|
পণ্যের বিবরণ:
|
| পার্ট নম্বর: | IPW60R017C7 | ভিজিএস (সর্বোচ্চ): | ±20V |
|---|---|---|---|
| শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ): | 446W (Tc) | অপারেটিং তাপমাত্রা: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মাধ্যমে | ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds: | 9890 pF @ 400 V |
| বিশেষভাবে তুলে ধরা: | IPW60R017C7,IPW60R017C7 ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ,এন-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর |
||
600V CoolMOSTM C7 সুপার জংশন (SJ) MOSFET সিরিজটি বন্ধ হ্রাসের ~ 50% হ্রাস (Eওস) CoolMOS TM CP এর তুলনায়, PFC, TTF এবং অন্যান্য হার্ড-সুইচিং টোপোলজিগুলিতে অসামান্য পারফরম্যান্স সরবরাহ করে।
| প্যারামিটার | মূল্য |
|---|---|
| পার্ট নম্বর | IPW60R017C7 |
| FET প্রকার | এন-চ্যানেল |
| প্রযুক্তি | MOSFET (ধাতব অক্সাইড) |
| সোর্স ভোল্টেজে ড্রেন (V)ডিএসএস) | ৬০০ ভোল্ট |
| বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (I)d) @ ২৫°সি | 109A (T)সি) |
| ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ R)ডিএসচালিয়ে যাও, মিন আর।ডিএসচালু) | ১০ ভোল্ট |
| Rডিএস(সর্বোচ্চ) @ Id, ভিgs | 17mΩ @ 58.2A, 10V |
| Vgs(th)(সর্বোচ্চ) @ Id | 4V @ 2.91mA |
| গেট চার্জ (Q)জি) (সর্বোচ্চ) @ ভিgs | ২৪০ এনসি @ ১০ ভোল্ট |
| পার্ট নম্বর | প্যাকেজ |
|---|---|
| 5CEFA4M13I7N | বিজিএ |
| LM5175RHFR | VQFN28 |
| TPS650942A0RSKR | VQFN64 |
| TPS63070RNMR | VQFN-15 |
| MSP430F2481TPMR | LQFP64 |
| STM32H743IIT6 | LQFP176 |
ব্যক্তি যোগাযোগ: Sales Manager
টেল: 86-13410018555
ফ্যাক্স: 86-0755-83957753