MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

Name: MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: MG35P12P3
Price: আলোচনাযোগ্য USD
Availability: InStock

সব পণ্য

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ
(26238)

বিটি আইসি
(576)

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল
(2306)

মাইক্রোকন্ট্রোলার MCU
(16680)

GaN IC
(321)

এআই প্রসেসর চিপ
(1353)

ফিল্ড প্রোগ্রামেবল গেট অ্যারে
(7071)

ইথারনেট আইসি
(1201)

সংযোগকারী
(3700)

মেমরি আইসি চিপ
(2655)

সেন্সর আইসি
(3077)

আইওটি চিপ
(267)

5G মডিউল
(160)

ওয়াইফাই চিপ
(200)

আইফোন আইসি চিপ
(54)

ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল
(3882)

তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রক তাপস্থাপক
(11)

এমবেডেড সলিউশন
(10093)

শ্রেষ্ঠ পণ্য

মিডিয়াম পাওয়ার ইকোনো FF900R12ME7WB11BPSA1 ডুয়াল থ্রি-ফেজ PIM IGBT মডিউল

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 ফেজ IGBT মডিউল 950V 70A ফটোভোলটাইক শক্তি

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A ডুয়াল IGBT মডিউল

সাক্ষ্যদান

চীন ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. সার্টিফিকেশন

ক্রেতার পর্যালোচনা

খুব দ্রুত পাঠানো হয়েছে, এবং খুব সহায়ক ছিল, নতুন এবং আসল, অত্যন্ত সুপারিশ করবে।

—— নিশিকাওয়া জাপান থেকে

পেশাদার এবং দ্রুত পরিষেবা, পণ্যের জন্য গ্রহণযোগ্য মূল্য।চমৎকার যোগাযোগ, প্রত্যাশিত পণ্য।আমি অত্যন্ত এই সরবরাহকারী সুপারিশ.

—— লুইস মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে

উচ্চমানের এবং নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্সঃ "আমরা [শেনঝেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড] থেকে প্রাপ্ত ইলেকট্রনিক উপাদানগুলি উচ্চমানের এবং আমাদের ডিভাইসে নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্স দেখিয়েছে। "

—— জার্মানি থেকে রিচার্ড

প্রতিযোগিতামূলক মূল্য নির্ধারণঃ আমাদের ক্রয়ের প্রয়োজনের জন্য এটি একটি দুর্দান্ত পছন্দ করে তোলে।

—— মালয়েশিয়া থেকে টিম

গ্রাহক সেবা প্রদান করা হয় চমৎকার. তারা সবসময় প্রতিক্রিয়াশীল এবং সহায়ক, আমাদের চাহিদা দ্রুত পূরণ নিশ্চিত।

—— ভিনসেন্ট রাশিয়া থেকে

মহান দাম, দ্রুত ডেলিভারি, এবং শীর্ষ মানের গ্রাহক সেবা। ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড কখনও হতাশ!

—— নিশিকাওয়া জাপান থেকে

নির্ভরযোগ্য উপাদান, দ্রুত শিপিং, এবং চমৎকার সমর্থন। ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড সব ইলেকট্রনিক্স চাহিদা জন্য আমাদের যেতে অংশীদার!

—— স্যাম মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে

উচ্চ মানের অংশ এবং একটি বিরামবিহীন অর্ডার প্রক্রিয়া. যে কোন ইলেকট্রনিক্স প্রকল্পের জন্য ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড অত্যন্ত সুপারিশ!

—— লিনা জার্মানি থেকে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

বড় ইমেজ : MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	সিএন
পরিচিতিমুলক নাম:	Original Factory
সাক্ষ্যদান:	Lead free / RoHS Compliant
মডেল নম্বার:	MG35P12P3

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	10
মূল্য:	Contact for Sample
প্যাকেজিং বিবরণ:	মডিউল
ডেলিভারি সময়:	3-5 কাজের দিন
পরিশোধের শর্ত:	টি/টি
যোগানের ক্ষমতা:	প্রতিদিন 10000 পিস

যোগাযোগ

MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

বর্ণনা

পার্ট নম্বর:

MG35P12P3

ভিসিইএস:

1200V

আইসি:

35a

প্যাকেজ:

মডিউল

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

1200V IGBT Module

35A Automotive IGBT Module

Low Switching Losses Power Module

MG35P12P3 Automotive IGBT Modules High-Performance 1200V 35A IGBT Module Product Overview Of MG35P12 MG35P12P3 is a 1200V 35A IGBT Module, including fast & soft recovery anti-parallel FWD. Features Of MG35P12 Low switching losses Low VCE(sat) with positive temperature coefficient Including fast & soft recovery anti-parallel FWD Low inductance case High short circuit capability (10us) Isolated heatsink using DBC technology Maximum junction temperature 175℃ Applications Of

ট্যাগ:

ব্যক্তি যোগাযোগ: Sales Manager

টেল: 86-13410018555

ফ্যাক্স: 86-0755-83957753

অন্যান্য পণ্যসমূহ

400A অটোমোটিভ IGBT মডিউল 1200V Sic Mosfet মডিউল FS03MR12A6MA1LBBPSA1

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss): 1200V (1.2kV)

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে: 400A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস: 3.7mOhm @ 400A, 15V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি: 5.55V @ 240mA

950V 400A অটোমোটিভ IGBT মডিউল 3 স্তরের IGBT মডিউল F3L400R10W3S7B11BPSA1

পার্ট নম্বর: F3L400R10W3S7B11BPSA1

আইজিবিটি টাইপ: পরিখা

পণ্যের অবস্থা: সক্রিয়

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 950 ভি

F3L600R10W4S7FC22BPSA1 IGBT মডিউল 950V 310A ট্রেঞ্চ ফিল্ড স্টপ

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 950 ভি

বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ): 310 ক

শক্তি - সর্বোচ্চ: 20 মেগাওয়াট

Vce(চালু) (সর্বোচ্চ) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 400A

HEV সিলিকন কার্বাইড পাওয়ার মডিউল 1200V 200A অটোমোটিভ মডিউল FS05MR12A6MA1BBPSA1

FET বৈশিষ্ট্য: সিলিকন কার্বাইড (SiC)

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss): 1200V (1.2kV)

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে: 200A

মাউন্ট টাইপ: চ্যাসিস মাউন্ট

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল FF300R08W2P2B11ABOMA1 750V 300A হাফ ব্রিজ IGBT মডিউল

পার্ট নম্বর: FF300R08W2P2B11ABOMA1

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 750 ভি

বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200 এ

শক্তি - সর্বোচ্চ: 20 মেগাওয়াট

MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

MG35P12P3 High-Performance 1200V 35A Automotive IGBT Module with Low Switching Losses

1200V IGBT Module

35A Automotive IGBT Module

Low Switching Losses Power Module

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল 400A,

FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt পাওয়ার মডিউল,