মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

Name: মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MSC130SM120JCU3
Availability: InStock

সব পণ্য

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ
(18776)

বিটি আইসি
(524)

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল
(1938)

মাইক্রোকন্ট্রোলার MCU
(12604)

GaN IC
(51)

এআই প্রসেসর চিপ
(1169)

ফিল্ড প্রোগ্রামেবল গেট অ্যারে
(6583)

ইথারনেট আইসি
(940)

সংযোগকারী
(2853)

মেমরি আইসি চিপ
(2435)

সেন্সর আইসি
(2180)

আইওটি চিপ
(232)

5G মডিউল
(132)

ওয়াইফাই 6 চিপ
(138)

আইফোন আইসি চিপ
(55)

ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল
(3303)

তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রক তাপস্থাপক
(8)

শ্রেষ্ঠ পণ্য

মিডিয়াম পাওয়ার ইকোনো FF900R12ME7WB11BPSA1 ডুয়াল থ্রি-ফেজ PIM IGBT মডিউল

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 ফেজ IGBT মডিউল 950V 70A ফটোভোলটাইক শক্তি

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A ডুয়াল IGBT মডিউল

সাক্ষ্যদান

চীন ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. সার্টিফিকেশন

ক্রেতার পর্যালোচনা

খুব দ্রুত পাঠানো হয়েছে, এবং খুব সহায়ক ছিল, নতুন এবং আসল, অত্যন্ত সুপারিশ করবে।

—— নিশিকাওয়া জাপান থেকে

পেশাদার এবং দ্রুত পরিষেবা, পণ্যের জন্য গ্রহণযোগ্য মূল্য।চমৎকার যোগাযোগ, প্রত্যাশিত পণ্য।আমি অত্যন্ত এই সরবরাহকারী সুপারিশ.

—— লুইস মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে

উচ্চমানের এবং নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্সঃ "আমরা [শেনঝেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড] থেকে প্রাপ্ত ইলেকট্রনিক উপাদানগুলি উচ্চমানের এবং আমাদের ডিভাইসে নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্স দেখিয়েছে। "

—— জার্মানি থেকে রিচার্ড

প্রতিযোগিতামূলক মূল্য নির্ধারণঃ আমাদের ক্রয়ের প্রয়োজনের জন্য এটি একটি দুর্দান্ত পছন্দ করে তোলে।

—— মালয়েশিয়া থেকে টিম

গ্রাহক সেবা প্রদান করা হয় চমৎকার. তারা সবসময় প্রতিক্রিয়াশীল এবং সহায়ক, আমাদের চাহিদা দ্রুত পূরণ নিশ্চিত।

—— ভিনসেন্ট রাশিয়া থেকে

মহান দাম, দ্রুত ডেলিভারি, এবং শীর্ষ মানের গ্রাহক সেবা। ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড কখনও হতাশ!

—— নিশিকাওয়া জাপান থেকে

নির্ভরযোগ্য উপাদান, দ্রুত শিপিং, এবং চমৎকার সমর্থন। ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড সব ইলেকট্রনিক্স চাহিদা জন্য আমাদের যেতে অংশীদার!

—— স্যাম মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে

উচ্চ মানের অংশ এবং একটি বিরামবিহীন অর্ডার প্রক্রিয়া. যে কোন ইলেকট্রনিক্স প্রকল্পের জন্য ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড অত্যন্ত সুপারিশ!

—— লিনা জার্মানি থেকে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

বড় ইমেজ : মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	সিএন
পরিচিতিমুলক নাম:	Original Factory
সাক্ষ্যদান:	Lead free / RoHS Compliant
মডেল নম্বার:	MSC130SM120JCU3

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	10
মূল্য:	Contact for Sample
প্যাকেজিং বিবরণ:	SOT-227-4, miniBLOC
ডেলিভারি সময়:	5-8 কাজের দিন
পরিশোধের শর্ত:	T/T, L/C, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন

যোগাযোগ

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

বর্ণনা

অংশ সংখ্যা:	MSC130SM120JCU3	পণ্য:	IGBT সিলিকন কার্বাইড মডিউল
Vf - ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ:	1.5 ভি	মাউন্ট শৈলী:	স্ক্রু মাউন্ট
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:	6040 pF @ 1000 V	Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:	16 mOhms

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

এর পণ্য বিবরণMSC130SM120JCU3

MSC130SM120JCU3 হল বক চপার SiC MOSFET পাওয়ার মডিউল, 1200 V, 173 একটি সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল।

এর স্পেসিফিকেশনMSC130SM120JCU3

অংশ সংখ্যা	MSC130SM120JCU3
FET প্রকার	এন-চ্যানেল
প্রযুক্তি	SiCFET (সিলিকন কার্বাইড)
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)	1200 ভি
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে	173A (Tc)
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)	20V
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস	16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি	2.8V @ 2mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস	464 nC @ 20 V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)	+25V, -10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds	6040 pF @ 1000 V
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)	745W (Tc)
অপারেটিং তাপমাত্রা	-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ	চ্যাসিস মাউন্ট
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ	SOT-227 (ISOTOP®)
প্যাকেজ/কেস	SOT-227-4, miniBLOC

এর বৈদ্যুতিক পরিকল্পিতMSC130SM120JCU3

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল 0

অন্যান্য সরবরাহ পণ্য প্রকার

অংশ সংখ্যা	প্যাকেজ
MA46H120	এসএমডি
MIC38300HYHL	QFN28
ADUM2210SRWZ	WSOP-16
ST72F324K4T6	QFP32
XC3S700AN-4FGG484I	BGA484
AD8155ACPZ	LFCSP64

FAQ

প্রশ্নঃ আপনার পণ্য কি আসল?
উত্তর: হ্যাঁ, সমস্ত পণ্য আসল, নতুন আসল আমদানি আমাদের উদ্দেশ্য।
প্রশ্নঃ আপনার কোন সার্টিফিকেট আছে?
উত্তর: আমরা ISO 9001:2015 সার্টিফাইড কোম্পানি এবং ERAI-এর সদস্য।
প্রশ্ন: আপনি ছোট পরিমাণ অর্ডার বা নমুনা সমর্থন করতে পারেন? নমুনা বিনামূল্যে?
উত্তর: হ্যাঁ, আমরা নমুনা অর্ডার এবং ছোট অর্ডার সমর্থন করি। নমুনা খরচ আপনার অর্ডার বা প্রকল্প অনুযায়ী ভিন্ন।
প্রশ্নঃ কিভাবে আমার অর্ডার পাঠাতে হয়?এটি নিরাপদ?
উত্তর: আমরা এক্সপ্রেস ব্যবহার করি, যেমন ডিএইচএল, ফেডেক্স, ইউপিএস, টিএনটি, ইএমএস। আমরা আপনার প্রস্তাবিত ফরওয়ার্ডারও ব্যবহার করতে পারি। পণ্যগুলি ভাল প্যাকিংয়ে থাকবে এবং নিরাপত্তা নিশ্চিত করবে এবং আপনার অর্ডারে পণ্যের ক্ষতির জন্য আমরা দায়ী।
প্রশ্ন: সীসা সময় সম্পর্কে কি?
উত্তর: আমরা 5 কার্যদিবসের মধ্যে স্টক যন্ত্রাংশ পাঠাতে পারি। স্টক ছাড়াই, আমরা আপনার অর্ডারের পরিমাণের উপর ভিত্তি করে আপনার জন্য লিড টাইম নিশ্চিত করব।

ট্যাগ:

ব্যক্তি যোগাযোগ: Sales Manager

টেল: 86-13410018555

ফ্যাক্স: 86-0755-83957753

অন্যান্য পণ্যসমূহ

400A অটোমোটিভ IGBT মডিউল 1200V Sic Mosfet মডিউল FS03MR12A6MA1LBBPSA1

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss): 1200V (1.2kV)

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে: 400A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি: 5.55V @ 240mA

950V 400A অটোমোটিভ IGBT মডিউল 3 স্তরের IGBT মডিউল F3L400R10W3S7B11BPSA1

পার্ট নম্বর: F3L400R10W3S7B11BPSA1

আইজিবিটি টাইপ: পরিখা

পণ্যের অবস্থা: সক্রিয়

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 950 ভি

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT মডিউল 950V 310A ট্রেঞ্চ ফিল্ড স্টপ

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 950 ভি

বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ): 310 ক

শক্তি - সর্বোচ্চ: 20 মেগাওয়াট

Vce(চালু) (সর্বোচ্চ) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

HEV সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 200A অটোমোটিভ মডিউল FS05MR12A6MA1BBPSA1

FET বৈশিষ্ট্য: সিলিকন কার্বাইড (SiC)

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss): 1200V (1.2kV)

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে: 200A

মাউন্ট টাইপ: চ্যাসিস মাউন্ট

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A হাফ ব্রিজ IGBT মডিউল

পার্ট নম্বর: FF300R08W2P2B11ABOMA1

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 750 ভি

বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200 এ

শক্তি - সর্বোচ্চ: 20 মেগাওয়াট

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

বিটি আইসি

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল

মাইক্রোকন্ট্রোলার MCU

GaN IC

এআই প্রসেসর চিপ

ফিল্ড প্রোগ্রামেবল গেট অ্যারে

ইথারনেট আইসি

সংযোগকারী

মেমরি আইসি চিপ

সেন্সর আইসি

আইওটি চিপ

5G মডিউল

ওয়াইফাই 6 চিপ

আইফোন আইসি চিপ

ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল

তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রক তাপস্থাপক

মিডিয়াম পাওয়ার ইকোনো FF900R12ME7WB11BPSA1 ডুয়াল থ্রি-ফেজ PIM IGBT মডিউল

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 ফেজ IGBT মডিউল 950V 70A ফটোভোলটাইক শক্তি

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A ডুয়াল IGBT মডিউল

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

মডিউল MSC130SM120JCU3 সম্পূর্ণ সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 173A N-চ্যানেল

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল 400A,

FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt পাওয়ার মডিউল,

IGBT পাউডার মডিউল 1200V

400A অটোমোটিভ IGBT মডিউল 1200V Sic Mosfet মডিউল FS03MR12A6MA1LBBPSA1

950V 400A অটোমোটিভ IGBT মডিউল 3 স্তরের IGBT মডিউল F3L400R10W3S7B11BPSA1

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT মডিউল 950V 310A ট্রেঞ্চ ফিল্ড স্টপ

HEV সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 200A অটোমোটিভ মডিউল FS05MR12A6MA1BBPSA1

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A হাফ ব্রিজ IGBT মডিউল

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

VN7008AJTR ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ হাই সাইড ড্রাইভার 96A হাই সাইড সুইচ পাওয়ারএসএসও -16

ADG1433YCPZ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ iCMOSTM সুইচ 4.7Ohm শিল্প CMOS অ্যানালগ সুইচ

LT6700CS6-1 ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ মাইক্রো পাওয়ার লো ভোল্টেজ ডুয়াল তুলনাকারী 400mV রেফারেন্স সহ

ইথারনেট আইসি

PEX8606-BA50BCG ইথারনেট IC 5.0GT/s 6-লেন 6-পোর্ট PCI এক্সপ্রেস জেনার 2 সুইচ PBGA-196

PEX8619-BA50BIG ইথারনেট আইসি 16-লেন 16-পোর্ট পিসিআই এক্সপ্রেস সুইচ HSBGA-324 PCIe সুইচ

88E1111-B2-RCJ1C000 ইথারনেট আইসি আলাস্কা আল্ট্রা গিগাবিট ইথারনেট PHY ট্রান্সিভার