চীন ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ

• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ TW140N120C, S1F একক FETs ট্রানজিস্টর TO-247-3 N-চ্যানেল

  অংশ সংখ্যা:TW140N120C, S1F

  Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:1.2 কেভি

  মাউন্ট শৈলী:গর্তের দিকে

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ SCTH35N65G2V-7AG সারফেস মাউন্ট 650V 45A ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:SCTH35N65G2V-7AG

  চ্যানেল মোড:বর্ধন

  কনফিগারেশন:একক

  এখন যোগাযোগ
• 

  সারফেস মাউন্ট SCTH35N65G2V-7 একক N-চ্যানেল 650V 45A 208W ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:SCTH35N65G2V-7

  ভিডিএস:650 ভি

  ড্রাইভ ভোল্টেজ:18V, 20V

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ SCTH40N120G2V-7 N-চ্যানেল সারফেস মাউন্ট ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:SCTH40N120G2V-7

  অপারেটিং তাপমাত্রা:-55°C ~ 175°C (TJ)

  Vgs th - গেট-উৎস থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ:5 ভি

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ SCT10N120AG 1200V 12A N-চ্যানেল ট্রানজিস্টর TO-247-3

  অংশ সংখ্যা:SCT10N120AG

  ন্যূনতম অপারেটিং তাপমাত্রা:- 55 সে

  সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা:+ 200 সে

  এখন যোগাযোগ
• 

  একক FETs MOSFETs ট্রানজিস্টর TW030N120C, S1F ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ TO-247-3

  অংশ সংখ্যা:TW030N120C, S1F

  ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:2925 পিএফ @ 800 ভি

  গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস:82 nC @ 18 V

  এখন যোগাযোগ
• 

  N-চ্যানেল ট্রানজিস্টর TW015N65C,S1F ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ TO-247-3 ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:TW015N65C,S1F

  প্রযুক্তি:SiCFET (সিলিকন কার্বাইড)

  ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স:4850pF

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ TW048N65C,S1F TO-247-3 সিলিকন কার্বাইড এন-চ্যানেল ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:TW048N65C, S1F

  Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:5V @ 1.6mA

  সময় বৃদ্ধি:43 এনএস

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ SCTW40N120G2VAG পাওয়ার MOSFET N-চ্যানেল ট্রানজিস্টর TO-247-3

  অংশ সংখ্যা:SCTW40N120G2VAG

  ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু):18V

  বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:33A (Tc)

  এখন যোগাযোগ
• 

  SCTWA30N120 সিলিকন কার্বাইড এন-চ্যানেল ট্রানজিস্টর TO-247-3 গর্তের মাধ্যমে

  অংশ সংখ্যা:SCTWA30N120

  Vds - ড্রেন-উৎস ব্রেকডাউন ভোল্টেজ:1.2 কেভি

  Rds অন - ড্রেন-উৎস প্রতিরোধ:100 mOhms

  এখন যোগাযোগ
• 

  650V ট্রানজিস্টর IMBG65R083M1HXTMA1 সিলিকন কার্বাইড MOSFET একক টিউব TO-263-8

  অংশ সংখ্যা:IMBG65R083M1HXTMA1

  প্রযুক্তি:SIC

  মাউন্ট শৈলী:এসএমডি/এসএমটি

  এখন যোগাযোগ
• 

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ IMBG65R107M1HXTMA1 N-চ্যানেল 650V MOSFETs ট্রানজিস্টর

  অংশ সংখ্যা:IMBG65R107M1HXTMA1

  সিরিজ:CoolSIC™ M1

  FET প্রকার:এন-চ্যানেল

  এখন যোগাযোগ