TRF0108RPVT/EM বিকিরণ-সহনশীল কাছাকাছি-DC থেকে 12GHz ডিফারেনশিয়াল-টু-সিঙ্গল-এন্ডেড RF অ্যামপ্লিফায়ার 17.1dB লাভ সহ

TRF0108RPVT/EM একটি অত্যন্ত উচ্চ কার্যকারিতা, ডিফারেনশিয়াল-টু-সিঙ্গল-এন্ড (D2S) এম্প্লিফায়ার যা রেডিও-ফ্রিকোয়েন্সি (RF) অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য অনুকূলিত।ডিভাইসটি এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য একটি দুর্দান্ত পছন্দ যা একটি ডিজিটাল-থেকে-অ্যানালগ রূপান্তরকারী (DAC) দ্বারা চালিত হলে D2S রূপান্তর প্রয়োজন যেমন উচ্চ-পারফরম্যান্স DAC39RF10-SEP বা AFE7950-SEP.

অন-চিপ ম্যাচিং উপাদানগুলি মুদ্রিত সার্কিট বোর্ড (পিসিবি) বাস্তবায়নকে সহজ করে তোলে এবং ব্যবহারযোগ্য ব্যান্ডউইথের উপর সর্বোচ্চ পারফরম্যান্স সরবরাহ করে।এই ডিভাইসটি টেক্সাস ইনস্ট্রুমেন্টসের উন্নত পরিপূরক BiCMOS প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তৈরি করা হয়েছে এবং এটি স্থান সাশ্রয়কারী, WQFN-FCRLF 2mm x 2mm প্যাকেজ।

• ফ্রিকোয়েন্সিঃ 0Hz ~ 12GHz
• P1dB: 11.4dBm
• লাভঃ ১৭.১ ডিবি
• গোলমালের পরিসংখ্যানঃ ১২.৩ ডিবি
• আরএফ টাইপঃ রাডার
• ভোল্টেজ সরবরাহঃ 4.75V ~ 5.25V
• বর্তমান সরবরাহঃ 170mA
• পরীক্ষার ফ্রিকোয়েন্সিঃ ২ গিগাহার্টজ

• বিক্রেতার আইটেম অঙ্কন নম্বরঃ VID V62/26604
• মোট আয়নাইজিং ডোজ (টিআইডি) পর্যন্ত 30 ক্রেড (সিআই) পর্যন্ত বিকিরণ সহনশীলতা
• রেডিয়েশন কঠোরতা নিশ্চিতকরণ (RHA) 30krad (Si) TID পর্যন্ত
• উন্নত নিম্ন ডোজ রেট সংবেদনশীলতা (ইএলডিআরএস) মুক্ত প্রক্রিয়া
• একক ইভেন্ট ল্যাচ-আপ (SEL) 43MeV-cm2/mg এর LET এর প্রতিরোধী
• স্পেস-বিকাশিত প্লাস্টিক (স্পেস ইপি, এসইপি) নির্মাণ
• সীসা মুক্ত নকশা
• বর্ধিত তাপমাত্রা পরিসীমাঃ -55°C থেকে +125°C
• ডিফারেনশিয়াল থেকে সিঙ্গেল-এন্ড (ডি২এস) আরএফ এম্প্লিফায়ার
• প্রায়-ডিসি থেকে ১২ গিগাহার্জ অপারেশন
• লাভঃ ১৫.২ ডিবি ২ গিগাহার্টজে
• OP1dB: 11.4dBm (2GHz), 9.4dBm (6GHz)
• OIP3: ২৭ ডিবিএম (2GHz), ২৮.৫ ডিবিএম (6GHz)
• NF: 10.9dB (2GHz), 12.1dB (6GHz)
• পাওয়ার-ডাউন বৈশিষ্ট্য
• সক্রিয় বর্তমানের সাথে 5V সরবরাহঃ 170mA

• সরাসরি আরএফ ডিএসির সাথে ইন্টারফেস
• এয়ারস্পেস এবং প্রতিরক্ষা সিস্টেম
• ফেজযুক্ত রেডার
• যোগাযোগের দরকারী লোড
• রাডার ইমেজিং দরকারী লোড