BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Name: BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: BLC10G22XS-301AVT
Price: আলোচনাযোগ্য USD
Availability: InStock

সব পণ্য

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ
(26554)

বিটি আইসি
(576)

স্বয়ংচালিত IGBT মডিউল
(2307)

মাইক্রোকন্ট্রোলার MCU
(16861)

GaN IC
(321)

এআই প্রসেসর চিপ
(1353)

ফিল্ড প্রোগ্রামেবল গেট অ্যারে
(7070)

ইথারনেট আইসি
(1206)

সংযোগকারী
(3702)

মেমরি আইসি চিপ
(2913)

সেন্সর আইসি
(3159)

আইওটি চিপ
(267)

5G মডিউল
(160)

ওয়াইফাই চিপ
(200)

আইফোন আইসি চিপ
(54)

ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন মডিউল
(3881)

তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রক তাপস্থাপক
(11)

এমবেডেড সলিউশন
(10093)

শ্রেষ্ঠ পণ্য

CYPD6227-96BZXI ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ ডুয়াল পোর্ট ইউএসবি টাইপ-সি কন্ট্রোলার আইসি VFBGA96

MC33984CHFKR2 ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ লোড ড্রাইভার আইসি পাওয়ার ডিস্ট্রিবিউশন সুইচ

MCZ33905DD5EKR2 ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ সিস্টেম বেস চিপ উচ্চ গতির CAN এবং LIN সহ

সাক্ষ্যদান

চীন ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. সার্টিফিকেশন

ক্রেতার পর্যালোচনা

খুব দ্রুত পাঠানো হয়েছে, এবং খুব সহায়ক ছিল, নতুন এবং আসল, অত্যন্ত সুপারিশ করবে।

—— নিশিকাওয়া জাপান থেকে

পেশাদার এবং দ্রুত পরিষেবা, পণ্যের জন্য গ্রহণযোগ্য মূল্য।চমৎকার যোগাযোগ, প্রত্যাশিত পণ্য।আমি অত্যন্ত এই সরবরাহকারী সুপারিশ.

—— লুইস মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে

উচ্চমানের এবং নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্সঃ "আমরা [শেনঝেন মিংজিয়াদা ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড] থেকে প্রাপ্ত ইলেকট্রনিক উপাদানগুলি উচ্চমানের এবং আমাদের ডিভাইসে নির্ভরযোগ্য পারফরম্যান্স দেখিয়েছে। "

—— জার্মানি থেকে রিচার্ড

প্রতিযোগিতামূলক মূল্য নির্ধারণঃ আমাদের ক্রয়ের প্রয়োজনের জন্য এটি একটি দুর্দান্ত পছন্দ করে তোলে।

—— মালয়েশিয়া থেকে টিম

গ্রাহক সেবা প্রদান করা হয় চমৎকার. তারা সবসময় প্রতিক্রিয়াশীল এবং সহায়ক, আমাদের চাহিদা দ্রুত পূরণ নিশ্চিত।

—— ভিনসেন্ট রাশিয়া থেকে

মহান দাম, দ্রুত ডেলিভারি, এবং শীর্ষ মানের গ্রাহক সেবা। ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড কখনও হতাশ!

—— নিশিকাওয়া জাপান থেকে

নির্ভরযোগ্য উপাদান, দ্রুত শিপিং, এবং চমৎকার সমর্থন। ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড সব ইলেকট্রনিক্স চাহিদা জন্য আমাদের যেতে অংশীদার!

—— স্যাম মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র থেকে

উচ্চ মানের অংশ এবং একটি বিরামবিহীন অর্ডার প্রক্রিয়া. যে কোন ইলেকট্রনিক্স প্রকল্পের জন্য ShenZhen Mingjiada ইলেকট্রনিক্স কোং, লিমিটেড অত্যন্ত সুপারিশ!

—— লিনা জার্মানি থেকে

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

বড় ইমেজ : BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

পণ্যের বিবরণ:

উৎপত্তি স্থল:	সিএন
পরিচিতিমুলক নাম:	Original Factory
সাক্ষ্যদান:	Lead free / RoHS Compliant
মডেল নম্বার:	BLC10G22XS-301AVT

প্রদান:

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ:	10
মূল্য:	Contact for Sample
প্যাকেজিং বিবরণ:	SOT1275-1
ডেলিভারি সময়:	5-8 কাজের দিন
পরিশোধের শর্ত:	টি/টি, এল/সি, ওয়েস্টার্ন ইউনিয়ন
যোগানের ক্ষমতা:	প্রতিদিন 10000 পিস

যোগাযোগ

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

বর্ণনা

পার্ট নম্বর:	BLC10G22XS-301AVT	প্রযুক্তি:	এলডিএমওএস
ফ্রিকোয়েন্সি:	2.11GHz ~ 2.17GHz	পাওয়ার - আউটপুট:	350W
বর্তমান রেটিং (এমপিএস):	1.4µA	ভোল্টেজ - রেটেড:	65 ভি
বিশেষভাবে তুলে ধরা:	300W LDMOS Transistor , 2.11GHz ~ 2.17GHz Integrated Circuit Chip , Asymmetric Doherty RF MOSFET Transistor

BLC10G22 Integrated Circuit Chip 300W Asymmetric Doherty Power LDMOS Transistor SOT1275-1 Product Overview Of BLC10G22 BLC10G22 is a 300W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLC10G22 Product Category RF MOSFET Transistors Technology Si Id - Continuous Drain Current 1.4 uA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Operating Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz Gain 15 dB Output

ট্যাগ:

ব্যক্তি যোগাযোগ: Sales Manager

টেল: 86-13410018555

ফ্যাক্স: 86-0755-83957753

অন্যান্য পণ্যসমূহ

LT8609IMSE#WTRPBF ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ ডিসি ডিসি সুইচিং নিয়ন্ত্রক 10-TFSOP

পার্ট নম্বর: LT8609IMSE#WTRPBF

পণ্যের অবস্থা: সক্রিয়

ফাংশন: নিচে নামা

আউটপুট কনফিগারেশন: ইতিবাচক

লিথিয়াম আয়ন BQ79616PAPRQ1 BQ79616 ব্যাটারি মাল্টি ফাংশন কন্ট্রোলার IC 64-HTQFP

ফাংশন: মাল্টি-ফাংশন কন্ট্রোলার

ব্যাটারি রসায়ন: লিথিয়াম আয়ন

কোষের সংখ্যা: 1

ফল্ট সুরক্ষা: অতিরিক্ত তাপমাত্রা

USB3.2 10Gbps ইন্টিগ্রেটেড চিপস TUSB1002ARGER ডুয়াল চ্যানেল লিনিয়ার রিড্রাইভার QFN24

অংশ সংখ্যা: TUSB1002ARGER

পণ্য: ইউএসবি রিড্রাইভার

ডেটা রেট: 10 Gb/s

দ্রুততা: সুপার স্পিড (SS)

ক্লোজডলুপ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ TAS5805MPWPR ক্লাস ডি এমপ্লিফায়ার TAS5805 HTSSOP28

অংশ সংখ্যা: TAS5805MPWPR

সরবরাহ ভোল্টেজ - সর্বনিম্ন: 3 ভি

সরবরাহ ভোল্টেজ - সর্বোচ্চ: 3.6 ভি

অপারেটিং তাপমাত্রা (মিনিট): -25°C

NCP51200 ভোল্টেজ রেগুলেটর IC NCP51200MNTXG Ic চিপস ডেটা রেট টার্মিনেশন রেগুলেটর

অংশ সংখ্যা: NCP51200MNTXG

আউটপুট সংখ্যা: 1

ভোল্টেজ - আউটপুট: 0.5V ~ 1.8V

ভোল্টেজ - ইনপুট: 2.375V ~ 3.5V

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

300W LDMOS Transistor

2.11GHz ~ 2.17GHz Integrated Circuit Chip

Asymmetric Doherty RF MOSFET Transistor

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ 24-PQFN,

TUSB1002ARGER ডুয়াল চ্যানেল লিনিয়ার,