STGW80H65DFB ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ ট্রেঞ্চ গেট ফিল্ড-স্টপ হাই স্পিড এইচবি সিরিজ আইজিবিটি ট্রানজিস্টর

ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট চিপ
May 29, 2025
Brief: Discover the STGW80H65DFB Integrated Circuit Chip, a high-speed HB Series IGBT Transistor with a trench gate field-stop structure. Ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters, this 650V 80A device offers optimal efficiency with low saturation voltage and safe paralleling capabilities.
Related Product Features:
  • উচ্চ দক্ষতার জন্য উন্নত ট্রেঞ্চ গেট ফিল্ড-স্টপ কাঠামো।
  • 650V collector-emitter breakdown voltage and 80A collector current.
  • ন্যূনতম লেজ কারেন্ট সহ উচ্চ-গতির সুইচিং সিরিজ।
  • Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6V (typ.) @ IC = 80A.
  • Positive VCE(sat) temperature coefficient for safer paralleling.
  • সংকীর্ণ প্যারামিটার বিতরণ যা ধারাবাহিক কর্মক্ষমতা নিশ্চিত করে।
  • Very fast soft recovery antiparallel diode for enhanced reliability.
  • Operating temperature range: -55°C to 175°C (TJ).
সাধারণ জিজ্ঞাস্য:
  • What is the maximum junction temperature of the STGW80H65DFB?
    The maximum junction temperature is TJ = 175°C.
  • What applications is the STGW80H65DFB suitable for?
    It is ideal for photovoltaic inverters and high-frequency converters.
  • Does the STGW80H65DFB support safe paralleling?
    Yes, its slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution enable safe paralleling.
সম্পর্কিত ভিডিও