জন্য 0V টার্ন-অফ গেট ভোল্টেজ
• প্রশস্ত গেট-উৎস ভোল্টেজ পরিসীমা
• শক্ত কমিউটেশনের জন্য রেট করা শক্ত এবং কম ক্ষতির বডি ডায়োড
• তাপমাত্রা স্বাধীন টার্ন-অফ সুইচিং ক্ষতি
• .XT আন্তঃসংযোগ প্রযুক্তি সর্বোত্তম-শ্রেণীর তাপীয় কর্মক্ষমতার জন্য

সুবিধা

• সর্বোচ্চ দক্ষতা
• শীতল করার প্রচেষ্টা হ্রাস করা হয়েছে
• উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন
• বর্ধিত শক্তি ঘনত্ব
• সিস্টেম জটিলতা হ্রাস

অ্যাপ্লিকেশন

• ব্যাটারি গঠন
• দ্রুত ইভি চার্জিং
• মোটর নিয়ন্ত্রণ এবং ড্রাইভ
• ফোটোভোলটাইক শক্তি সিস্টেমের জন্য সমাধান
• নিরবচ্ছিন্ন বিদ্যুৎ সরবরাহ (ইউপিএস)

ডায়াগ্রাম