চীন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

• 

  N-Channel MOSFET ট্রানজিস্টর BUK9Y13-60ELX LFPAK56 60V ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

  অংশ সংখ্যা:BUK9Y13-60ELX

  শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ):147W (Ta)

  অপারেটিং তাপমাত্রা (মিনিট):-55°C (TJ)

  এখন যোগাযোগ
• 

  একক FETs MOSFET ট্রানজিস্টর BUK9M67-60ELX 60V ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ LFPAK33

  অংশ সংখ্যা:BUK9M67-60ELX

  সিরিজ:স্বয়ংচালিত, AEC-Q100

  প্রযুক্তি:MOSFET (ধাতু অক্সাইড)

  এখন যোগাযোগ
• 

  আইসি চিপস BUK9M20-60ELX LFPAK33 একক N-চ্যানেল লজিক লেভেল MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:BUK9M20-60ELX

  প্যাকেজ/কেস:SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-লিড)

  মাউন্ট শৈলী:এসএমডি/এসএমটি

  এখন যোগাযোগ
• 

  N-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর NTBG060N065SC1 D2PAK-7 650V ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

  অংশ সংখ্যা:NTBG060N065SC1

  গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:74 nC @ 18 V

  ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:1473 pF @ 325 V

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ NTBG025N065SC1 সিলিকন কার্বাইড MOSFET ট্রানজিস্টর TO-263-8

  অংশ সংখ্যা:NTBG025N065SC1

  আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট:106 ক

  Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:28.5 mOhms

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V N-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:NTH4L075N065SC1

  আল্ট্রা লো গেট চার্জ:QG(tot) = 61 nC

  কম আউটপুট ক্যাপাসিট্যান্স:Coss = 107 pF

  এখন যোগাযোগ
• 

  650V N-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর NTH4L025N065SC1 হোল TO-247-4 IC চিপসের মাধ্যমে

  অংশ সংখ্যা:NTH4L025N065SC1

  ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:-55°C (TJ)

  Pd - শক্তি অপচয়:348 W

  এখন যোগাযোগ
• 

  N-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর NTHL020N120SC1 1200V ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ TO-247-3

  অংশ সংখ্যা:NTHL020N120SC1

  Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস:28mOhm @ 60A, 20V

  ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:2890 pF @ 800 V

  এখন যোগাযোগ
• 

  1200V SiC ট্রেঞ্চ MOSFET IMBG120R045M1H N-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর TO-263-8

  অংশ সংখ্যা:IMBG120R045M1H

  শর্ট সার্কিট সহ্য করার সময়:3 µs

  টার্ন-অফ গেট ভোল্টেজ:0V

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiC ট্রেঞ্চ MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:IMBG120R060M1H

  স্পন্দিত ড্রেন বর্তমান:94A

  শক্তি অপচয়, TC = 25°C:181W

  এখন যোগাযোগ
• 

  এন-চ্যানেল IMBG120R220M1H 1200V সিলিকন কার্বাইড ট্রেঞ্চ TO-263-8 MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:IMBG120R220M1H

  পতনের সময়:11 এনএস

  ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স - ন্যূনতম:1.9 এস

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ MSC025SMA120J N-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:MSC025SMA120J

  ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:- 55 সে

  সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:+ 175 সে

  এখন যোগাযোগ