চীন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V SiC ট্রেঞ্চ MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:IMBG120R060M1H

  স্পন্দিত ড্রেন বর্তমান:94A

  শক্তি অপচয়, TC = 25°C:181W

  এখন যোগাযোগ
• 

  এন-চ্যানেল IMBG120R220M1H 1200V সিলিকন কার্বাইড ট্রেঞ্চ TO-263-8 MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:IMBG120R220M1H

  পতনের সময়:11 এনএস

  ফরোয়ার্ড ট্রান্সকন্ডাক্টেন্স - ন্যূনতম:1.9 এস

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ MSC025SMA120J N-চ্যানেল পাওয়ার MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:MSC025SMA120J

  ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:- 55 সে

  সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:+ 175 সে

  এখন যোগাযোগ
• 

  সিলিকন কার্বাইড MOSFET ট্রানজিস্টর IMW120R140M1H N-চ্যানেল 1200V 19A 94W থ্রু হোল

  অংশ সংখ্যা:IMW120R140M1H

  অপারেটিং তাপমাত্রা:-55°C ~ 175°C (TJ)

  পোলারিটি:এন

  এখন যোগাযোগ
• 

  ICs চিপ MSC025SMA120S 1200 V সিলিকন কার্বাইড এন-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:MSC025SMA120S

  FET প্রকার:এন-চ্যানেল

  বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:89A (Tc)

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ MSC180SMA120B 1200V SiC MOSFET ট্রানজিস্টর TO-247-4

  অংশ সংখ্যা:MSC180SMA120B

  ট্রানজিস্টরের পোলারিটি:এন-চ্যানেল

  মাউন্ট শৈলী:গর্তের দিকে

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ MSC090SMA070S 700V SiC MOSFET ট্রানজিস্টর TO-268-3

  অংশ সংখ্যা:MSC090SMA070S

  আইডি - ক্রমাগত ড্রেন কারেন্ট:25 ক

  জংশন-টু-কেস থার্মাল রেজিস্ট্যান্স (টাইপ):1.10W/°C

  এখন যোগাযোগ
• 

  সিলিকন কার্বাইড MSC015SMA070B4 N-চ্যানেল SiC MOSFET ট্রানজিস্টর TO-247-4 IC চিপস

  অংশ সংখ্যা:MSC015SMA070B4

  স্পন্দিত ড্রেন বর্তমান:350A

  লিনিয়ার ডিরেটিং ফ্যাক্টর:3.03W/°C

  এখন যোগাযোগ
• 

  ট্রানজিস্টর IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 অটোমোটিভ গ্রেড MOSFET ট্রানজিস্টর 650V

  অংশ সংখ্যা:IPBE65R075CFD7AATMA1

  Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:139 mOhms

  Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ:- 20 V, + 20 V

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ BSZ036NE2LSATMA1 N-চ্যানেল MOSFET ট্রানজিস্টর 8-PowerTDFN

  অংশ সংখ্যা:BSZ036NE2LSATMA1

  সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:+ 150 সে

  Pd - শক্তি অপচয়:37 ডব্লিউ

  এখন যোগাযোগ
• 

  এন-চ্যানেল IMBG65R030M1HXTMA1 MOSFET ট্রানজিস্টর TO-263-8 ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

  অংশ সংখ্যা:IMBG65R030M1HXTMA1

  ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:1643 pF @ 400 V

  শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ):234W (Tc)

  এখন যোগাযোগ
• 

  এন-চ্যানেল IPT026N10N5ATMA1 MOSFET ট্রানজিস্টর 8-PowerSFN ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

  অংশ সংখ্যা:IPT026N10N5ATMA1

  আইডি (@ TC=25°C) - সর্বোচ্চ:202 এ

  আইডি (@25°সে) - সর্বোচ্চ:202 এ

  এখন যোগাযোগ