অংশ সংখ্যা:MSCSM120SKM11CT3AG
মাউন্ট টাইপ:চ্যাসিস মাউন্ট
ভোল্টেজ - বিচ্ছিন্নতা:4000Vrms
অংশ সংখ্যা:MSCSM170AM058CT6LIAG
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds:19800pF @ 1000V
প্রযুক্তি:SIC
অংশ সংখ্যা:MSCSM170AM039CT6AG
Rds চালু:5mOhm
স্পন্দিত ড্রেন বর্তমান:1000A
অংশ সংখ্যা:MSCSM170AM058CD3AG
মাউন্ট টাইপ:চ্যাসিস মাউন্ট
অপারেটিং তাপমাত্রা:-40°C ~ 175°C (TJ)
অংশ সংখ্যা:MSCSM170AM15CT3AG
প্রতিরোধের উপর ড্রেন-উৎস:15 mΩ
বিদ্যুৎ অপচয়:862W
অংশ সংখ্যা:MSCSM170AM23CT1AG
কনফিগারেশন:2 N চ্যানেল (ফেজ লেগ)
ভিজিএস:20 ভি
অংশ সংখ্যা:MSC40SM120JCU3
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25° সে:55A (Tc)
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি:2.7V @ 1mA
অংশ সংখ্যা:MSC130SM120JCU3
পণ্য:IGBT সিলিকন কার্বাইড মডিউল
Vf - ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ:1.5 ভি
অংশ সংখ্যা:MSCSM170AM45CT1AG
ভিডিএস:1700V
কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন:64A (Tc)
অংশ সংখ্যা:MSCSM120DAM11CT3AG
Vf - ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ:180 এ 1.5 V
পতনের সময়:25 এনএস
অংশ সংখ্যা:MSCSM70AM10CT3AG
পণ্য তালিকা:বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর মডিউল
Vf - ফরোয়ার্ড ভোল্টেজ:100 এ 1.5 V
অংশ সংখ্যা:MSC130SM120JCU2
প্রকার:বুস্ট চপার
Vgs - গেট-উৎস ভোল্টেজ:- 10 V, + 25 V