IMT65R057M1H সিলিকন কার্বাইড MOSFET ট্রানজিস্টর 650V 57 mΩ উচ্চ শক্তি ঘনত্বের জন্য টোল প্যাকেজে

IMT65R057M1H CoolSIC™ MOSFET 650 V, 57 mΩ TOLL প্যাকেজে ইনফিনিয়নের SiC প্রযুক্তির শক্তিকে কাজে লাগিয়ে উচ্চতর ঘনত্ব ডিজাইন এবং উচ্চতর সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন সক্ষম করে। TOLL-এর ছোট ফর্ম ফ্যাক্টর এবং কম প্যারাসিটিক বোর্ড স্পেসের কার্যকর এবং দক্ষ ব্যবহার সম্ভব করে তোলে, সেইসাথে MOSFET-কে উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সিতে চালিত করে, উচ্চতর পাওয়ার ঘনত্ব অর্জন করে।

CoolSIC™ MOSFET 650 V, 57 mΩ TOLL প্যাকেজে CoolMOS™ এবং CoolGaN™-এর জন্যও TOLL উপলব্ধতার সাথে পরিপূরক, যা এটিকে বিভিন্ন সিস্টেমের জন্য একটি আকর্ষণীয় ওয়ান-স্টপ শপ বিকল্প করে তোলে। D²PAK-এর তুলনায় থার্মাল ইম্পিডেন্সের হ্রাস, উদ্ভাবনী .XT ইন্টারকানেক্টের সাথে, 57 mΩ পণ্যটিকে উচ্চ থেকে মাঝারি পাওয়ার সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত করে তোলে, যেখানে উচ্চ দক্ষতার লক্ষ্যমাত্রা রয়েছে।

এটি উচ্চ থেকে মাঝারি পাওয়ার সিস্টেমগুলিতে উদীয়মান Totem Pole PFC টপোলজির জন্য আদর্শভাবে উপযুক্ত। এটি উচ্চ থেকে মাঝারি পাওয়ার সিস্টেমগুলির DC-DC এবং AC-DC পর্যায়গুলিতে উচ্চ দক্ষতা এবং ঘনত্ব সক্ষম করে। উচ্চ পাওয়ার সিস্টেমগুলিতে উচ্চ দক্ষতার লক্ষ্যমাত্রা পূরণের জন্য এটি ইন্টারলিভড টপোলজিতেও সফলভাবে ব্যবহৃত হয়।