650V ট্রানজিস্টর IMW65R057M1H N-চ্যানেল সিলিকন কার্বাইড MOSFETs TO-247-3 একক FET

650V ট্রানজিস্টর IMW65R057M1H N-চ্যানেল সিলিকন কার্বাইড MOSFETs TO-247-3 একক FETs

এর পণ্যের বিবরণIMW65R057M1H

IMW65R057M1H হল 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) N-চ্যানেল MOSFETs ট্রানজিস্টর, গর্তের মাধ্যমে, উচ্চ স্রোতে অপ্টিমাইজড সুইচিং আচরণ।

এর স্পেসিফিকেশনIMW65R057M1H

এর বৈশিষ্ট্য IMW65R057M1H

• Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: 650 V
• আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট: 35 এ
• Rds অন - ড্রেন-সোর্স রেজিস্ট্যান্স: 74 mOhms
• Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ: - 5 V, + 23 V
• Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: 5.7 V

অন্যান্য সরবরাহ পণ্য প্রকার

FAQ

প্রশ্নঃ আপনার পণ্য কি আসল?
উত্তর: হ্যাঁ, সমস্ত পণ্য আসল, নতুন আসল আমদানি আমাদের উদ্দেশ্য।
প্রশ্নঃ আপনার কোন সার্টিফিকেট আছে?
উত্তর: আমরা ISO 9001:2015 সার্টিফাইড কোম্পানি এবং ERAI-এর সদস্য।
প্রশ্ন: আপনি ছোট পরিমাণ অর্ডার বা নমুনা সমর্থন করতে পারেন? নমুনা বিনামূল্যে?
উত্তর: হ্যাঁ, আমরা নমুনা অর্ডার এবং ছোট অর্ডার সমর্থন করি। নমুনা খরচ আপনার অর্ডার বা প্রকল্প অনুযায়ী ভিন্ন।
প্রশ্নঃ কিভাবে আমার অর্ডার পাঠাতে হয়?এটি নিরাপদ?
উত্তর: আমরা এক্সপ্রেস ব্যবহার করি, যেমন ডিএইচএল, ফেডেক্স, ইউপিএস, টিএনটি, ইএমএস। আমরা আপনার প্রস্তাবিত ফরওয়ার্ডারও ব্যবহার করতে পারি। পণ্যগুলি ভাল প্যাকিংয়ে থাকবে এবং নিরাপত্তা নিশ্চিত করবে এবং আপনার অর্ডারে পণ্যের ক্ষতির জন্য আমরা দায়ী।
প্রশ্ন: সীসা সময় সম্পর্কে কি?
উত্তর: আমরা 5 কার্যদিবসের মধ্যে স্টক যন্ত্রাংশ পাঠাতে পারি। যদি স্টক না থাকে তবে আমরা আপনার অর্ডারের পরিমাণের উপর ভিত্তি করে আপনার জন্য লিড টাইম নিশ্চিত করব।